【技术实现步骤摘要】
本申请涉及相移掩模版的应用，具体涉及一种调整相移掩模版相位差和穿透率的方法及系统。
技术介绍
1、掩模版作为集成电路生产的关键器件之一，随着半导体科学技术的不断发展，对光刻分辨率的要求也随之提高。相移掩模版可通过改变光束相位来提高光刻分辨率，其基本原理是通过改变掩模版结构，使得透过相邻透光区域的光波产生180度的相位差和6％的穿透率。相移掩模版的相位差直接受相移层厚度的影响。
2、目前控制相位差的主要方式是控制对相移层的蚀刻时间，对相移层干法蚀刻的时间直接决定了初始的相位，要达到理想的相位差需要严格控制其时间。
3、相位差和穿透率会影响芯片在曝光过程中光掩模图形的分辨率，从而影响芯片生产制造的精确度，这对相移掩模版的相位差和穿透率精度有要求，因此需要解决相移掩模版相位差和透射率如何根据实际作安全调整的问题。
4、基于此，需要一种新技术方案。
技术实现思路
1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种调整相移掩模版相位差和穿透率的方法及系统。
2、本说明书实施例提供以下技术方案：
3、本说明书实施例提供一种调整相移掩模版相位差和穿透率的方法，包括：
4、对于相移层上已生成氧化层的相移掩模版，通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度，以调整相移掩模版相位差和穿透率。
5、优选的，通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度，包括
6、通过含氟干法蚀刻对相移层应去除部位对应的氧化层进行蚀刻；
7、在露出相移层应去除部位后，从相移层应去除部位露出处通过含氧干法蚀刻对相移层应去除部位进行蚀刻，控制相移层厚度；
8、在蚀刻掉相移层应去除部位后因含氧干法蚀刻作用，在相移层的蚀刻位置重新生成氧化层。
9、优选的，通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度，包括：
10、通过含氟干法蚀刻对相移层应去除部位对应的氧化层进行蚀刻；
11、在露出相移层应去除部位后，继续从相移层应去除部位露出处通过含氟干法蚀刻对相移层应去除部位的一部分进行蚀刻，在蚀刻掉相移层应去除部位的一部分后，通过含氧干法蚀刻对相移层应去除部位的另一部分进行蚀刻，控制相移层厚度；
12、在蚀刻掉相移层应去除部位后因含氧干法蚀刻作用，在相移层的蚀刻位置重新生成氧化层。
13、优选的，在通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层中，包括：所述含氟干法蚀刻为含氟等离子体干法蚀刻；所述含氧干法蚀刻为含氧等离子体干法蚀刻。
14、优选的，在通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度中，包括：使用的含氟等离子体的氟含量占比范围为3％至30％，使用含氧等离子体的氧含量占比范围为5％至20％，并选择蚀刻时间，控制相移层厚度。
15、本说明书实施例还提供一种调整相移掩模版相位差和穿透率的系统，包括控制调整模块：对于相移层上已生成氧化层的相移掩模版，通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度，以调整相移掩模版相位差和穿透率。
16、优选的，在所述控制调整模块中，通过含氟干法蚀刻对相移层应去除部位对应的氧化层进行蚀刻；
17、在露出相移层应去除部位后，从相移层应去除部位露出处通过含氧干法蚀刻对相移层应去除部位进行蚀刻，控制相移层厚度；
18、在蚀刻掉相移层应去除部位后因含氧干法蚀刻作用，在相移层的蚀刻位置重新生成氧化层。
19、优选的，在所述控制调整模块中，通过含氟干法蚀刻对相移层应去除部位对应的氧化层进行蚀刻；
20、在露出相移层应去除部位后，继续从相移层应去除部位露出处通过含氟干法蚀刻对相移层应去除部位的一部分进行蚀刻，在蚀刻掉相移层应去除部位的一部分后，通过含氧干法蚀刻对相移层应去除部位的另一部分进行蚀刻，控制相移层厚度；
21、在蚀刻掉相移层应去除部位后因含氧干法蚀刻作用，在相移层的蚀刻位置重新生成氧化层。
22、优选的，在所述控制调整模块中，所述含氟干法蚀刻为含氟等离子体干法蚀刻；所述含氧干法蚀刻为含氧等离子体干法蚀刻。
23、优选的，在所述控制调整模块中，使用的含氟等离子体的氟含量占比范围为3％至30％，使用含氧等离子体的氧含量占比范围为5％至20％，并选择蚀刻时间，控制相移层厚度。
24、与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：
25、本申请可以安全实现改善相移掩模版相位差和穿透率偏差问题，利用含氟等离子体对相移层上的氧化层的蚀刻作用将其去除，而含氧等离子体的氧化作用可使氧化层重新形成，控制相移层的厚度，以此实现对相位差和穿透率的调整，不影响图形形态和关键尺寸，提高精确度和光刻分辨率。
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1.一种调整相移掩模版相位差和穿透率的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的调整相移掩模版相位差和穿透率的方法，其特征在于，通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度，包括：
3.根据权利要求1所述的调整相移掩模版相位差和穿透率的方法，其特征在于，通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度，包括：
4.根据权利要求1所述的调整相移掩模版相位差和穿透率的方法，其特征在于，在通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层中，包括：所述含氟干法蚀刻为含氟等离子体干法蚀刻；所述含氧干法蚀刻为含氧等离子体干法蚀刻。
5.根据权利要求4所述的调整相移掩模版相位差和穿透率的方法，其特征在于，在通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度中，包括：使用的含氟等离子体的氟含量占比范围为3％至30％，使用含氧等离子体的氧含量占比范围为5％至20％，并选择蚀刻时间，控制相移层厚度。
6.一种调整相移掩
7.根据权利要求6所述的调整相移掩模版相位差和穿透率的系统，其特征在于，在所述控制调整模块中，通过含氟干法蚀刻对相移层应去除部位对应的氧化层进行蚀刻；
8.根据权利要求6所述的调整相移掩模版相位差和穿透率的系统，其特征在于，在所述控制调整模块中，通过含氟干法蚀刻对相移层应去除部位对应的氧化层进行蚀刻；
9.根据权利要求6所述的调整相移掩模版相位差和穿透率的系统，其特征在于，在所述控制调整模块中，所述含氟干法蚀刻为含氟等离子体干法蚀刻；所述含氧干法蚀刻为含氧等离子体干法蚀刻。
10.根据权利要求9所述的调整相移掩模版相位差和穿透率的系统，其特征在于，在所述控制调整模块中，使用的含氟等离子体的氟含量占比范围为3％至30％，使用含氧等离子体的氧含量占比范围为5％至20％，并选择蚀刻时间，控制相移层厚度。
...【技术特征摘要】
1.一种调整相移掩模版相位差和穿透率的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的调整相移掩模版相位差和穿透率的方法，其特征在于，通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度，包括：
3.根据权利要求1所述的调整相移掩模版相位差和穿透率的方法，其特征在于，通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度，包括：
4.根据权利要求1所述的调整相移掩模版相位差和穿透率的方法，其特征在于，在通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层中，包括：所述含氟干法蚀刻为含氟等离子体干法蚀刻；所述含氧干法蚀刻为含氧等离子体干法蚀刻。
5.根据权利要求4所述的调整相移掩模版相位差和穿透率的方法，其特征在于，在通过含氟干法蚀刻去除氧化层，通过含氧干法蚀刻生成氧化层，通过蚀刻作用控制相移层的厚度中，包括：使用的含氟等离子体的氟含量占比范围为3％至30％，使用含氧等离子体的氧含量占比范围为5％至20％，并选择蚀刻时间，控制相移层厚度。
6.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：柳仙蓉，施维，郑怀志，罗嘉盈，黄偲，甘裕明，
申请(专利权)人：广州新锐光掩模科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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