【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，具体涉及一种相移光掩模版的制备方法、装置及光刻方法。
技术介绍
1、光掩模版作为芯片生产制造过程中不可或缺的治具之一,其主要作用是协助形成芯片所需图形。光掩模版主要包含二元光掩模版和相移光掩模版。随着科学技术的发展，芯片精度要求的提升，对于光掩模版的图形尺寸精度要求也随之提高，尤其是应用于高精度芯片制造的相移光掩模版。
2、采用关键尺寸测量来对产品线宽等进行精确控制，关键尺寸可以用来确定半导体制造工艺中关键环节的不稳定性，相移光掩模版中图形关键尺寸(cd，criticaldimension)的尺寸精度会影响芯片制程过程中图形的尺寸精确度，从而影响芯片生产制造的良率。
3、因此，需要一种新的相移光掩模版的制备及应用的方案。
技术实现思路
1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种相移光掩模版的制备方法、装置及光刻方法。
2、本说明书实施例提供以下技术方案：
3、本说明书实施例提供一种相移光掩模版的制备方法，所述相移光掩模版的制备方法包括：
4、对第一刻蚀层刻蚀后的结构进行关键尺寸量测；
5、根据所述关键尺寸量测分析，获得量测结果；
6、根据所述量测结果，调整工艺参数，对第二刻蚀层进行刻蚀及进行关键尺寸量测，并获得目标相移光掩模版。
7、本说明书实施例还提供一种相移光掩模版的制备装置，所述相移光掩模版的制备装置包括：
8、量测模块，用于对第一刻蚀层刻蚀后的结构进行
9、分析模块，用于根据所述关键尺寸量测分析，获得量测结果；
10、调整模块，用于根据所述量测结果，调整工艺参数，对第二刻蚀层进行刻蚀及进行关键尺寸量测，并获得目标相移光掩模版。
11、本说明书实施例还提供一种光刻方法，采用本说明书实施例提供的任一方案所述的相移光掩模版在晶圆上进行光刻，获得目标图形。
12、与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
13、本说明书实施例通过优化工艺，在第一刻蚀层刻蚀后增加cd量测，不仅可以及时发现cd error，还通过动态调整刻蚀配方来适配调整相移光掩模版图形关键尺寸，这样有效防止前段制程cd error向后传递，最终来提升相移光掩模版尺寸精度。无需如现有技术若相移光掩模版图形关键尺寸的vtt表现差时，重新更新所有制作工艺条件来不断重复尝试来进行制备及应用等。
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1.一种相移光掩模版的制备方法，其特征在于，所述相移光掩模版的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的相移光掩模版的制备方法，其特征在于，所述根据量测结果，调整工艺参数，包括：
3.根据权利要求2所述的相移光掩模版的制备方法，其特征在于，所述相移光掩模版的制备方法还包括：
4.根据权利要求3所述的相移光掩模版的制备方法，其特征在于，所述相移光掩模版的制备方法还包括：
5.根据权利要求1所述的相移光掩模版的制备方法，其特征在于，工艺参数包括：射频能量、气体配比及刻蚀时间；
6.根据权利要求2所述的相移光掩模版的制备方法，其特征在于，所述相移光掩模版的制备方法还包括：
7.根据权利要求6所述的相移光掩模版的制备方法，其特征在于，所述相移光掩模版的制备方法还包括：
8.根据权利要求5所述的相移光掩模版的制备方法，其特征在于，源功率为100-500W，偏置功率为0-100W。
9.一种相移光掩模版的制备装置，其特征在于，所述相移光掩模版的制备装置包括：
10.一种光刻方法，其特征在
...【技术特征摘要】
1.一种相移光掩模版的制备方法，其特征在于，所述相移光掩模版的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的相移光掩模版的制备方法，其特征在于，所述根据量测结果，调整工艺参数，包括：
3.根据权利要求2所述的相移光掩模版的制备方法，其特征在于，所述相移光掩模版的制备方法还包括：
4.根据权利要求3所述的相移光掩模版的制备方法，其特征在于，所述相移光掩模版的制备方法还包括：
5.根据权利要求1所述的相移光掩模版的制备方法，其特征在于，工艺参数包括：射频能量、气体配比及刻蚀时间；
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【专利技术属性】
技术研发人员：周家华，郑怀志，施维，甘裕明，
申请(专利权)人：广州新锐光掩模科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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