吸嘴制造技术

本公开涉及吸嘴。该吸嘴包括：吸嘴的底面具有凹陷结构，凹陷结构用于容纳突起部，凹陷结构的深度大于或者等于突起部的高度。该吸嘴能够利用凹陷结构避让目标物体的突起部，使得吸嘴的底面与目标物体的平整区域充分接触，从而形成真空环境，增大吸嘴吸附不平整表面时的吸附力，提高封装的速度和质量。提高封装的速度和质量。提高封装的速度和质量。

【技术实现步骤摘要】
吸嘴


[0001]本公开涉及半导体封装
，具体涉及吸嘴。

技术介绍

[0002]硅光子(Silicon photonics，SiPh)技术因有高传输速度和低功耗等优点，而具有较好的应用前景。硅光子技术可应用在光通讯相关领域，例如服务器或者光达(光学雷达)等设备中。
[0003]硅光子技术中的电子元件通常具有硅通孔(Through Silicon Via，TSV)，使其表面多为不平整表面。现有封装技术中的吸嘴多个平面设计，用于吸附平整的芯片表面，将其用于吸附硅光子技术的不平整表面时会出现吸力不足等问题，影响封装的效率和质量。
[0004]因此，有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。

技术实现思路

[0005]本公开提供了一种吸嘴。
[0006]本公开提供的吸嘴，用于吸附表面具有突起部的目标物体，所述吸嘴的底面具有凹陷结构，所述凹陷结构用于容纳所述突起部，所述凹陷结构的深度大于或者等于所述突起部的高度。
[0007]在一些可选的实施方式中，所述凹陷结构包括至少两个腔室，所述突起部包括至少两个突起区域，每个所述腔室用于容纳相应的所述突起区域。
[0008]在一些可选的实施方式中，所述至少两个腔室相互连通。
[0009]在一些可选的实施方式中，所述凹陷结构的四周形成边缘支撑部，所述边缘支撑部用于抵接所述目标物体的边缘区域。
[0010]在一些可选的实施方式中，所述凹陷结构内设置有间隔部，所述间隔部将所述凹陷结构分隔为至少两个腔室，所述间隔部用于抵接所述目标物体上不同所述突起区域之间的间隔区域。
[0011]在一些可选的实施方式中，所述凹陷结构的宽度大于所述突起部的宽度。
[0012]在一些可选的实施方式中，所述凹陷结构的底面设置有真空吸附孔。
[0013]在一些可选的实施方式中，每个所述腔室的底面设置有相应的真空吸附孔。
[0014]在一些可选的实施方式中，各所述腔室的底面面积之和大于各所述真空吸附孔的横截面积之和。
[0015]在一些可选的实施方式中，所述凹陷结构的宽度小于所述目标物体的宽度。
[0016]在本公开提供的吸嘴中，通过在吸嘴底面设置用于容纳突起部的凹陷结构，能够利用凹陷结构避让目标物体的突起部，使得吸嘴的底面与目标物体的平整区域充分接触，从而形成真空环境，增大吸嘴吸附不平整表面时的吸附力，提高封装的速度和质量。
附图说明
[0017]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0018]图1A为具有突起部的目标物体的示意图；
[0019]图1B为现有技术中吸嘴的示意图；
[0020]图1C为图1B中的吸嘴吸附目标物体的示意图；
[0021]图2和图3为根据本公开实施例的吸嘴的第一实施例的示意图；
[0022]图4和图5为根据本公开实施例的吸嘴的第二实施例的示意图；
[0023]图6为不同吸嘴的底面结构示意图；
[0024]图7为根据本公开实施例的半导体封装过程的示意图；
[0025]图8为现有技术的半导体封装装置中元件接合效果的示意图；
[0026]图9为根据本公开实施例的半导体封装装置中元件接合效果的示意图。
[0027]符号说明：
[0028]11、吸嘴；12、底面；13、真空吸附孔；100、目标物体；110、突起部；111、第一突起区域；112、第二突起区域；113、第三突起区域；114、第四突起区域；120、间隔区域；200、吸嘴；210、凹陷结构；211、第一腔室；212、第二腔室；213、第三腔室；214、第四腔室；220、边缘支撑部；230、真空吸附孔；240、间隔部；250、连通空间；261、交叉沟槽；263、延伸沟槽；310、第一晶圆；320、第一芯片；400、基板；500、第二芯片；600、接合处；910、底部填充材；920、粘合胶。
具体实施方式
[0029]下面结合附图和实施例对说明本公开的具体实施方式，通过本说明书记载的内容本领域技术人员可以轻易了解本公开所解决的技术问题以及所产生的技术效果。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关技术，而非对该技术的限定。另外，为了便于描述，附图中仅示出了与有关技术相关的部分。
[0030]需要说明的是，说明书附图中所绘示的结构、比例、大小等，仅用于配合说明书所记载的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本公开可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本公开所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本公开所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本公开可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本公开可实施的范畴。
[0031]还需要说明的是，本公开的实施例对应的纵向截面可以为对应前视图方向截面，横向截面可以为对应右视图方向截面，而水平截面可以为对应上视图方向截面。
[0032]应容易理解，本公开中的“在...上”、“在...之上”和“在...上面”的含义应该以最广义的方式解释，使得“在...上”不仅意味着“直接在某物上”，而且还意味着包括存在两者之间的中间部件或层的“在某物上”。
[0033]此外，为了便于描述，本公开中可能使用诸如“在...下面”、“在...之下”、“下部”、“在...之上”、“上部”等空间相对术语来描述一个元件或部件与附图中所示的另一元件或部件的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖装置在使用或操作中
的不同方位。设备可以以其他方式定向(旋转90
°
或以其他定向)，并且在本公开中使用的空间相对描述语可以被同样地相应地解释。
[0034]另外，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本公开。
[0035]图1A为具有突起部的目标物体的示意图。参见图1A，目标物体100的上表面具有突起部110。突起部110进一步包括多个突起区域。图1A中的突起部110共包括十六个突起区域，这里示例性地标注了第一突起区域111、第二突起区域112、第三突起区域113和第四突起区域114。相邻突起区域之间具有间隔区域120。每个突起区域进一步包括多个导电柱(Pillar)或者导电凸块(Bump)等突起单元。
[0036]图1B为现有技术中吸嘴11的示意图。参见1B，吸嘴11的底面12为平面，并且设置有多个真空吸附孔13。在吸附物体时，吸嘴11的底面12与物体表面接触，以连通吸嘴的吸真空装置进行抽吸，使空气自真空吸附孔进入吸真空装置，进而在物体表面与吸嘴11的底面12之间形成粗略真空环境，从而产生吸附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种吸嘴，用于吸附表面具有突起部的目标物体，其特征在于，所述吸嘴的底面具有凹陷结构，所述凹陷结构用于容纳所述突起部，所述凹陷结构的深度大于或者等于所述突起部的高度。2.根据权利要求1所述的吸嘴，其特征在于，所述凹陷结构包括至少两个腔室，所述突起部包括至少两个突起区域，每个所述腔室用于容纳相应的所述突起区域。3.根据权利要求2所述的吸嘴，其特征在于，所述至少两个腔室相互连通。4.根据权利要求1所述的吸嘴，其特征在于，所述凹陷结构的四周形成边缘支撑部，所述边缘支撑部用于抵接所述目标物体的边缘区域。5.根据权利要求2所述的吸嘴，其特征在于，所述凹陷结构内设置...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡孟修，洪志成，张家豪，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：