一种光掩模板二次曝光方法及光掩模板技术

技术编号:41742910 阅读:38 留言:0更新日期:2024-06-19 13:03
本说明书实施例提供一种光掩模板二次曝光方法及光掩模板,光掩模板二次曝光方法,包括:对需要第二次曝光的光掩模板进行电子束扫描诱导碳沉积;对上述碳沉积后的光掩模板进行第二次曝光。在光掩模板第二次曝光前,对光掩模进行电子束诱导碳沉积,电子束诱导碳沉积在对位区域图形,图形区域变暗,有助于降低激光透射率、提高反射率,使得进入石英层的激光能量降低到安全阈值以下,避免光掩模板的石英层产生裂纹,可以减少光掩模板的报废率以及提高对位成功率。

【技术实现步骤摘要】

本说明书涉及光掩模,具体涉及一种光掩模板二次曝光方法及光掩模板


技术介绍

1、正常二次曝光过程中激光能量不会导致光掩模的石英层出现裂纹;二次曝光过程中,为了保障对位时有足够的信号,对位时使用的曝光能量无法调低,而图形区曝光能量是可定义值,还可通过能量稍降来改善,因此对位时使用的曝光能量要高于图形区曝光能量,可能高达三倍。对于一些光掩模板,由于该光掩模板空白区域透光性比较强,铬层及硅化钼层反射率较低,对位曝光能量透射到石英层的比例较高,容易导致光掩模板的石英层超出可承受范围而出现开裂。


技术实现思路

1、有鉴于此,本说明书实施例提供一种光掩模板二次曝光方法及光掩模板,在光掩模板第二次曝光前,对光掩模进行电子束诱导碳沉积,有助于降低激光透射率、提高反射率,使得进入石英层的激光能量降低到安全阈值以下,避免光掩模板的石英层产生裂纹,可以减少光掩模板的报废率以及提高对位成功率。

2、本说明书实施例提供以下技术方案:一种光掩模板二次曝光方法,包括:

3、对需要第二次曝光的光掩模板进行电子束扫描诱本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光掩模板二次曝光方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的光掩模板二次曝光方法,其特征在于,所述光掩模板包括石英层、铬层及硅化钼层,所述铬层及硅化钼层设置于所述石英层上。

3.根据权利要求1所述的光掩模板二次曝光方法,其特征在于,所述电子束对光掩模板扫描诱导碳沉积包括:所述电子束对光掩模板的对位区域图形表面进行扫描。

4.根据权利要求3所述的光掩模板二次曝光方法,其特征在于,所述电子束扫描诱导碳沉积在低真空环境下进行。

5.根据权利要求1-4任一项所述的光掩模板二次曝光方法,其特征在于,所述光掩模板进行第二次曝光包括:...

【技术特征摘要】

1.一种光掩模板二次曝光方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的光掩模板二次曝光方法,其特征在于,所述光掩模板包括石英层、铬层及硅化钼层,所述铬层及硅化钼层设置于所述石英层上。

3.根据权利要求1所述的光掩模板二次曝光方法,其特征在于,所述电子束对光掩模板扫描诱导碳沉积包括:所述电子束对光掩模板的对位区域图形表面进行扫描。

4.根据权利要求3所述的光掩模板二次曝光方法,其特征在于,所述电子束扫描诱导碳沉积在低真空环境下进行。

5.根据权利要求1-4任一项所述的光...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗嘉盈施维郑怀志陆世林柳仙蓉
申请(专利权)人:广州新锐光掩模科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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