一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法技术

本发明专利技术提供一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法，其包括如下步骤：提供第一光掩膜；在所述光掩膜的表面生长薄膜材料，得到第二光掩膜，其中，所述第二光掩膜的表面具有所需厚度的薄膜；对所述第二光掩膜的横向厚度进行全部或部分去除；保留所述第二光掩膜的部分或全部竖向厚度，从而调整所述关键尺寸。本发明专利技术还提供一种半导体器件的制备方法。本发明专利技术实现了一种更大范围内调整光掩模关键尺寸的方案，能有效减少光掩模产品报废、降低成本和提高产能。能。

【技术实现步骤摘要】
一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法


[0001]本专利技术属于半导体
，特别是涉及一种调整关键尺寸的方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制造工艺的发展，半导体芯片的面积越来越小，因此，半导体工艺的精度也变得更加重要。在半导体工艺制造过程中，光刻工艺(photography)和刻蚀工艺(etch)是重要的加工环节，光刻工艺主要是将掩膜版上的图案转移到晶圆上，而刻蚀工艺则是将转移在晶圆上的图案进行立体化，之后方可进行后续其他工艺过程，完成整个半导体器件的制作。在光刻和刻蚀工艺中，共同关注的一点就包括关键尺寸(critical dimension，CD)。
[0003]而高端光掩模由于光刻的要求十分严苛，对图形尺寸需要精准的控制，一旦关键尺寸量测时超过一定的规格，除非有补救的方式，否则光掩模必须报废重制。如何减少高端光掩模的报废几率，以达到节省生产成本及提升产能的目的，是本领域技术人员亟待解决的问题。
[0004]基于以上，本申请提供了解决以上技术问题的技术方案。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法，可以更大范围内调整光掩模关键尺寸，从而能有效减少光掩模产品报废、降低成本和提高产能。
[0006]本专利技术提供一种半导体器件的制备方法，可以更大范围内调整光掩模关键尺寸，从而能有效减少光掩模产品报废、降低成本和提高产能。
[0007]本专利技术第一方面提供一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法，包括如下步骤：
[0008]提供第一光掩膜；
[0009]在所述光掩膜的表面生长薄膜材料，得到第二光掩膜，其中，所述第二光掩膜的表面具有所需厚度的薄膜；
[0010]对所述第二光掩膜的横向厚度进行全部或部分去除；
[0011]保留所述第二光掩膜的部分或全部竖向厚度，从而调整所述关键尺寸。
[0012]在本专利技术的一个优选实施方式中，所述第二光掩膜表面的所述具有所需厚度的薄膜包括纳米低温碳晶管薄膜。
[0013]在本专利技术的一个优选实施方式中，所述第二光掩膜表面的厚度为不高于 50纳米。
[0014]优选地，所述第二光掩膜表面的厚度为不高于20
‑
30纳米，更优选10纳米左右。
[0015]在本专利技术的一个优选实施方式中，对所述第二光掩膜的横向厚度进行去除时，采用等离子体刻蚀法进行。
[0016]在本专利技术的一个优选实施方式中，对所述第二光掩膜的横向厚度进行去除，使得所述第一光掩膜的顶表面部分或全部暴露。
[0017]具体的，对所述第二光掩膜的横向厚度进行去除，使得所述第一光掩膜的顶表面
部分或全部暴露。
[0018]更具体的，对所述第二光掩膜的横向厚度进行去除，使得所述第一光掩膜的顶表面全部暴露。
[0019]在本专利技术的一个优选实施方式中，还包括进一步对关键尺寸进行调整。
[0020]在本专利技术的一个优选实施方式中，可以调整
±
30纳米范围的关键尺寸。
[0021]具体地，关键尺寸的调整范围为
‑
30到+30纳米。
[0022]具体地，关键尺寸的调整范围为
‑
20到+20纳米。
[0023]具体地，关键尺寸的调整范围为
‑
10到+10纳米。
[0024]在本专利技术的一个优选实施方式中，采用干法刻蚀进一步对所述关键尺寸进行调整。
[0025]在本专利技术的一个优选实施方式中，采用干法刻蚀进一步对关键尺寸进行调整时，可以调整
±
30纳米范围的关键尺寸。
[0026]具体地，采用干法刻蚀对关键尺寸的调整范围为
‑
30到+30纳米。
[0027]具体地，采用干法刻蚀对关键尺寸的调整范围为
‑
20到+20纳米。
[0028]具体地，采用干法刻蚀对关键尺寸的调整范围为
‑
10到+10纳米。
[0029]本专利技术第二方面提供一种半导体器件的制备方法，所述方法步骤包括本专利技术所述的光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法。
[0030]本专利技术能够带来以下至少一种有益效果：
[0031]1、更大范围内调整光掩模关键尺寸。
[0032]2、能有效减少光掩模产品报废、降低成本和提高产能。
[0033]附图说明
[0034]下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对上述特性、技术特征、优点及其实现方式予以进一步说明。
[0035]图1示例性示出了在光掩膜的表面生长薄膜材料并保留竖向厚度的横截面示意图；
[0036]图2示例性地示出了在光掩膜的表面横向和竖向生长薄膜材料以及干法刻蚀的横截面示意图；
[0037]图3示例性地示出了对横向厚度去除并保留竖向厚度的横截面示意图。
具体实施方式
[0038]以下对本专利技术的各个方面进行进一步详述。
[0039]除非另有定义或说明，本文中所使用的所有专业与科学用语与本领域技术熟练人员所熟悉的意义相同。此外任何与所记载内容相似或均等的方法及材料皆可应用于本专利技术方法中。
[0040]除非另有明确的规定和限定，本专利技术中所述的“或”，包含了“和”的关系。所述“和”相当于布尔逻辑运算符“AND”，所述“或”相当于布尔逻辑运算符“OR”，而“AND”是“OR”的子集。
[0041]可以理解到，尽管术语“第一”、“第二”等等可以在此用来说明不同的元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅仅用来将一个元件与另一个元件区分开。因此，第一元件可以被称为第二元件，而不背离本专利技术构思的教导。
[0042]本专利技术中，术语“含有”、“包含”或“包括”表示各种成分可一起应用于本专利技术的混合物或组合物中。因此，术语“主要由...组成”和“由...组成”包含在术语“含有”、“包含”或“包括”中。
[0043]除非另有明确的规定和限定，本专利技术的术语“相连”、“连通”、“连接”应作广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是通过中介媒介间相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0044]例如，如果一个元件(或部件)被称为在另一个元件上、与另一个元件耦合或者与另一个元件连接，那么所述一个元件可以直接地在所述另一个元件上形成、与之耦合或者与之连接，或者在它们之间可以有一个或多个介于中间的元件。相反，如果在此使用表述“直接在......上”、“直接与......耦合”和“直接与......连接”，那么表示没有介于中间的元件。用来说明元件之间的关系的其他词语应该被类似地解释，例如“在......之间”和“直接在......之间”、“附着”和“直接附着”、“相邻”和“直接相邻”等等。
[0045]另外需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供第一光掩膜；在所述第一光掩膜的表面生长薄膜材料，得到第二光掩膜，其中，所述第二光掩膜的表面具有所需厚度的薄膜；对所述第二光掩膜的横向厚度进行全部或部分去除；保留所述第二光掩膜的部分或全部竖向厚度，从而调整所述关键尺寸。2.如权利要求1所述的光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法，其特征在于，所述第二光掩膜表面的所述具有所需厚度的薄膜包括纳米低温碳晶管薄膜。3.如权利要求1所述的光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法，其特征在于，所述第二光掩膜表面的厚度为不高于50纳米。4.如权利要求1所述的光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法，其特征在于，对所述第二光掩膜的横向厚度进行去除时，采用等离子体刻蚀法进行。5.如权利要求1所述的光掩模薄膜生长调整关键尺寸的方法，其特征在于，对所述第二光掩膜的横向厚度进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：施维，
申请(专利权)人：广州新锐光掩模科技有限公司，
类型：发明
国别省市：