一种应用于HEMT的二极管器件、制备方法及HEMT技术

本申请属于半导体技术领域，提供了一种应用于HEMT的二极管器件、制备方法及HEMT，二极管器件包括：半导体衬底、第一沟道层、第一势垒层、多个第二沟道层、多个第二势垒层、盖帽层、阳极电极层、阴极电极层、绝缘介质层；通过将多个第二沟道层和多个第二势垒层交替层叠设置设于第一势垒层上，以在其第一侧形成阶梯结构，并在第一侧设置覆盖于阶梯结构和盖帽层的阳极电极层，在其第二侧设置阴极电极层，在阳极电极层和阴极电极层之间设置绝缘介质层，使得阳极和阴极之间的电容具备更高的均匀电场，同时可以从横向和纵向改善电场提升寄生二极管的击穿电压，解决HEMT器件由于缺少体二极管导致在高感性应用场景不稳定的问题。导致在高感性应用场景不稳定的问题。导致在高感性应用场景不稳定的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于HEMT的二极管器件、制备方法及HEMT


[0001]本申请属于半导体
，尤其涉及一种应用于HEMT的二极管器件、制备方法及HEMT。

技术介绍

[0002]作为第三代半导体材料的代表，氮化镓(GaN)具有许多优良的特性，例如，具有高临界击穿电场、高电子迁移率、高二维电子气浓度和良好的高温工作能力等有点。
[0003]然而，与硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(Si
‑
MOSFET)相比，氮化镓基高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor，HEMT)器件不存在体二极管，在高电感的应用场景下所产生的反向电流会使得器件栅极电压升高，导致器件损坏。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种应用于HEMT的二极管器件、制备方法及HEMT，旨在解决现有技术中HEMT在高电感的应用场景下所产生的反向电流会使得器件栅极电压升高，导致器件损坏的问题。
[0005]本申请实施例第一方面提供了一种应用于HEMT的二极管器件，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于HEMT的二极管器件，其特征在于，所述二极管器件包括：半导体衬底；第一沟道层，设于所述半导体衬底上；第一势垒层，设于所述第一沟道层上；多个第二沟道层和多个第二势垒层，其中，多个所述第二沟道层和多个所述第二势垒层交替层叠设置设于所述第一势垒层上，底部的所述第二沟道层设于所述第一势垒层上，且多个所述第二沟道层和多个所述第二势垒层的宽度依次减小，以在多个所述第二沟道层和多个所述第二势垒层的第一侧形成阶梯结构；盖帽层，设于顶部的所述第二势垒层上；阳极电极层，设于所述阶梯结构和所述盖帽层上；阴极电极层，设于所述第一沟道层上，且设于多个所述第二沟道层和多个所述第二势垒层的第二侧；绝缘介质层，设于顶部的所述第二势垒层上，且位于所述阳极电极层与所述阴极电极层之间以及所述盖帽层与所述阴极电极层之间；其中，所述阳极电极层和所述阴极电极层分别与所述HEMT的源极和漏极连接。2.如权利要求1所述的二极管器件，其特征在于，多个所述第二沟道层和多个所述第二势垒层的第二侧与所述第一势垒层的第二侧齐平。3.如权利要求2所述的二极管器件，其特征在于，所述阴极电极层还设于所述第一势垒层的第二侧，且深入至所述第一沟道层内。4.如权利要求2所述的二极管器件，其特征在于，所述第二势垒层的宽度与所述第二势垒层背面的所述第二沟道层的宽度之间的差值等于所述第二势垒层与所述第二势垒层正面的所述第二沟道层的宽度之间的差值。5.如权利要求1
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4任一项所述的二极管器件，其特征在于，所述绝缘介质层的上表面与所述阳极...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘涛，黄汇钦，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：