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本申请提供一种相移光掩模版的制备方法、装置及光刻方法，其中相移光掩模版的制备方法包括：对第一刻蚀层刻蚀后的结构进行关键尺寸量测；根据所述关键尺寸量测分析，获得量测结果；根据所述量测结果，调整工艺参数，对第二刻蚀层进行刻蚀及进行关键尺寸量测，...
该专利属于广州新锐光掩模科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州新锐光掩模科技有限公司授权不得商用。

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