一种体声波滤波器和通信器件制造技术

本发明专利技术实施例提供了一种体声波滤波器和通信器件。所述体声波滤波器包括依次堆叠连接顶电极、压电层、底电极和支撑层；连接于所述支撑层远离所述底电极一侧的第一布拉格反射层，所述第一布拉格反射层远离所述支撑层一侧设置有中间衬底层，所述中间衬底层的长度小于所述第一布拉格反射层的长度；连接于所述中间衬底层另一侧的第二布拉格反射层；连接于所述第二布拉格反射层远离所述中间衬底层一侧的底部衬底层。通过设置中间衬底层和两层布拉格反射层，将低频体声波损耗腔体与目标频点反射工作腔体分开，减缓工作腔体的温升，减轻体声波滤波器的温漂效应，保持滤波频率稳定性。保持滤波频率稳定性。保持滤波频率稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波滤波器和通信器件


[0001]本专利技术涉及无线通讯和终端
，特别是涉及一种体声波滤波器和一种通信器件。

技术介绍

[0002]目前，5G(5th Generation Mobile Communication Technology，第五代移动通信技术)网络建设将业务无线频率提高到sub6G(频段)甚至更高，同一台手机等移动终端设备必须同时运行2/3/4/5G/蓝牙/WIFI(无线通信技术)等多种网络。一台移动终端设备接入的频段众多，频谱间距缩小，保护频带往往压缩到10MHz(兆赫兹)数量级，需要依赖大量高性能的射频滤波器实现隔离功能。射频滤波器持续面临制造小型化压力，在经历了LC滤波器(无源滤波器)、腔体滤波器、介质滤波器、声表面滤波器等迭代后，射频滤波器小型化技术逐渐集中到体声波技术(BAW，bulk acoustic wave)，形成体声波滤波器产品类型。其中，常使用SMR
‑
BAW(固体装配型体声波滤波器，即布拉格反射型体声波滤波器)滤波器进行滤波。但是SMR
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BAW是依赖于将目标频率形成驻波得到加强，其他频率因波长不匹配得到抑制，其他频率能量损耗产生热量，容易造成SMR
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BAW滤波器温升频漂，保持频率稳定性下降。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种体声波滤波器和相应的一种通信器件。
[0004]为了解决上述问题，在本专利技术的第一个方面，本专利技术实施例公开了一种体声波滤波器，包括：
[0005]依次堆叠连接顶电极、压电层、底电极和支撑层；
[0006]连接于所述支撑层远离所述底电极一侧的第一布拉格反射层，所述第一布拉格反射层远离所述支撑层一侧设置有中间衬底层，所述中间衬底层的长度小于所述第一布拉格反射层的长度；
[0007]连接于所述中间衬底层另一侧的第二布拉格反射层；
[0008]连接于所述第二布拉格反射层远离所述中间衬底层一侧的底部衬底层。
[0009]可选地，所述第一布拉格反射层包括交替堆叠连接的第一低声学阻抗层和第一高声学阻抗层；其中，所述中间衬底层位于所述第一布拉格反射层远离所述支撑层一侧的第一高声学阻抗层中。
[0010]可选地，所述中间衬底层长度大于体声波滤波器特征频率电信号对应声波横波波长，且小于体声波滤波器滤除低频电信号对应声波横波波长。
[0011]可选地，所述第一低声学阻抗层的长度和所述第一高声学阻抗层的长度大于体声波滤波器滤除低频电信号对应声波横波波长。
[0012]可选地，所述第一低声学阻抗层的厚度和所述第一高声学阻抗层的厚度为体声波滤波器特征频率电信号对应声波纵波波长的四分之一。
[0013]可选地，所述第二布拉格反射层包括交替堆叠连接的第二低声学阻抗层和第二高声学阻抗层。
[0014]可选地，所述第二低声学阻抗层的厚度和所述第二高声学阻抗层的厚度为体声波滤波器特征频率电信号对应声波纵波波长的四分之一。
[0015]可选地，所述第二低声学阻抗层的长度和所述第二高声学阻抗层的长度大于体声波滤波器滤除低频电信号对应声波横波波长。
[0016]可选地，所述中间衬底层和所述底部衬底层的材质相同。
[0017]在本专利技术的第二个方面，本专利技术实施例还公开了一种通信器件，包括如上所述的体声波滤波器。
[0018]本专利技术实施例包括以下优点：
[0019]在本专利技术实施例中，通过依次堆叠连接顶电极、压电层、底电极和支撑层；连接于所述支撑层远离所述底电极一侧的第一布拉格反射层，所述第一布拉格反射层远离所述支撑层一侧设置有中间衬底层，所述中间衬底层的长度小于所述第一布拉格反射层的长度；连接于所述中间衬底层另一侧的第二布拉格反射层；连接于所述第二布拉格反射层远离所述中间衬底层一侧的底部衬底层。通过设置两层布拉格反射层，并在两层布拉格反射层之间设置中间衬底层，将两层布拉格反射层分别不同的工作区域，靠近支撑层的第一布拉格反射层形成特征频率反射区域，靠远离支撑层的第二布拉格反射层低频声波反射区域，区分特征频率和低频声波反射区域，使特征频率声波可以在第一布拉格反射层，部分低频声波通过衍射作用穿过中间衬底层进入第二布拉格反射层；使得第一布拉格反射层可以在较低温升范围，抑制滤波器频率温漂，第二布拉格反射层产生损耗发生温升，使得温升对频率温漂影响更小，从而减轻体声波滤波器的温漂效应，保持滤波频率稳定性。
附图说明
[0020]图1是现有技术中的一种体声波滤波器实施例的结构示意图；
[0021]图2是本专利技术的一种体声波滤波器实施例的结构框图；
[0022]图3是本专利技术的另一种体声波滤波器实施例的结构示意图；
[0023]图4是本专利技术的一种体声波滤波器实施例的声波传递示意图；
[0024]图5a是本专利技术的一种体声波滤波器实施例的温升示意图；
[0025]图5b是现有技术中的一种体声波滤波器实施例的温升示意图；
[0026]图6是本专利技术的一种体声波滤波器实施例的工作流程图。
[0027]附图标记说明：1
‑
顶电极、2
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压电层、3
‑
底电极、4
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支撑层、5
‑
低声学阻抗层、6
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高声学阻抗层、7
‑
衬底层；
[0028]100
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顶电极、200
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压电层、300
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底电极、400
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支撑层、500
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第一布拉格反射层、510
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第一低声学阻抗层、520
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第一高声学阻抗层、600
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中间衬底层、700
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第二布拉格反射层、710
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第二低声学阻抗层、720
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第二高声学阻抗层、800
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底部衬底层。
具体实施方式
[0029]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0030]参照图1，示出了现有技术中的一种体声波滤波器实施例的结构示意图。
[0031]现有的(SMR
‑
BAW)滤波器从上而下分别为顶电极1、压电层2、底电极3、支撑层4，多层交替的低声学阻抗层5和高声学阻抗层6、衬底层7。顶电极1和底电极3通过逆压电效应生成声波信号，声波纵波信号在低声学阻抗层5和高声学阻抗层6交界处产生反射，对于纵波特征波长与阻抗层声学厚度一致的声波信号产生类似全反射，而其他波长纵波信号受到抑制，完成滤波过程，最终声波信号反射回压电层2，通过正压电效应生成滤波后的电信号。
[0032]由于非特征波长声波在低声学阻抗层5和高声学阻抗层6交界处(即布拉格反射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波滤波器，其特征在于，包括：依次堆叠连接顶电极、压电层、底电极和支撑层；连接于所述支撑层远离所述底电极一侧的第一布拉格反射层，所述第一布拉格反射层远离所述支撑层一侧设置有中间衬底层，所述中间衬底层的长度小于所述第一布拉格反射层的长度；连接于所述中间衬底层另一侧的第二布拉格反射层；连接于所述第二布拉格反射层远离所述中间衬底层一侧的底部衬底层。2.根据权利要求1所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一布拉格反射层包括交替堆叠连接的第一低声学阻抗层和第一高声学阻抗层；其中，所述中间衬底层位于所述第一布拉格反射层远离所述支撑层一侧的第一高声学阻抗层中。3.根据权利要求1或2所述的体声波滤波器，其特征在于，所述中间衬底层长度大于体声波滤波器特征频率电信号对应声波横波波长，且小于体声波滤波器滤除低频电信号对应声波横波波长。4.根据权利要求2所述的体声波滤波器，其特征在于，所述第一低声学阻抗层的长度和所述第一高声学阻抗层的长度大于体声波滤波...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐迅驰，邵卫东，顾敏，张勇，田家雨，
申请(专利权)人：中国电信股份有限公司，
类型：发明
国别省市：