发光器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光器件的制造方法，包括：在半导体外延片的表面上沉积透明导电层；利用第一刻蚀气体对透明导电层进行刻蚀，形成预定图案，第一刻蚀气体包括含溴气体；利用第二刻蚀气体对半导体外延片进行刻蚀。本发明专利技术能够改善半导体外延片的表面粗糙度以及刻蚀形貌的一致性，并简化工艺流程。并简化工艺流程。并简化工艺流程。

【技术实现步骤摘要】
发光器件的制造方法


[0001]本专利技术属于半导体器件制造领域，更具体地，涉及一种发光器件的制造方法。

技术介绍

[0002]高效率、大功率的GaN基蓝光LED广泛应用于室内照明、夜景装饰、医疗、汽车照明、大屏幕显示、手机背光等领域，而LED芯片是LED光源的重要组成部分。其中，正装LED GaN基芯片具有工艺简单、成本低、良率高等优点，是目前固态照明和背光产业的主流选择。由于P型GaN材料的空穴浓度低，会出现电流扩展问题，为了解决这一问题，很多人提出了使用ITO(氧化烟锡)膜层作为电流扩展层。
[0003]ITO是铟锡化合物，其禁带宽度Eg＝3.5～4.3eV，可见光范围内透过率大于90％；具有较好的导电性能，其电阻率达10
‑4Ω
·
cm数量级。因其具备较低的电阻率，电流通过ITO层可更均匀的分布到P
‑
GaN上，因此ITO常作为LED芯片制备中的电流扩展层使用。同时，ITO折射率值处于GaN和封装树脂之间，可见光透过率高，可以增加出光效率。
[0004]现有的Mesa刻蚀工艺中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体外延片的表面上沉积透明导电层；利用第一刻蚀气体对所述透明导电层进行刻蚀，形成预定图案，所述第一刻蚀气体包括含溴气体；利用第二刻蚀气体对所述半导体外延片进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的发光器件的制造方法，其特征在于，利用第一刻蚀气体对所述透明导电层进行刻蚀之前还包括：在所述透明导电层上形成图案化的光刻胶掩膜层。3.根据权利要求1所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述含溴气体包括HBr，所述第一刻蚀气体还包括Cl2和BCl3。4.根据权利要求3所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述第一刻蚀气体的总流量范围为100～200sccm；Cl2在所述第一刻蚀气体中的体积占比为20～50％。5.根据权利要求1所述的发光器件的制造方法，其特征在于，在利用第一刻蚀气体对所述透明导电层进行刻蚀的过程中，电感耦合功率范围为200～300W，射频偏压功率范围为100～200W。6.根据权利要求1所述的发光器件的制造方法，其特征在于，在利用第一刻蚀气体对所述透明导电层进行刻蚀的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玮乐，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：