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本申请属于半导体技术领域，提供了一种应用于HEMT的二极管器件、制备方法及HEMT，二极管器件包括：半导体衬底、第一沟道层、第一势垒层、多个第二沟道层、多个第二势垒层、盖帽层、阳极电极层、阴极电极层、绝缘介质层；通过将多个第二沟道层和多个第...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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