防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种防护薄膜框架1，其为框状的防护薄膜框架1，其特征在于包括防护薄膜框架本体1a、及被覆所述防护薄膜框架本体的绝缘层1b；以及提供一种防护薄膜，其包括所述防护薄膜框架1、及经由粘着剂或接着剂而设置于所述防护薄膜框架的上端面13的防护薄膜膜片；且提供一种带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法。所述防护薄膜框架减少附着于其表面的异物落下。防护薄膜框架减少附着于其表面的异物落下。防护薄膜框架减少附着于其表面的异物落下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种作为异物去除器而装设于光刻(lithography)用光掩模的防护薄膜框架、防护薄膜、带防护薄膜的曝光原版、曝光方法、半导体的制造方法及液晶显示板的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit，LSI)的设计规则正推进向次四分之一微米(sub
‑
quarter micron)的微细化，伴随于此，正推进曝光光源的短波长化。即，曝光光源自基于水银灯的g射线(436nm)、i射线(365nm)转移为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)等，进而研究有使用主波长13.5nm的极紫外光(Extreme Ultra Violet Light，EUV光)的EUV曝光。
[0003]在LSI、超LSI等半导体制造或液晶显示板的制造中，对半导体晶片或液晶用原板照射光来制作图案，若此时使用的光刻用光掩模及标线(reti本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种防护薄膜框架，其为框状的防护薄膜框架，其特征在于包括防护薄膜框架本体、及被覆所述防护薄膜框架本体的绝缘层。2.根据权利要求1所述的防护薄膜框架，其中所述绝缘层的体积电阻率为108Ω
·
m以上。3.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中所述防护薄膜框架本体包括钛或钛合金。4.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中所述绝缘层为非粘着性。5.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中所述绝缘层由无机材料形成。6.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中所述绝缘层形成于防护薄膜框架本体的整个表面。7.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中所述防护薄膜框架是线膨胀系数为10
×
10
‑6(1/K)以下的金属。8.根据权利要求1或2所述的防护薄膜框架，其中防护薄膜框架的厚度未满2.5mm。9.一种防护薄膜，其特征在于包括如权利要求1所述的防护薄膜框架、及经由粘着剂或接着剂而设置于所述防护薄膜框架的上端面的防护薄膜膜片。10.根据权利要求9所述的防护薄膜，其使用于真空下或减压下的曝光。11.根据权利要求9或10所述的防护薄膜，其使用于极紫外线曝光。12.根据权利要求9或10所述的防护薄膜，其未设置过滤器。13.根据权利要求9或10所述的防护薄膜，其使用于以300mm/秒以上的扫描速度的曝光。14.根据权利要求9或10所述的防护薄膜，其中防护薄膜的高度为2....

【专利技术属性】
技术研发人员：簗瀬优，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：