改善光效的发光二极管及其制备方法技术

本公开提供了一种改善光效的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括衬底、外延层和电极，所述外延层位于所述衬底的表面，所述电极位于所述外延层远离所述衬底的表面；所述电极包括复合层和保护层，所述复合层位于所述外延层的表面，所述保护层至少位于所述复合层远离所述衬底的表面、所述复合层的侧壁和所述外延层的表面，所述复合层包括Al层。本公开实施例能防止Al金属被氧化或腐蚀，保证电极的反光效果，提升发光二极管的发光效果。二极管的发光效果。二极管的发光效果。

【技术实现步骤摘要】
改善光效的发光二极管及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种改善光效的发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管（英文：Light Emitting Diode，简称：LED）作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
[0003]相关技术中，发光二极管包括衬底、外延层和电极，外延层层叠于衬底上，电极位于外延层远离衬底的表面。通常衬底所在侧为发光二极管的出光面，为了提升发光二极管的发光效率，电极中通常会设置Al层用于反射光线。
[0004]由于Al金属活性高，易于和空气中的氧气以及制程中的化学试剂发生反应，导致发光二极管性能下降，不利于提升发光二极管的发光效果。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种改善光效的发光二极管及其制备方法，能防止Al金属被氧化或腐蚀，保证电极的反光效果，提升发光二极管的发光效果。所述技术方案如下：本公开实施例提供了一种改善光效的发光二极管，所述发光二极管包括衬底、外延层和电极，所述外延层位于所述衬底的表面，所述电极位于所述外延层远离所述衬底的表面；所述电极包括复合层和保护层，所述复合层位于所述外延层的表面，所述保护层至少位于所述复合层远离所述衬底的表面、所述复合层的侧壁和所述外延层的表面，所述复合层包括Al层。
[0006]可选地，第一热传导系数小于第二热传导系数，所述保护层为叠层结构，所述第一热传导系数为所述复合层远离所述衬底的膜层的热传导系数，所述第二热传导系数为所述保护层靠近所述衬底的膜层的热传导系数。
[0007]可选地，所述第一热传导系数与所述第二热传导系数的差值为60W/（m
·
K）至80W/（m
·
K）。
[0008]可选地，所述复合层还包括Cr层和NiCr层，所述Cr层、所述Al层和所述NiCr层依次层叠。
[0009]可选地，所述Cr层的厚度为0.5nm至3nm，所述Al层的厚度为80nm至200nm，所述NiCr层的厚度为30nm至300nm。
[0010]可选地，所述保护层包括依次层叠的至少一层金属叠层和Au层，所述金属叠层包括依次层叠的Ni层和Pt层。
[0011]可选地，所述Ni层的厚度为50nm至300nm，所述Pt层的厚度为30nm至200nm，所述Au层的厚度为500nm至1500nm。
[0012]本公开实施例提供了一种改善光效的发光二极管的制备方法，所述制备方法包
括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层；在所述外延层远离所述衬底的表面制作电极，所述电极包括复合层和保护层，所述复合层位于所述外延层的表面，所述保护层至少位于所述复合层远离所述衬底的表面、所述复合层的侧壁和所述外延层的表面，所述复合层包括Al层。
[0013]可选地，在所述外延层远离所述衬底的表面制作复合层包括：在所述外延层的表面形成光刻胶层，并在所述光刻胶层上制作蒸镀孔；通过所述蒸镀孔在所述外延层的表面依次蒸镀Cr层、所述Al层和NiCr层。
[0014]可选地，所述保护层包括依次层叠的至少一层金属叠层和Au层，所述金属叠层包括依次层叠的Ni层和Pt层；在所述复合层上制备所述金属叠层包括：通过所述蒸镀孔在所述复合层的表面、所述复合层的侧壁和所述外延层的表面蒸镀Ni层；通过所述蒸镀孔在所述Ni层的表面、所述Ni层的侧壁和所述外延层的表面蒸镀Pt层，得到所述金属叠层；在所述金属叠层上制作所述Au层包括：通过所述蒸镀孔在所述Pt层的表面、所述Pt层的侧壁和所述外延层的表面蒸镀Au层。
[0015]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：本公开实施例提供的发光二极管的电极包括复合层和保护层，其中，保护层至少位于复合层远离所述衬底的表面、复合层的侧壁和外延层的表面，即保护层包覆复合层，并且复合层中包括Al层，所以能够有效的阻挡空气中的氧气以及制程中的化学试剂和Al金属层发生化学反应，从而避免电极失效问题，保证电极的反光效果，提升发光二极管的发光效果。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本公开实施例提供的一种改善光效的发光二极管的结构示意图；图2是本公开实施例提供的一种电极的结构示意图；图3是本公开实施例提供的一种改善光效的发光二极管的制备方法的流程图；图4是本公开实施例提供的一种电极制备状态图；图5是本公开实施例提供的一种电极制备状态图；图6是本公开实施例提供的一种电极制备状态图；图7是本公开实施例提供的一种电极制备状态图。
[0018]图中各标记说明如下：10、衬底；20、外延层；21、第一半导体层；22、多量子阱层；23、第二半导体层；24、凹槽；31、复合层；311、Al层；312、Cr层；313、NiCr层；32、保护层；321、Ni层；322、Pt层；323、Au层；41、钝化层；42、电流扩展层；43、焊点块；50、光刻胶层；51、蒸镀孔。
具体实施方式
[0019]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
[0020]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
[0021]图1是本公开实施例提供的一种改善光效的发光二极管的结构示意图。如图1所示，该发光二极管包括衬底10、外延层20和电极，外延层20位于衬底10的表面，电极位于外延层20远离衬底10的表面。
[0022]如图1所示，电极包括复合层31和保护层32，复合层31位于外延层20的表面，保护层32至少位于复合层31远离衬底10的表面、复合层31的侧壁和外延层20的表面，复合层31包括Al层311。
[0023]本公开实施例提供的发光二极管的电极包括复合层31和保护层32，其中，保护层32至少位于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善光效的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括衬底（10）、外延层（20）和电极，所述外延层（20）位于所述衬底（10）的表面，所述电极位于所述外延层（20）远离所述衬底（10）的表面；所述电极包括复合层（31）和保护层（32），所述复合层（31）位于所述外延层（20）的表面，所述保护层（32）至少位于所述复合层（31）远离所述衬底（10）的表面、所述复合层（31）的侧壁和所述外延层（20）的表面，所述复合层（31）包括Al层（311）。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，第一热传导系数小于第二热传导系数，所述保护层（32）为叠层结构，所述第一热传导系数为所述复合层（31）远离所述衬底（10）的膜层的热传导系数，所述第二热传导系数为所述保护层（32）靠近所述衬底（10）的膜层的热传导系数。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一热传导系数与所述第二热传导系数的差值为60W/（m
·
K）至80W/（m
·
K）。4.根据权利要求2或3所述的发光二极管，其特征在于，所述复合层（31）还包括Cr层（312）和NiCr层（313），所述Cr层（312）、所述Al层（311）和所述NiCr层（313）依次层叠。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述Cr层（312）的厚度为0.5nm至3nm，所述Al层（311）的厚度为80nm至200nm，所述NiCr层（313）的厚度为30nm至300nm。6.根据权利要求2或3所述的发光二极管，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新建，朱广敏，张舜，陶羽宇，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：