【技术实现步骤摘要】
一种等离子体产生装置及清洗设备
[0001]本专利技术涉及等离子清洗
,具体涉及一种等离子体产生装置及清洗设备。
技术介绍
[0002]相关技术中,现有等离子体清洗设备通常包括等离子体喷头,等离子体喷头上的喷流口与待清洗工件呈相对设置,从喷流口喷射出的等离子体适于对待清洗工件进行清洗,但是,由于喷射口通常远小于待清洗工件,所以喷头要与待清洗工件分离且发生相对移动,才能促使等离子体对待清洗工件进行分区化大面积清洗,增加了等离子体对待清洗工件进行大面积清洗的难度。
[0003]专利技术中容
[0004]本专利技术针对现有等离子体产生装置中的喷头要与待清洗工件分离且发生相对移动,增加了等离子体对待清洗工件进行大面积清洗的难度,提供一种等离子体产生装置及清洗设备。
[0005]本专利技术第一方面提供一种等离子体产生装置,所述等离子体产生装置为内部中空结构,所述等离子体产生装置适于嵌套在待清洗工件外且与所述待清洗工件可拆卸式连接,以及,所述等离子体产生装置适于与所述待清洗工件合围形成真空室,所述真空室适于工作气体与等离子体共用。
[0006]上述技术方案的有益效果是:防止等离子体产生装置在产生等离子体过程中与待清洗工件分离,无需等离子体产生装置与待清洗工件发生相对移动,即可促使等离子体对等离子体产生装置和待清洗工件进行大面积清洗,既兼顾了待清洗工件在等离子体产生装置中的可拆装性和稳定性,便于在等离子体产生装置未产生等离子体的情形下更换待清洗工件,也有助于提高待清洗工件和真空室的利用率,有助 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体产生装置,其特征在于,所述等离子体产生装置为内部中空结构;所述等离子体产生装置适于嵌套在待清洗工件(2)外且与所述待清洗工件(2)可拆卸式连接,以及,所述等离子体产生装置适于与所述待清洗工件(2)合围形成真空室,所述真空室适于工作气体与等离子体共用。2.如权利要求1所述的等离子体产生装置,其特征在于,所述等离子体产生装置包括辉光放电腔结构(11)和呈中空的框架结构(12);所述辉光放电腔结构(11)与所述框架结构(12)可拆卸式对接且连通,构成所述内部中空结构,所述框架结构(12)适于嵌套在所述待清洗工件(2)外。3.如权利要求2所述的等离子体产生装置,其特征在于,所述辉光放电腔结构(11)包括真空腔组件(111)、通气管道组件(112)和呈中空的嵌入式辉光电极组件(113);所述真空腔组件(111)通过所述通气管道组件(112)与所述嵌入式辉光电极组件(113)连通,以在所述真空室中形成放电区,所述嵌入式辉光电极组件(113)适于与所述真空腔组件(111)配合,以在所述放电区中产生辉光放电;所述框架结构(12)可拆卸式安装在所述嵌入式辉光电极组件(113)上且与所述嵌入式辉光电极组件(113)连通。4.如权利要求3所述的等离子体产生装置,其特征在于,所述真空腔组件(111)包括盲板(1111)、第一紧固件(1112)、第一法兰接口(1113)、第二法兰接口(1114)和真空放电管道(1115),所述真空放电管道(1115)包括第一管口端、管壁部以及通过所述管壁部与所述第一管口端连通的第二管口端;所述盲板(1111)通过所述第一紧固件(1112)与所述第一管口端固定连接,且所述盲板(1111)封挡在所述第一管口端外,以及,所述盲板(1111)嵌套在所述第一法兰接口(1113)外,所述第二法兰接口(1114)嵌设在所述管壁部中;所述第二管口端通过所述通气管道组件(112)与所述嵌入式辉光电极组件(113)连通。5.如权利要求4所述的等离子体产生装置,其特征在于,所述通气管道组件(112)包括第一固定框(1121)和呈间隔相对设置的两个第一垫圈(1122);所述第一固定框(1121)嵌套在两个所述第一垫圈(1122)外,所述第一固定框(1121)分别与所述第二管口端和所述嵌入式辉光电极组件(113)对接连通;所述第一固定框(1121)与所述第二管口端之间留有第一间隙,所述第一固定框(1121)与所述嵌入式辉光电极组件(113)之间留有第二间隙,两个所述第一垫圈(1122)分别适于密封所述第一间隙和所述第二间隙。6.如权利要求5所述的等离子体产生装置,其特征在于,所述嵌入式辉光电极组件(113)包括第二固定框(1131)和无介质阻挡电极套件;所述第二固定框(1131)可拆卸式安装在所述第一固定框(1121)上且与所述第一固定框(1121)连通,所述第二固定框(1131)上设有容纳槽,所述容纳槽的槽口适于分布在所述放电区中;所述无介质阻挡电极套件包括绝缘槽体(1132),以及,分别容置在所述绝缘槽体(1132)中的导电卡座(1133)、第一去尖端电极板(1134)、导电连接筒(1135)、第二去尖端电极板(1136)、绝缘钉(1137)和第二紧固件(1138);所述绝缘槽体(1132)嵌入所述容纳槽中,所述绝缘槽体(1132)的槽口朝向所述容纳槽
的槽口,所述导电卡座(1133)嵌入所述绝缘槽体(1132)和所述第一去尖端电极板(1134)中;所述第一去尖端电极板(1134)与所述第二去尖端电极板(1136)呈相对设置且形成适于扩展所述放电区的电极空间,所述导电连接筒(1135)容置在所述电极空间中,所述导电连接筒(1135)的两端分别抵触在所述第一去尖端电极板(1134)和...
【专利技术属性】
技术研发人员:张鹏,卢礼华,高强,关宇珩,赵航,曹永智,陈家轩,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。