掩模版图的处理方法、电子设备及存储介质技术

本公开的示例实施例提供了掩模版图的处理方法、电子设备及存储介质。该方法包括获得与掩模版图对应的曝光能量分布图；基于曝光能量分布图，确定掩模版图中的表示曝光能量的分布状态的至少两组分布区域；以及对与至少两组分布区域分别对应的曝光能量分布图进行变换，以生成与所述掩模版图对应的曝光能量分布变换图。本公开的实施例能够通过对掩模版图进行处理，高效地生成大量的电镜图，克服了已知方案成本高、效率低的缺陷。效率低的缺陷。效率低的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
掩模版图的处理方法、电子设备及存储介质


[0001]本公开的实施例主要涉及半导体领域，并且更具体地，涉及掩模版图的处理方法、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]电子设计自动化(Electronic design automation，EDA)过程中或者EDA设计或设备制造公司需要验证EDA良率工具或设备(通常为光刻缺陷检测设备)的有效性，为此需要大量扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)图片(以下简称SEM图或电镜图)进行验证。即，需要大量电镜图来验证光刻缺陷检测设备是否能够检查出电镜图中的缺陷。然而，电镜图通常通过实际的光刻来获取，无论时间成本还是经济成本都非常高。
[0003]因此，需要改进的生成电镜图的方案。

技术实现思路

[0004]根据本公开的示例实施例，提供了一种掩模版图的处理方案，以至少部分克服上述或者其他潜在缺陷。
[0005]在本公开的第一方面，提供一种掩模版图的处理方法。该方法包括：获得与掩模版图对应的曝光能量分布图；基于曝光能量分布图，确定掩模版图中的表示曝光能量分布状态的至少两组分布区域；以及对与至少两组分布区域分别对应的曝光能量分布图进行变换，以生成与所述掩模版图对应的曝光能量分布变换图。
[0006]在本公开的第二方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器以及与处理器耦合的存储器，存储器具有存储于其中的指令，指令在被处理器执行时使设备执行动作。该动作包括：获得与掩模版图对应的曝光能量分布图；基于曝光能量分布，确定掩模版图中的表示曝光能量分布状态的至少两组分布区域；以及对与至少两组分布区域分别对应的曝光能量分布进行变换，以生成与所述掩模版图对应的曝光能量分布变换图。
[0007]在一些实施例中，获得与掩模版图对应的曝光能量分布图包括：对掩模版图进行光刻仿真，以生成与掩模版图对应的曝光能量分布图。
[0008]在一些实施例中，对掩模版图进行光刻仿真，以生成与掩模版图对应的曝光能量分布图包括：设置光刻仿真模型的参数，其中参数至少包括光源和光刻胶；以及利用光刻仿真模型对掩模版图进行光刻仿真，以生成与掩模版图对应的曝光能量分布图；其中，曝光能量分布图是由掩模版图中每个曝光点的能量数值构成的能量分布矩阵。
[0009]在一些实施例中，基于曝光能量分布图，确定掩模版图中的表示曝光能量的分布状态的至少两组分布区域包括：响应于曝光能量分布图的能量数值与至少一个预定阈值进行比较，确定至少两组曝光能量分布范围；以及将掩模版图中分别对应于每一组曝光能量分布范围的区域确定为曝光能量分布状态的分布区域。
[0010]在一些实施例中，将掩模版图中分别对应于每一组曝光能量分布范围的区域确定为曝光能量分布状态的分布区域包括：在第一能量数值大于第一阈值时，将对应于的第一
能量分布范围的分布区域确定为图形区域，其中第一能量数值为与曝光能量分布图中的与第一能量分布范围对应的能量数值；在第二能量数值大于第二阈值并且小于第一阈值时，将对应于第二能量分布范围的分布区域确定为图形边界模糊区域，其中第二能量数值为与曝光能量分布图中的与第二能量分布范围对应的能量数值；以及在第三能量数值小于第二阈值时，将对应于第三曝光能量分布范围的分布区域确定为非图形区域，其中第三能量数值为与曝光能量分布图中的与第三能量分布范围对应的能量数值。
[0011]在一些实施例中，对与所述至少两组分布区域分别对应的所述曝光能量分布图进行变换包括：将每组分布区域分别对应的曝光能量分布图分别变换为灰度图像；将变换后的灰度图像作为对应的电镜图。
[0012]在一些实施例中，将每组分布区域分别对应的曝光能量分布图变换为灰度图像包括：将曝光能量分布图的能量数值由0至1之间的浮点值变换为0至255之间的整数值。
[0013]在一些实施例中，将每一两组分布区域分别对应的所述曝光能量分布图变换为灰度图像包括：将第一能量数值乘以第一系数，以将第一能量数值变换到255附近并小于255的整数值；将第二能量数值乘以第二系数，其中第二系数小于或等于第一系数；以及将第三能量数值乘以第三系数，以将第三能量数值变换到0附近并大于0的整数值，其中第三系数小于第二系数。
[0014]在一些实施例中，将每组分布区域分别对应的所述曝光能量分布图分别变换为灰度图像包括：利用公式G1(k,j)＝X1*I1(k,j)对第一能量数值进行变换，其中，I1(k,j)表示曝光能量分布图中的曝光能量点的第一曝光值，第一曝光值属于第一能量数值，X1为第一系数，取值为255/Imax，Imax为能量分布图中曝光能量最大值，G1(k,j)为进行第一变换后的相应像素点的值；利用公式G2(k,j)＝X2*I2(k,j)对第二能量数值进行第二变换，其中，I2(k,j)表示曝光能量分布图中的曝光能量点的第二曝光值，第二曝光值属于第二能量数值，X2为第二系数，取值为255/A，A为第一阈值，其中第二系数X2小于或等于第一系数X1，G2(k,j)为进行第二变换后的相应像素点的值；以及将第三能量数值保持不变。
[0015]在一些实施例中，通过机器学习方法对电镜图进行训练，以生成新的电镜图，用于验证光刻缺陷检测设备。
[0016]在本公开的第三方面中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的方法。
[0017]本公开实施例的方案，能够高效地生成大量的电镜图，克服了已知方案成本高、效率低的缺陷。
[0018]应当理解，
技术实现思路
部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。
附图说明
[0019]结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素，其中：
[0020]图1示出了本公开的实施例能够在其中实现的示例环境的示意图；
[0021]图2示出了根据本公开的一些实施例的掩模版图的处理方法的流程图；
[0022]图3示出了根据本公开的一些实施例的原始掩模板图的示意图；
[0023]图4示出了根据本公开的实施例所生成的电镜图的示意图；以及
[0024]图5示出了能够实施本公开的多个实施例的计算设备的框图。
具体实施方式
[0025]下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例，然而应当理解的是，本公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本公开的保护范围。
[0026]在本公开的实施例的描述中，术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模版图的处理方法，包括：获得与掩模版图对应的曝光能量分布图；基于所述曝光能量分布图，确定所述掩模版图中的表示曝光能量分布状态的至少两组分布区域；以及对与所述至少两组分布区域分别对应的所述曝光能量分布图进行变换，以生成与所述掩模版图对应的曝光能量分布变换图。2.根据权利要求1所述的方法，其中获得与掩模版图对应的曝光能量分布图包括：对掩模版图进行光刻仿真，以生成与所述掩模版图对应的曝光能量分布图。3.根据权利要求2所述的方法，其中对掩模版图进行光刻仿真，以生成与所述掩模版图对应的曝光能量分布图包括：设置光刻仿真模型的参数，其中所述参数至少包括光源和光刻胶；以及利用所述光刻仿真模型对所述掩模版图进行光刻仿真，以生成与所述掩模版图对应的所述曝光能量分布图；其中，所述曝光能量分布图是由所述掩模版图中每个曝光点的能量数值构成的能量分布矩阵。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的方法，其中基于所述曝光能量分布图，确定所述掩模版图中的表示曝光能量的分布状态的至少两组分布区域包括：响应于所述曝光能量分布图的能量数值与至少一个预定阈值进行比较，确定至少两组曝光能量分布范围；以及将所述掩模版图中分别对应于每一组曝光能量分布范围的区域确定为曝光能量分布状态的分布区域。5.根据权利要求4所述的方法，其中将所述掩模版图中分别对应于每一组曝光能量分布范围的区域确定为曝光能量分布状态的分布区域包括：在第一能量数值大于第一阈值时，将对应于第一能量分布范围的所述分布区域确定为图形区域，其中，第一能量数值为所述曝光能量分布图中的与所述第一能量分布范围对应的能量数值；在第二能量数值大于第二阈值并且小于所述第一阈值时，将对应于所述第二能量分布范围的所述分布区域确定为图形边界模糊区域，其中，所述第二能量数值为所述曝光能量分布图中的与第二能量分布范围对应的能量数值；以及在第三能量数值小于所述第二阈值时，将对应于第三曝光能量分布范围的所述分布区域确定为非图形区域，其中，所述第三能量数值为所述曝光能量分布图中的与所述第三能量分布范围对应的能量数值。6.根据权利要求5所述的方法，其中对与所述至少两组分布区域分别对应的所述曝光能量分布图进行变换包括：将每组分布区域分别对应的所述曝光能量分布图分别变换为灰度图像；以及将变换后的灰度图像作为对应的电镜图。7.根据权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：