半导体封装结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：基板，基板包括第一基板部、第二基板部和弯折部，第二基板部通过弯折部和位于弯折部上的固定件连接于第一基板部，以使第二基板部与第一基板部呈一角度，其中，在第二基板部的背向第一基板部的表面处具有暴露的线路。面处具有暴露的线路。面处具有暴露的线路。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体封装结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在常见的封装结构中，对外连接的I/O(输入/输出)通常只设置在一侧上，这使得封装件(package)的I/O数量受限。因此，为了增加封装件的I/O数量，如图1A所示，现有技术通过侧面上的通孔焊盘将基板/封装件11进行垂直接合，以露出对外连接的在垂直方向上的侧向I/O 13。然而，如图1B和图1C所示，由于切割(saw)制程15所露出的通孔焊盘18的尺寸会因为切割制程15的误差而导致通孔焊盘18的尺寸不一致，这将严重影响焊料接合后的平整性以及基板侧向I/O对外连接的精准度。
[0003]为了解决上述问题，现有技术利用金属架(metal lid)21(图2A)或接合引线(bondwire)22(图2B)做为侧向I/O。这些做法虽能解决上述问题，但存在侧向I/O节距(pitch)较大，使得I/O数量仍然有限。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中的上述问题，本专利技术提出一种半导体封装结构及其形成方法。
[0005]根据本专利技术实施例的一个方面，提供了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括基板，基板包括第一基板部、第二基板部和弯折部，第二基板部通过弯折部和位于弯折部上的固定件连接于第一基板部，以使第二基板部与第一基板部呈一角度，其中，在第二基板部的背向第一基板部的表面处具有暴露的线路。
[0006]在上述半导体封装结构中，弯折部具有相对于第一基板部的上表面和第二基板部的上表面凹进的凹槽。
[0007]在上述半导体封装结构中，固定件填充在凹槽内。
[0008]在上述半导体封装结构中，凹槽具有分别邻接第一基板部和第二基板部的第一侧壁和第二侧壁，第一侧壁与第一基板部的上表面所在平面呈锐角，第二侧壁与第二基板部的上表面所在平面呈锐角。
[0009]在上述半导体封装结构中，第二侧壁与凹槽的部分底面相对并且第二侧壁与部分底面之间具有空隙，其中，固定件填充空隙。
[0010]在上述半导体封装结构中，还包括：模制物，覆盖第一基板部的上表面和第二基板部的面向第一基板部的表面。
[0011]在上述半导体封装结构中，模制物还覆盖第二基板部的远离第一基板部的侧壁。
[0012]在上述半导体封装结构中，角度为90度。
[0013]在上述半导体封装结构中，固定件包括胶体。
[0014]根据本专利技术实施例的另一个方面，提供了一种形成半导体封装结构的方法，包括：在基板的上表面上形成凹槽，以形成由凹槽分隔开的第一基板部和第二基板部；从凹槽处弯折基板使得第二基板部与第一基板部呈一角度；在弯折后的凹槽中填充连接第一基板部
和第二基板部的固定件。
[0015]在上述方法中，在填充固定件之后还包括形成模制物，其中，使用模制物覆盖第一基板部的上表面和第二基板部的面向第一基板部的表面。
[0016]在上述方法中，还使用模制物还覆盖第二基板部的远离第一基板部的侧壁。
[0017]在上述方法中，在基板的上表面上形成凹槽包括：利用激光形成凹槽，其中，基板中内埋有屏蔽部件，并且在屏蔽部件的上方利用激光形成凹槽。
[0018]在上述方法中，从凹槽处弯折基板包括：在基板下方的载板上提供开孔；通过穿过开孔的弯折工具对第二基板部施加力而弯折基板。
[0019]在上述方法中，在形成凹槽之前还包括：提供基板，其中，在基板具有位于第二基板部的下表面处的暴露的线路。
[0020]在上述方法中，弯折基板使得第二基板部与第一基板部相互垂直。
[0021]在上述方法中，凹槽具有倾斜的侧壁。
[0022]在上述方法中，在弯折基板之后，凹槽的邻接第二基板部的侧壁与凹槽的部分底面之间形成空隙，其中，固定件填充空隙。
[0023]在上述方法中，固定件包括胶体。
附图说明
[0024]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应当注意，根据工业中的标准实践，各个部件并非按比例绘制。事实上，为了清楚讨论，各个部件的尺寸可以任意增大或减小。
[0025]图1A是现有的基板/封装件垂直接合的示意图；
[0026]图1B是和图1C是现有的切割制程的示意图；
[0027]图2A和图2B分别是现有的侧向IO的示意图；
[0028]图3A是根据本专利技术实施例的半导体封装结构的示意图；
[0029]图3B是图3A在A
‑
A方向的侧视图；
[0030]图3C是根据本专利技术实施例的半导体封装结构与外部器件连接的示意图；
[0031]图4是根据本专利技术实施例的半导体封装结构的示意图；
[0032]图5A至图5G是根据本专利技术实施例的形成半导体封装结构的方法的各个阶段的示意图。
具体实施例
[0033]下列公开提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面将描述元件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然这些仅仅是实例并不旨在限定本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括在第一部件和第二部件之间形成额外的部件使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0034]图3A是根据本专利技术实施例的半导体封装结构的示意图。图3B是图3A在A
‑
A方向的
侧视图。如图3A和图3B所示，本专利技术提供的半导体封装结构具有基板110，基板110包括第一基板部111、第二基板部112和弯折部113。第二基板部112具有暴露的线路115。第二基板部112通过弯折部113和位于弯折部113上的固定件120连接于第一基板部111，以使第二基板部112与第一基板部111呈一角度。在示出的实施例中，第二基板部112与第一基板部111所呈的角度为90度。在第二基板部112的背向第一基板部111的表面处具有暴露的线路115。从而，第二基板部112的暴露的线路115位于第二基板部112的垂直方向的表面上。第二基板部112的暴露的线路115可用作I/O以进行对外连接。在一个实施例中，通过第二基板部112的暴露的线路115与第一外部器件210连接的示意图如图3C所示，其中，基板110还通过第一基板部111的底部的I/O 116与第二外部器件220连接。
[0035]本专利技术的上述半导体封装结构利用具有弯折部113的基板使得基板的第一基板部111和第二基板部112呈一角度，使得第二基板部112的暴露的线路115位于侧向上并作为侧向的对外连接点，从而可以不需额外的置件做为对外连接点。此外，暴露的线路115可利用基板的线路制程工艺形成，线路115的线宽/节距可以达到15/15μm细线路以下，即可以达到高密度和数量的I/O。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：基板，所述基板包括第一基板部、第二基板部和弯折部，所述第二基板部通过所述弯折部和位于所述弯折部上的固定件连接于所述第一基板部，以使所述第二基板部与所述第一基板部呈一角度其中，在所述第二基板部的背向所述第一基板部的表面处具有暴露的线路。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述弯折部具有相对于所述第一基板部的上表面和所述第二基板部的上表面凹进的凹槽。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述固定件填充在所述凹槽内。4.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述凹槽具有分别邻接所述第一基板部和所述第二基板部的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁与所述第一基板部的所述上表面所在平面呈锐角，所述第二侧壁与所述第二基板部的所述上表面所在平面呈锐角。5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二侧壁与所述凹槽的部分底面相对并且所述第二侧壁与所述部分底面之间具有空隙，其中，所述固定件填充所述空隙。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括：模制物，覆盖所述第一基板部的上表面和所述第二基板部的面向所述第一基板部的表面。7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述模制物还覆盖所述第二基板部的远离所述第一基板部的侧壁。8.一种形成半导体封装结构的方法，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶昶麟，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：