一种发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本申请提供一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括发光结构，包括第一电极和第二电极的电极结构，第一电极与发光结构的N型半导体层电连接，第二电极与发光结构的P型半导体层电连接；发光结构形成有N型台面，以暴露所述N型半导体层，N型台面包括位于中间部分的扩宽部，以及自所述扩宽部的两端向所述发光结构的两侧延伸的条状部，所述N型台面的表面积占所述发光结构的表面积的30％～50％。N型台面的上述结构增加了N型区的面积占比，有利于增加后续形成的N型接触的面积，有利于降低器件的电压。另外，N型台面大体上关于其中心线对称，因此有利于发光二极管的出光光型，利于侧壁出光。光。光。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及发光装置


[0001]本专利技术涉及半导体器件及装置
，特别涉及一种发光二极管及发光装置。

技术介绍

[0002]近年来，紫外光LED特别是深紫外光LED的巨大的应用价值引起了人们的高度关注，成为了新的研究热点。相比于蓝光LED来说，发射诸如紫外光线的短波长的发光二极管具有高Al组成的半导层，导致紫外发光二极管在n型半导体层与n型电极之间具有高接触电阻，因此需要通过提供具有充足面积的n接触电极来防止发光二极管的正向电压的升高。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种发光二极管及发光装置，该发光二极管可以防止由于半导体层的成分而引起的正向电压的升高，并且可以提升可靠性。
[0004]本专利技术的一实施例，提供一种发光二极管，其包括：
[0005]发光结构，所述发光结构包括N型半导体层、P型半导体层以及位于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的有源层，所述发光结构形成有N型台面，以暴露所述N型半导体层，所述N型台面包括位于中间部分的扩宽部，以及自所述扩宽部的两端向所述发光结构的两侧延伸的条状部；
[0006]电极结构，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述第一电极形成在所述N型台面上与所述N型半导体层电连接，所述第二电极与所述P型半导体层电连接，其中，所述第一电极在所述发光结构上的投影面积占所述发光结构的面积的25％～60％；
[0007]绝缘层，形成在所述发光结构的表面上；
[0008]其中，所述第一电极包括位于所述N型台面的扩宽部的主体部及位于所述条状部的指状部，所述指状部自所述主体部的两侧延伸，在垂直与所述指状部的延伸方向上，所述主体部的宽度大于所述指状部的宽度。
[0009]可选地，所述发光二极管还包括焊盘结构，所述焊盘结构包括与所述第一电极电连接的第一焊盘和与所述第二电极电连接的第二焊盘，所述第一焊盘位于所述指状部的上方，并且所述第一焊盘和第二焊盘位于所述发光结构的两端。
[0010]可选地，所述焊盘结构在所述发光结构上的投影不与所述扩宽部重叠。
[0011]可选地，所述第一焊盘和第二焊盘位于所述发光结构的两端且对称设置。
[0012]可选地，所述N型台面中还形成有凸台结构，所述凸台结构包括N型半导体层、P型半导体层以及位于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的有源层，并且所述凸台结构与所述第一电极相互绝缘设置。
[0013]可选地，所述凸台结构形成在所述扩宽部所在的区域，并且所述凸台结构的横截面积小于所述扩宽部的横截面积。
[0014]可选地，所述发光二极管还包括顶针吸附区，所述顶针吸附区形成在所述扩宽部对应的区域，所述顶针吸附区包括形成在所述绝缘层上方的金属层，所述金属层与所述第
一焊盘和所述第二焊盘间隔设置。
[0015]可选地，所述发光二极管还包括顶针吸附区，所述顶针吸附区形成在所述扩宽部对应的区域，所述顶针吸附区包括形成在所述绝缘层上方的金属凸台，所述金属凸台与所述第一焊盘和所述第二焊盘间隔设置，并且所述金属凸台与所述第一焊盘和所述第二焊盘齐平。
[0016]可选地，所述顶针吸附区的所述金属层与所述焊盘结构同时形成。
[0017]可选地，所述金属凸台的上表面与所述焊盘结构的上表面齐平。
[0018]可选地，所述n型半导体层具有由Al
x
Ga1‑
x
N表示的成分的层，其中0.5≤x≤0.65。
[0019]根据本专利技术的另一实施例，提供一种发光二极管，其包括：
[0020]发光结构，所述发光结构包括N型半导体层、P型半导体层以及位于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的有源层，所述发光结构形成有N型台面，以暴露所述N型半导体层，所述N型台面包括位于中间部分的扩宽部，以及自所述扩宽部的两端向所述发光结构的两侧延伸的条状部，在垂直于条状部的延伸方向上，所述扩宽部的宽部大于所述条状部的宽度；
[0021]第一电极和第二电极，所述第一电极形成在所述N型台面上与所述N型半导体层电连接，所述第二电极与所述P型半导体层电连接；
[0022]绝缘层，形成在所述发光结构的表面上；
[0023]焊盘结构，所述焊盘结构包括与所述第一电极电连接的第一焊盘和与所述第二电极电连接的第二焊盘，所述第一焊盘位于所述指状部的上方，并且所述第一焊盘和第二焊盘位于所述发光结构的两端；
[0024]其中，所述第一焊盘在发光结构上的投影与所述扩宽部不重叠。
[0025]可选地，所述有源层的发射波长为360nm以下。
[0026]可选地，所述N型半导体层具有由Al
x
Ga1‑
x
N表示的成分的层，其中0.5≤x≤0.65。
[0027]可选地，所述第二焊盘在发光结构上的投影不与所述N型台面重叠。
[0028]可选地，所述第一电极在所述发光结构上的投影面积占所述发光结构的面积的25％～60％。
[0029]可选地，所述第一电极包含第一接触电极和第一保护电极，所述第一接触电极接触所述N型半导体层，所述第一保护层覆盖在所述第一接触电极上方。
[0030]可选地，所述第一接触电极为Ti
‑
Al
‑
Au合金、Ti
‑
Al
‑
Ni
‑
Au合金、Cr
‑
Al
‑
Ti
‑
Au合金、Ti
‑
Al
‑
Au
‑
Pt合金、Ti
‑
Ru
‑
Au
‑
Al合金或者Ti
‑
Al
‑
Pt合金。
[0031]根据本专利技术的另一实施例，提供一种发光装置，其包括电路基板以及固定在所述电路基板上的发光元件，其中所述发光元件为本专利技术提供的所述发光二极管。
[0032]如上所述，本申请的发光二极管及发光装置，具有以下有益效果：
[0033]本申请的发光二极管包括发光结构，包括第一电极和第二电极的电极结构，第一电极与发光结构的N型半导体层电连接，第二电极与发光结构的P型半导体层电连接；发光结构形成有N型台面，以暴露所述N型半导体层，N型台面包括位于中间部分的扩宽部，以及自所述扩宽部的两端向所述发光结构的两侧延伸的条状部，所述N型台面的表面积占所述发光结构的表面积的30％～50％。N型台面的上述结构增加了N型区的面积占比，有利于增加后续形成的N型电极的接触面积，有利于降低器件的电压。另外，N型台面的上述设置，使
得芯片的出光区大体上关于芯片的中心线对称，因此有利于发光二极管的出光光型，利于侧壁出光。
[0034]第一电极形成在N型台面上，并且包括相互电连接的主体部及指状部，主体部位于发光二极管的中间区域，指状部自所述主体部的两侧延伸，在垂直与所述指状部的延伸方向上，主体部的宽度大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：发光结构，所述发光结构包括N型半导体层、P型半导体层以及位于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的有源层，所述发光结构形成有N型台面，以暴露所述N型半导体层，所述N型台面包括位于中间部分的扩宽部，以及自所述扩宽部的两端向所述发光结构的两侧延伸的条状部；电极结构，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述第一电极形成在所述N型台面上与所述N型半导体层电连接，所述第二电极与所述P型半导体层电连接，其中，所述第一电极在所述发光结构上的投影面积占所述发光结构的面积的25％～60％；绝缘层，形成在所述发光结构的表面上；其中，所述第一电极包括位于所述N型台面的扩宽部的主体部及位于所述条状部的指状部，所述指状部自所述主体部的两侧延伸，在垂直与所述指状部的延伸方向上，所述主体部的宽度大于所述指状部的宽度。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括焊盘结构，所述焊盘结构包括与所述第一电极电连接的第一焊盘和与所述第二电极电连接的第二焊盘，所述第一焊盘位于所述指状部的上方，并且所述第一焊盘和第二焊盘位于所述发光结构的两端。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述焊盘结构在所述发光结构上的投影不与所述扩宽部重叠。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一焊盘和第二焊盘位于所述发光结构的两端且对称设置。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述N型台面中还形成有凸台结构，所述凸台结构包括N型半导体层、P型半导体层以及位于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的有源层，并且所述凸台结构与所述第一电极相互绝缘设置。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述凸台结构形成在所述扩宽部所在的区域，并且所述凸台结构的横截面积小于所述扩宽部的横截面积。7.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，还包括顶针吸附区，所述顶针吸附区形成在所述扩宽部对应的区域，所述顶针吸附区包括形成在所述绝缘层上方的金属层，所述金属层与所述第一焊盘和所述第二焊盘间隔设置。8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括顶针吸附区，所述顶针吸附区形成在所述扩宽部对应的区域，所述顶针吸附区包括形成在所述绝缘层上方的金属凸台，所述金属凸台与所述第一焊盘和所述第二焊盘间隔设置，并且所述金属凸台与所述第一焊盘和所述第二焊盘齐平。9.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述顶针吸附区的所述金属层与所述焊盘结构同时形成。10.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述金属凸台的上表面与所述焊盘结构的上表面齐平。11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述n型半导体层具有由Al
x
Ga1‑
x

【专利技术属性】
技术研发人员：江宾，臧雅姝，蔡吉明，陈思河，张中英，曾炜竣，陈功，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：