摄像装置制造方法及图纸

有关本公开的一技术方案的摄像装置具备第1电极、第2电极、光电变换层、基板和贯通电极。上述光电变换层位于上述第1电极与上述第2电极之间，将光变换为电荷。上述基板包括贯通孔和第1晶体管，上述第1晶体管包括作为源极及漏极中的一方发挥功能的第1杂质区域、作为上述源极及上述漏极中的另一方发挥功能的第2杂质区域以及及第1栅极电极。上述第1杂质区域包括积蓄上述电荷的电荷积蓄区域。上述贯通电极设置在上述贯通孔内，将上述第1电极与上述电荷积蓄区域电连接。在平面图中，上述电荷积蓄区域与上述贯通电极的距离比上述第2杂质区域与上述贯通电极的距离长。与上述贯通电极的距离长。与上述贯通电极的距离长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置


[0001]本公开涉及摄像装置。

技术介绍

[0002]在数字相机等中，广泛地使用CCD(Charge Coupled Device：电荷耦合器件)图像传感器及CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)图像传感器。这些图像传感器具有形成于半导体基板的光电二极管。
[0003]在专利文献1及2中提出了将具有光电变换层的光电变换部配置在半导体基板的上方的构造。具有这样的构造的摄像装置有时被称为层叠型摄像装置。在层叠型摄像装置中，通过光电变换产生的电荷积蓄在电荷积蓄区域中。与积蓄在电荷积蓄区域中的电荷量相应的信号经由形成于半导体基板的CCD电路或CMOS电路被读出。
[0004]在专利文献3中提出了背面照射型摄像装置。在专利文献3的摄像装置中，在半导体基板内形成有光电二极管。此外，在专利文献3的摄像装置中，在半导体基板的作为背面侧的受光面侧设有具有光电变换层的光电变换部。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开第2014/002330号
[0008]专利文献2：国际公开第2012/147302号
[0009]专利文献3：国际公开第2015/025723号

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的课题
[0011]本公开提供适合于抑制向电荷积蓄区域的漏电流的技术。
[0012]用来解决课题的手段
[0013]本公开提供一种摄像装置，具备：第1电极；第2电极；光电变换层，位于上述第1电极与上述第2电极之间，将光变换为电荷；基板，包括贯通孔和第1晶体管，上述第1晶体管包括作为源极及漏极中的一方发挥功能的第1杂质区域、作为上述源极及上述漏极中的另一方发挥功能的第2杂质区域以及第1栅极电极，上述第1杂质区域包括积蓄上述电荷的电荷积蓄区域；以及贯通电极，设置在上述贯通孔内，将上述第1电极与上述电荷积蓄区域电连接，在平面图中，上述电荷积蓄区域与上述贯通电极的距离比上述第2杂质区域与上述贯通电极的距离长。
[0014]专利技术效果
[0015]有关本公开的技术适合于抑制向电荷积蓄区域的漏电流。
附图说明
[0016]图1是表示有关本公开的第1实施方式的摄像装置的例示性的结构的图。
[0017]图2是表示有关本公开的第1实施方式的摄像装置的例示性的电路结构的图。
[0018]图3是表示有关本公开的第1实施方式的像素的例示性的结构的示意性的俯视图。
[0019]图4是表示有关本公开的第1实施方式的像素的例示性的结构的示意性的剖视图。
[0020]图5是表示贯通电极、电荷积蓄区域及栅极电极周边的电气路径的一例的图。
[0021]图6是表示贯通电极、电荷积蓄区域及栅极电极周边的电气路径的一例的图。
[0022]图7是表示贯通电极、电荷积蓄区域及栅极电极周边的电气路径的一例的图。
[0023]图8是表示贯通电极、电荷积蓄区域及栅极电极周边的电气路径的一例的图。
[0024]图9是表示贯通电极与电极构造直接连接的形态的一例的图。
[0025]图10是表示有关本公开的第2实施方式的摄像装置的例示性的电路结构的图。
[0026]图11是表示有关本公开的第2实施方式的像素的例示性的结构的示意性的俯视图。
[0027]图12是表示有关本公开的第2实施方式的像素的例示性的结构的示意性的剖视图。
[0028]图13是表示有关本公开的第3实施方式的摄像装置的例示性的电路结构的图。
[0029]图14是表示有关本公开的第3实施方式的像素的例示性的结构的示意性的俯视图。
[0030]图15是表示有关本公开的第3实施方式的像素的例示性的结构的示意性的剖视图。
[0031]图16是表示有关本公开的第4实施方式的摄像装置的例示性的电路结构的图。
[0032]图17是表示有关本公开的第4实施方式的像素的例示性的结构的示意性的俯视图。
[0033]图18是表示有关本公开的第4实施方式的像素的例示性的结构的示意性的剖视图。
[0034]图19是表示有关本公开的第5实施方式的摄像装置的例示性的电路结构的图。
[0035]图20是表示有关本公开的第5实施方式的像素的例示性的结构的示意性的俯视图。
[0036]图21是表示有关本公开的第5实施方式的像素的例示性的结构的示意性的剖视图。
[0037]图22是表示光电变换层叠体的例示性的结构的图。
[0038]图23是表示光电变换层叠体的例示性的结构的图。
具体实施方式
[0039](作为本公开的基础的认识)
[0040]在层叠型摄像装置中，有发生向电荷积蓄区域的漏电流的情况。漏电流可能使得到的图像劣化。
[0041]本公开提供适合于抑制向电荷积蓄区域的漏电流的技术。
[0042](有关本公开的一技术方案的概要)
[0043]有关本公开的第1技术方案的摄像装置具备：第1电极；第2电极；光电变换层，位于上述第1电极与上述第2电极之间，将光变换为电荷；基板，包括贯通孔和第1晶体管，上述第
1晶体管包括作为源极及漏极中的一方发挥功能的第1杂质区域、作为上述源极及上述漏极中的另一方发挥功能的第2杂质区域以及第1栅极电极，上述第1杂质区域包括积蓄上述电荷的电荷积蓄区域；以及贯通电极，设置在上述贯通孔内，将上述第1电极与上述电荷积蓄区域电连接。在平面图中，上述电荷积蓄区域与上述贯通电极的距离比上述第2杂质区域与上述贯通电极的距离长。
[0044]有关第1技术方案的技术适合于抑制向电荷积蓄区域的漏电流。
[0045]在本公开的第2技术方案中，例如在有关第1技术方案的摄像装置中，在平面图中，上述第1栅极电极也可以位于上述贯通电极与上述电荷积蓄区域之间。
[0046]有关第2技术方案的技术适合于抑制向电荷积蓄区域的漏电流。
[0047]在本公开的第3技术方案中，例如有关第1技术方案或第2技术方案的摄像装置也可以还具备第2晶体管，该第2晶体管包括与上述电荷积蓄区域电连接的第2栅极电极，在平面图中，上述电荷积蓄区域与上述贯通电极的距离也可以比上述第2栅极电极与上述贯通电极的距离长。
[0048]有关第3技术方案的技术适合于抑制向电荷积蓄区域的漏电流，并且抑制在第2晶体管的第2栅极电极与贯通电极之间的电气路径中发生噪声。
[0049]在本公开的第4技术方案中，例如在有关第1至第3技术方案中任一项的摄像装置中，在平面图中，上述电荷积蓄区域的面积也可以比上述第2杂质区域的面积小。
[0050]有关第4技术方案的技术适合于抑制向电荷积蓄区域的漏电流。
[0051]在本公开的第5技术方案中，例如有关第1至第4技术方案中任一项的摄像装置也可以还具备将上述贯通电极与上述电荷积蓄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种摄像装置，其中，具备：第1电极；第2电极；光电变换层，位于上述第1电极与上述第2电极之间，将光变换为电荷；基板，包括贯通孔和第1晶体管，上述第1晶体管包括作为源极及漏极中的一方发挥功能的第1杂质区域、作为上述源极及上述漏极中的另一方发挥功能的第2杂质区域以及第1栅极电极，上述第1杂质区域包括积蓄上述电荷的电荷积蓄区域；以及贯通电极，设置在上述贯通孔内，将上述第1电极与上述电荷积蓄区域电连接，在平面图中，上述电荷积蓄区域与上述贯通电极的距离比上述第2杂质区域与上述贯通电极的距离长。2.如权利要求1所述的摄像装置，其中，在平面图中，上述第1栅极电极位于上述贯通电极与上述电荷积蓄区域之间。3.如权利要求1或2所述的摄像装置，其中，还具备第2晶体管，该第2晶体管包括与上述电荷积蓄区域电连接的第2栅极电极，在平面图中，上述电荷积蓄区域与上述贯通电极的距离比上述第2栅极电极与上述贯通电极的距离长。4.如权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，其中，在平面图中，上述电荷积蓄区域的面积比上述第2...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤好弘，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：