【技术实现步骤摘要】
滤波装置及滤波装置的形成方法
[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种滤波装置及滤波装置的形成方法。
技术介绍
[0002]无线通信设备的射频(Radio Frequency,简称RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中,射频滤波器包括压电声表面波(Surface Acoustic Wave,简称SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave,简称BAW)滤波器、微机电系统(Micro
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Electro
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Mechanical System,简称MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated Passive Devices,简称IPD)滤波器等。
[0003]当无线通信技术逐步演进,随着5G时代的到来,所使用的频段越来越多,而射频前端模块在无线通信设备中所占有的尺寸并没有增加,这对无线通信设备中射频前端芯片的尺寸要求变得更高。
技术实现思路
[0004]本专利技术解决的技术问题是提供一种滤波装置及滤波装置的形成方法,以改善滤波器在射频前端模组中的集成度。
[0005]为解决上述技术问题,本专利技术技术方案提供一种滤波装置,包括:第一滤波器,所述第一滤波器包括:第一衬底,所述第一衬底包括相对的第一侧和第二侧;以及位于所述第一侧的若干第一器件;与所述第一滤波器相接合的第二滤波器,所述第二滤波器包括:第二衬底,所述第二衬底包括相对的第三侧和第四侧;以及位于所述第三侧的若干第二器件 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种滤波装置,其特征在于,包括:第一滤波器,所述第一滤波器包括:第一衬底,所述第一衬底包括相对的第一侧和第二侧;以及位于所述第一侧的若干第一器件;与所述第一滤波器相接合的第二滤波器,所述第二滤波器包括:第二衬底,所述第二衬底包括相对的第三侧和第四侧;以及位于所述第三侧的若干第二器件,所述第三侧朝向所述第一侧。2.如权利要求1所述的滤波装置,其特征在于,所述第一衬底包括第一功能区和第一连接区,所述第一器件位于所述第一功能区;所述第二衬底包括第二功能区和第二连接区,所述第二器件位于所述第二功能区。3.如权利要求2所述的滤波装置,其特征在于,还包括:位于所述第一连接区的若干第一连接部,位于所述第一侧,所述第一连接部与所述第一器件电连接。4.如权利要求3所述的滤波装置,其特征在于,还包括:位于所述第二连接区的若干第三连接部和若干第二连接部,位于所述第三侧,所述第三连接部与所述第二器件电连接。5.如权利要求4所述的滤波装置,其特征在于,所述第一连接部与所述第二连接部电连接。6.如权利要求5所述的滤波装置,其特征在于,还包括:位于所述第二连接区内的若干第四连接部和若干第五连接部,所述第四连接部和所述第五连接部贯穿所述第二衬底,所述第四连接部与所述第二连接部电连接,所述第五连接部与所述第三连接部电连接;所述第一器件通过所述第一连接部、所述第二连接部和所述第四连接部与外部电路电连接,所述第二器件通过所述第三连接部和所述第五连接部与外部电路电连接。7.如权利要求1所述的滤波装置,其特征在于,所述第一滤波器包括声表面波滤波器或体声波滤波器,所述第二滤波器包括声表面波滤波器或体声波滤波器;其中,所述声表面波滤波器包括若干声表面波谐振器,或者双模声表面波滤波器,或者声表面波谐振器和双模声表面波滤波器的组合;其中,所述体声波滤波器包括若干体声波谐振器,所述体声波谐振器包括薄膜体声波谐振器、固态装配型谐振器或XBAR谐振器。8.如权利要求7所述的滤波装置,其特征在于,所述第一滤波器包括声表面波滤波器时,所述第一衬底的材料包括压电材料;所述第二滤波器包括声表面波滤波器时,所述第二衬底的材料包括压电材料。9.如权利要求8所述的滤波装置,其特征在于,所述第一滤波器包括声表面波滤波器时,所述第一器件包括:第一叉指换能器,以及位于所述第一叉指换能器两侧的第一反射栅;所述第二滤波器包括声表面波滤波器时,所述第二器件包括:第二叉指换能器,以及位于所述第二叉指换能器两侧的第二反射栅。10.如权利要求7所述的滤波装置,其特征在于,所述第一滤波器包括体声波滤波器时,所述第一滤波器还包括若干第一空腔,位于所述第一侧,嵌入所述第一衬底,对应若干所述第一器件,或者所述第一滤波器还包括第一布拉格反射结构,位于所述第一侧,所述第一布拉格反射结构位于所述第一衬底与所述第一器件之间;所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:汤正杰,邹雅丽,杨新宇,
申请(专利权)人:常州承芯半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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