光掩膜版及其制作方法技术

一种光掩膜版及其形成方法，其中所述形成方法包括：提供透明基板，所述透明基板包括中间区域和环绕所述中间区域的边缘区域；在所述透明基板的中间区域表面上形成若干分立的遮蔽图形；提供环形框架，将所述环形框架粘附在所述透明基板的边缘区域表面，所述环形框架包围所述遮蔽图形；在所述环形框架中填充二氧化硅气凝胶层，所述二氧化硅气凝胶层覆盖所述遮蔽图形以及透明基板的中间区域表面；在所述环形框架的顶部表面形成封闭环形框架内部空间的保护膜。本申请的方法能防止“灰霾”缺陷的产生。生。生。

【技术实现步骤摘要】
光掩膜版及其制作方法


[0001]本申请涉及光掩膜版领域，尤其涉及一种能防止“灰霾”缺陷产生的光掩膜版及其制作方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺是集成电路制造工艺中不可或缺的重要技术。光刻工艺通常包括步骤：先在晶圆表面涂布光刻胶等感光材料，在光刻胶材料干燥后，通过曝光机将光掩模版上的掩模图形以特定光源曝在所述的光刻胶感光材料上，随后，再以显影剂将光刻胶感光材料显影，在晶圆表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形在后续进行离子注入工艺或刻蚀工艺时作为掩膜图形。
[0003]现有的光罩防护膜结构一般包括：透明基板；位于所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形(或掩膜图形)；位于所述透明基板表面上的环形框架，所述环形框架包围所述遮蔽图形；位于所述环形框架顶部表面的保护膜，所述保护膜和环形框架用于密封所述光掩膜版。
[0004]但是现有的光掩膜版在使用的过程中，光掩模版上会形成异物状生长缺陷，这些生长缺陷也称为“灰霾”，影响了曝光的精度和准确性。

技术实现思路

[0005]本申请一些实施例提供了一种光掩膜版的制作方法，包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：提供透明基板，所述透明基板包括中间区域和环绕所述中间区域的边缘区域；在所述透明基板的中间区域表面上形成若干分立的遮蔽图形；提供环形框架，将所述环形框架粘附在所述透明基板的边缘区域表面，所述环形框架包围所述遮蔽图形；在所述环形框架中填充二氧化硅气凝胶层，所述二氧化硅气凝胶层覆盖所述遮蔽图形以及透明基板的中间区域表面；在所述环形框架的顶部表面形成封闭环形框架内部空间的保护膜。2.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅气凝胶层的折射率<1.01，透光率>＝90％，孔径粒径为1～6nm，密度＜3kg/m3，二氧化硅气凝胶层高度小于或等于所述金属框架高度。3.如权利要求1或2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅气凝胶层的形成工艺包括溶胶凝胶法、溶剂沉积法或化学气相沉积法。4.如权利要求3所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述溶胶凝胶法采用的硅源包括正硅酸甲酯、正硅酸乙酯、硅溶胶或水玻璃。5.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述二氧化硅气凝胶层用于吸附铵根离子和硫酸根离子以及污染颗粒，防止光掩膜版的中间区域表...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁耀亮，
申请(专利权)人：睿晶半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：