光掩膜版及其制作方法技术

一种光掩膜版及其形成方法，其中所述形成方法包括，提供透明基板后，刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽；在所述第一沟槽中填充满不透光材料，形成遮蔽图形。本申请形成的遮蔽图形位于第一沟槽中，即遮蔽图形深入所述透明基板中遮蔽图形的厚度能较厚，当曝光光线透过透明基板入射到遮蔽图形的边缘时，能防止或减少发生光的散射和/或折射等现象，能防止或减少曝光光线向遮蔽图形底部的不透光区域，提高了曝光后光刻胶层(采用本申请的光掩模版进行曝光)中形成的光刻图形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌。形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌。形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌。

【技术实现步骤摘要】
光掩膜版及其制作方法


[0001]本申请涉及光掩膜版领域，尤其涉及一种能防止静电产生的光掩膜版及其制作方法。

技术介绍

[0002]光刻工艺是集成电路制造工艺中不可或缺的重要技术。光刻工艺通常包括步骤：先在晶圆表面涂布光刻胶等感光材料，在光刻胶材料干燥后，通过曝光机将光掩模版上的掩模图形以特定光源曝在所述的光刻胶感光材料上，随后，再以显影剂将光刻胶感光材料显影，在晶圆表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形在后续进行离子注入工艺或刻蚀工艺时作为掩膜图形。
[0003]现有的光掩膜版一般包括：透明基板；位于所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形(或掩膜图形)；位于所述透明基板表面上的环形框架，所述环形框架包围所述遮蔽图形；位于所述环形框架顶部表面的保护膜，所述保护膜和环形框架用于密封所述光掩膜版。
[0004]但是随着微影技术的极限被推向了制造采用深亚微米节点技术的器件，光掩膜技术面临着极大的挑战。光掩膜版的品质与性能必须能在更高端的复杂技术环境中维持下去，包括图形尺寸精度：绝对精度、CD均匀性、CD线形等。然而在进行光刻的过程中，光掩膜版中不透光的遮蔽图形的四周边缘，会发生光的散射，折射等现象，光量子散开，向定义的不透光区域移动，影响了光刻胶层中形成的光刻图形的精度。

技术实现思路

[0005]本申请一些实施例提供了一种光掩膜版的制作方法，包括：
[0006]提供透明基板；
[0007]刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽；
[0008]在所述第一沟槽中填充满不透光材料，形成遮蔽图形。
[0009]在一些实施例中，所述遮蔽图形的顶部表面与所述透明基板的表面齐平或者高于所述透明基板的表面。
[0010]在一些实施例中，所述遮蔽图形的顶部表面与所述透明基板的表面齐平时，所述遮蔽图形的形成过程包括：形成填充满所述第一沟槽以及覆盖所述透明基板的表面的遮蔽图形薄膜；采用化学机械研磨工艺去除所述透明基板的表面上遮蔽图形薄膜，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形。
[0011]在一些实施例中，在形成第一沟槽后，还包括：沿所述第一沟槽的底部四周刻蚀继续刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成环形的第二沟槽，所述环形的第二沟槽与所述第一沟槽的底部四周连通，且所述环形的第二沟槽位于所述第一沟槽的底部四周下方；在所述第一沟槽和环形的第二沟槽中填充满不透光材料，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形，在所述环形的第二沟槽中形成与所述遮蔽图形底部四周连接的环形的深沟槽结构，所
述环形的深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动。
[0012]在一些实施例中，所述第一沟槽在所述环形的第二沟槽之前形成或者在所述环形的第二沟槽之后形成。
[0013]在一些实施例中，在形成第一沟槽之前，在所述透明基板表面上形成第一图形化的掩膜层，所述第一图形化的掩膜层具有暴露出所述透明基板的部分表面的若干第一开口；以所述图形化的第一掩膜层为掩膜，沿所述第一开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽。
[0014]在一些实施例中，在形成环形的第二沟槽之前，在所述透明基板表面上形成第二图形化的掩膜层，所述第二图形化的掩膜层具有暴露出所述第一沟槽底部四周表面的环形的第二开口；以所述图形化的第二掩膜层为掩膜，沿所述第二开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成环形的第二沟槽。
[0015]在一些实施例中，所述不透光材料的材料为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂中的一种或几种，或者为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂、氧化铬、氧化铁、氧化铌、氮化铬、三氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳、碳氧化硅、中性氧化铝、氧化铝中的一种或几种。
[0016]在一些实施例中，所述第一沟槽的深度为50nm
‑
1000nm，所述环形的第二沟槽的深度为1.5um
‑
2.5um。
[0017]在一些实施例中，还包括：在所述透明基板边缘区域表面上形成环绕所述遮蔽图形的环形框架；在所述环形框架的顶部表面形成封闭所述环形框架内空间的保护膜。
[0018]本申请一些实施例还提供了一种光掩膜版，包括：
[0019]透明基板；
[0020]位于所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽；
[0021]填充满所述第一沟槽的遮蔽图形。
[0022]在一些实施例中，所述遮蔽图形的顶部表面与所述透明基板的表面齐平或者高于所述透明基板的表面。
[0023]在一些实施例中，还包括：位于所述第一沟槽的底部四周下方的透明基板中环形的第二沟槽，所述环形的第二沟槽与所述第一沟槽的底部四周连通；位于所述第一沟槽中的遮蔽图形；位于所述环形的第二沟槽中的环形的深沟槽结构，所述环形的深沟槽结构与所述遮蔽图形底部四周连接，所述环形的深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动。
[0024]在一些实施例中，所述遮蔽图形和深沟槽结构的材料为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂中的一种或几种，或者为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂、氧化铬、氧化铁、氧化铌、氮化铬、三氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳、碳氧化硅、中性氧化铝、氧化铝中的一种或几种。
[0025]在一些实施例中，所述第一沟槽的深度为50nm
‑
1000nm，所述环形的第二沟槽的深度为1.5um
‑
2.5um。
[0026]在一些实施例中，还包括：位于所述透明基板边缘区域表面上的绕所述遮蔽图形
的环形框架；位于所述环形框架的顶部表面的封闭所述环形框架内空间的保护膜。
[0027]本申请前述一些实施例中的光掩膜版的形成方法，提供透明基板后，刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽；在所述第一沟槽中填充满不透光材料，形成遮蔽图形。本申请形成的遮蔽图形位于第一沟槽中，即遮蔽图形深入所述透明基板中遮蔽图形的厚度能较厚，当曝光光线透过透明基板入射到遮蔽图形的边缘时，能防止或减少发生光的散射和/或折射等现象，能防止或减少曝光光线向遮蔽图形底部的不透光区域，提高了曝光后光刻胶层(采用本申请的光掩模版进行曝光)中形成的光刻图形的位置和尺寸精度以及保持较好的侧壁形貌。并且本申请的遮蔽图形由于深入透明基板中，与透明基板的存在多个接触面，使得遮蔽图形与透明基板连接紧密，遮蔽图形不易脱落和变形。
[0028]进一步，在一些实施例中，所述遮蔽图形的顶部表面与所述透明基板的表面齐平，所述遮蔽图形的形成过程包括：形成填充满所述第一沟槽以及覆盖所述透明基板的表面的遮蔽图形薄膜；采用化学机械研磨工艺去除所述透明基板的表面上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：提供透明基板；刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽；在所述第一沟槽中填充满不透光材料，形成遮蔽图形。2.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述遮蔽图形的顶部表面与所述透明基板的表面齐平或者高于所述透明基板的表面。3.如权利要求2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述遮蔽图形的顶部表面与所述透明基板的表面齐平时，所述遮蔽图形的形成过程包括：形成填充满所述第一沟槽以及覆盖所述透明基板的表面的遮蔽图形薄膜；采用化学机械研磨工艺去除所述透明基板的表面上遮蔽图形薄膜，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形。4.如权利要求1或2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，在形成第一沟槽后，还包括：沿所述第一沟槽的底部四周刻蚀继续刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成环形的第二沟槽，所述环形的第二沟槽与所述第一沟槽的底部四周连通，且所述环形的第二沟槽位于所述第一沟槽的底部四周下方；在所述第一沟槽和环形的第二沟槽中填充满不透光材料，在所述第一沟槽中形成遮蔽图形，在所述环形的第二沟槽中形成与所述遮蔽图形底部四周连接的环形的深沟槽结构，所述环形的深沟槽结构用于防止曝光光线在所述遮蔽图形的四周边缘产生的散射和/或折射后，向所述遮蔽图形底部的不透光区域移动。5.如权利要求4所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述第一沟槽在所述环形的第二沟槽之前形成或者在所述环形的第二沟槽之后形成。6.如权利要求5所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，在形成第一沟槽之前，在所述透明基板表面上形成第一图形化的掩膜层，所述第一图形化的掩膜层具有暴露出所述透明基板的部分表面的若干第一开口；以所述图形化的第一掩膜层为掩膜，沿所述第一开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成若干分立的第一沟槽。7.如权利要求6所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，在形成环形的第二沟槽之前，在所述透明基板表面上形成第二图形化的掩膜层，所述第二图形化的掩膜层具有暴露出所述第一沟槽底部四周表面的环形的第二开口；以所述图形化的第二掩膜层为掩膜，沿所述第二开口刻蚀所述透明基板，在所述透明基板中形成环形的第二沟槽。8.如权利要求4所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述不透光材料的材料为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、钨、银、铂中的一种或几种，或者为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、铜、...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁耀亮，
申请(专利权)人：睿晶半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：