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本发明公开了一种发光器件的制造方法，包括：在半导体外延片的表面上沉积透明导电层；利用第一刻蚀气体对透明导电层进行刻蚀，形成预定图案，第一刻蚀气体包括含溴气体；利用第二刻蚀气体对半导体外延片进行刻蚀。本发明能够改善半导体外延片的表面粗糙度以及...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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