改善背照式CIS的像素白点的工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种改善背照式CIS的像素白点的工艺方法，背照式CIS的制造步骤中包括切边工艺，切边工艺包括：步骤一、将晶圆放置在切边机台上，晶圆的正面形成有背照式CIS的单元结构。步骤二、采用刀头对晶圆进行边缘切割。在边缘切割过程中，刀头和晶圆之间产生摩擦并形成摩擦热，通过控制晶圆的温度来降低摩擦热对晶圆的损伤并从而降低像素白点。本发明专利技术能降低晶圆的晶格结构损伤并从而降低像素白点。晶圆的晶格结构损伤并从而降低像素白点。晶圆的晶格结构损伤并从而降低像素白点。

【技术实现步骤摘要】
改善背照式CIS的像素白点的工艺方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别涉及一种改善背照式(Back Illuminated，BSI)图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)的像素白点的工艺方法。

技术介绍

[0002]对于BSI CIS，通常情况下，晶圆(wafer)硅结构的完好性可以减少像素单元之间的串扰，减少像素白点(White Pixel)。像素白点会影响图像传感器的成像能力，影响出图效果。在集成电路制造中应减少像素白点造成的危害。
[0003]切边(Trim)工艺(process)是背照式(BSI)工艺如BSI图像传感器工艺中一道重要的工艺，是将晶圆2边缘特定深宽的一圈用刀头1切掉。如图1A所示，是现有晶圆2切边方法中的刀头1的立体结构图；刀头1，在沿中心轴AA方向上所述刀头呈圆环形结构；其中最外侧的圆环对应的侧面为切割表面1a，但是仅有部分厚度的切割表面1a用于边缘切割。如图1B所示，是现有晶圆2切边方法进行切边时刀头1和晶圆2的结构示意图；可以看出，刀头1的侧视图对应于切割表面1a的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善背照式CIS的像素白点的工艺方法，其特征在于，背照式CIS的制造步骤中包括切边工艺，所述切边工艺包括如下步骤：步骤一、将晶圆放置在切边机台上，所述晶圆的正面形成有所述背照式CIS的单元结构；步骤二、采用刀头对所述晶圆进行边缘切割；在所述边缘切割过程中，所述刀头和所述晶圆之间产生摩擦并形成摩擦热，所述摩擦热会对所述晶圆的晶格结构产生损伤，通过控制所述晶圆的温度来降低所述摩擦热对所述晶圆的损伤并从而降低像素白点。2.如权利要求1所述的改善背照式CIS的像素白点的工艺方法，其特征在于：步骤二中，所述刀头呈环形结构，通过旋转所述刀头实现所述边缘切割。3.如权利要求2所述的改善背照式CIS的像素白点的工艺方法，其特征在于：步骤二中，通过控制所述刀头的旋转速度来控制所述晶圆的温度，所述刀头的旋转速度越低，所述摩擦热越小。4.如权利要求3所述的改...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵春山，王海洋，张武志，曹亚民，杨斌，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：