掩膜版的制作方法技术

本公开实施例公开了一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成遮光层；其中，所述遮光层包括第一区域和第二区域；对所述第一区域执行第一曝光以及显影工艺，以形成第一图案；在形成所述第一图案后，对所述第二区域执行第二曝光以及显影工艺，以形成第二图案；其中，所述第一图案的特征尺寸与所述第二图案的特征尺寸不同。尺寸与所述第二图案的特征尺寸不同。尺寸与所述第二图案的特征尺寸不同。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版的制作方法


[0001]本公开实施例涉及半导体
，特别涉及一种掩膜版的制作方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺是半导体制作过程中的一个重要步骤，该步骤是利用光照通过图案化的掩膜版，对光刻胶进行曝光，进而在光刻胶上光刻出与掩膜版相同的图案。
[0003]随着集成电路集成度的不断提高，半导体器件的特征尺寸也不断缩小，用于光刻工艺的掩膜版的特征尺寸也进一步缩小，可达到微米级，甚至是纳米级。随着掩膜版特征尺寸的进一步缩小，用于制作掩膜版的工艺精度也越来越高，制作时间也越来越长。如何减少掩膜版的制作时间成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种掩膜版的制作方法，包括
[0005]提供基底；
[0006]在所述基底上形成遮光层；其中，所述遮光层包括第一区域和第二区域；
[0007]对所述第一区域执行第一曝光以及显影工艺，以形成第一图案；
[0008]在形成所述第一图案后，对所述第二区域执行第二曝光以及显影工艺，以形成第二图案；其中，所述第一图案的特征尺寸与所述第二图案的特征尺寸不同。
[0009]在一些实施例中，所述第一曝光的分辨率高于所述第二曝光的分辨率，所述第一图案的特征尺寸小于所述第二图案的特征尺寸；
[0010]或者，
[0011]所述第一曝光的分辨率低于所述第二曝光的分辨率，所述第一图案的特征尺寸大于所述第二图案的特征尺寸。
[0012]在一些实施例中，在执行所述第一曝光以及显影工艺前，所述方法还包括：获取与所述第一图案对应的第一预设图案；其中，所述第一预设图案与所述第一图案相同或互补；
[0013]根据所述第一预设图案的特征尺寸，确定所述第一曝光的具体工艺方法。
[0014]在一些实施例中，在执行所述第二曝光以及显影工艺前，所述方法还包括：
[0015]获取与所述第二图案对应的第二预设图案；其中，所述第二预设图案与所述第二图案相同或互补；
[0016]根据所述第二预设图案的特征尺寸，确定所述第二曝光的具体工艺方法。
[0017]在一些实施例中，所述对所述第一区域执行第一曝光以及显影工艺，以形成第一图案，包括：
[0018]在所述遮光层的表面形成第一光阻层；
[0019]对覆盖所述第一区域的所述第一光阻层进行第一曝光以及显影，以在所述第一光阻层中形成所述第一图案；
[0020]以形成有所述第一图案的所述第一光阻层为掩膜，蚀刻所述遮光层，将所述第一
图案转移到所述遮光层上。
[0021]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0022]在所述遮光层中形成所述第一图案之后，去除所述第一光阻层。
[0023]在一些实施例中，所述对所述第二区域执行第二曝光以及显影工艺，以形成第二图案，包括：
[0024]在去除所述第一光阻层后，形成覆盖所述遮光层表面、且填充所述遮光层中所述第一图案的第二光阻层；
[0025]对覆盖所述第二区域的所述第二光阻层进行第二曝光以及显影，以在所述第二光阻层中形成所述第二图案；
[0026]以形成有所述第二图案的所述第二光阻层为掩膜，蚀刻所述遮光层，将所述第二图案转移到所述遮光层上。
[0027]在一些实施例中，所述第一光阻层的组成材料与所述第二光阻层的组成材料不同。
[0028]在一些实施例中，所述方法还包括：
[0029]将所述第二图案转移到所述遮光层上之后，去除所述第二光阻层。
[0030]在一些实施例中，所述遮光层包括第一遮光子层和第二遮光子层；所述在所述基底上形成遮光层，包括：
[0031]在所述基底上形成所述第一遮光子层；其中，所述第一遮光子层用于改变通过所述第一图案或者所述第二图案的入射光的相位；
[0032]形成覆盖所述第一遮光子层的所述第二遮光子层；其中，所述第二遮光子层用于减少入射光在所述遮光层中的透射。
[0033]在一些实施例中，所述第二遮光子层的透射率小于所述第一遮光子层的透射率。
[0034]在一些实施例中，所述第一遮光子层的组成材料包括：铬、钼、钛、钽、氧化铬、氮化铬、氮化钼、硅化钼、硅化钽或者二硅化钛。
[0035]在一些实施例中，所述第二遮光子层的组成材料包括：铬、钼、钛、钽、氧化铬、氮化铬或者氮化钼。
[0036]在一些实施例中，所述第一曝光包括电子束曝光，所述第二曝光包括镭射曝光；所述第一图案的特征尺寸小于所述第二图案的特征尺寸；
[0037]或者，
[0038]所述第一曝光包括镭射曝光，所述第二曝光包括电子束曝光；所述第一图案的特征尺寸大于所述第二图案的特征尺寸。
[0039]在一些实施例中，所述方法制作的掩膜版应用于制作三维存储器；
[0040]所述第一图案包括：孔阵列结构或者条形结构；
[0041]所述第二图案包括：孔阵列结构或者条形结构。
[0042]本公开实施例，在对遮光层的第一区域执行第一曝光以及显影工艺，形成第一图案之后，再对第二区域执行第二曝光以及显影工艺，以形成第二图案。第一图案的特征尺寸与第二图案的特征尺寸不同，利于对不同特征尺寸的图案分别进行不同分辨率的曝光，减少掩膜版的制作时间。当需要形成的第一图案的特征尺寸小于第二图案的特征尺寸时，使用的第一曝光的分辨率可高于第二曝光的分辨率；当需要形成的第一图案的特征尺寸大于
第二图案时，使用的第一曝光的分辨率可低于第二曝光的分辨率。相较于仅用一种曝光以及显影工艺形成第一图案和第二图案的制作方法，本公开实施例可以减少执行高分辨率的曝光工艺形成大特征尺寸图案的情形，减少曝光时间，从而减少掩膜版的制作时间。
附图说明
[0043]图1a至图1d是根据一示例性实施例示出的一种掩膜版的制作方法的示意图；
[0044]图2a是根据一示例性实施例示出的电子束扫描遮光层形成图案的示意图；
[0045]图2b是根据一示例性实施例示出的掩膜版的图案的示意图；
[0046]图3是根据本公开实施例示出的一种掩膜版的制作方法的流程示意图；
[0047]图4a至图4d是根据本公开实施例示出的一种掩膜版的制作方法的示意图；
[0048]图5a至5b是根据本公开实施例示出的一种掩膜版的图案的示意图；
[0049]图6a至6g是根据本公开实施例示出的一种掩膜版的制作方法的示意图；
[0050]图7是根据本公开实施例示出的一种掩膜版的制作方法的示意图；
[0051]图8是根据本公开实施例示出的一种掩膜版的示意图。
具体实施方式
[0052]以下结合说明书附图及具体实施例对本公开的技术方案做进一步的详细阐述。
[0053]在本公开实施例中，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。
[0054]在本公开实施例中，术语“A与B接触”包含A与B直本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成遮光层；其中，所述遮光层包括第一区域和第二区域；对所述第一区域执行第一曝光以及显影工艺，以形成第一图案；在形成所述第一图案后，对所述第二区域执行第二曝光以及显影工艺，以形成第二图案；其中，所述第一图案的特征尺寸与所述第二图案的特征尺寸不同。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一曝光的分辨率高于所述第二曝光的分辨率，所述第一图案的特征尺寸小于所述第二图案的特征尺寸；或者，所述第一曝光的分辨率低于所述第二曝光的分辨率，所述第一图案的特征尺寸大于所述第二图案的特征尺寸。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行所述第一曝光以及显影工艺前，所述方法还包括：获取与所述第一图案对应的第一预设图案；其中，所述第一预设图案与所述第一图案相同或互补；根据所述第一预设图案的特征尺寸，确定所述第一曝光的具体工艺方法。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行所述第二曝光以及显影工艺前，所述方法还包括：获取与所述第二图案对应的第二预设图案；其中，所述第二预设图案与所述第二图案相同或互补；根据所述第二预设图案的特征尺寸，确定所述第二曝光的具体工艺方法。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一区域执行第一曝光以及显影工艺，以形成第一图案，包括：在所述遮光层的表面形成第一光阻层；对覆盖所述第一区域的所述第一光阻层进行第一曝光以及显影，以在所述第一光阻层中形成所述第一图案；以形成有所述第一图案的所述第一光阻层为掩膜，蚀刻所述遮光层，将所述第一图案转移到所述遮光层上。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述遮光层中形成所述第一图案之后，去除所述第一光阻层。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述第二区域执行第二曝光以及显影工艺，以形成第二图案，包括：在去除所述第一光阻层后，形成覆盖所述遮...

【专利技术属性】
技术研发人员：方红，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：