【技术实现步骤摘要】
改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法
[0001]本公开涉及光电子制造
,特别涉及一种改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
[0002]发光二极管(英文:Light Emitting Diode,简称:LED)芯片通常包括:衬底、外延层、透明导电层和电极。衬底、外延层和透明导电层依次层叠,电极位于透明导电层的表面,电极通过透明导电层与外延层的半导体层电性连接。电极通电后透明导电层将电流扩展至外延层表面的各区域,以使发光二极管发光。因此,外延层上透明导电层所在区域通常为发光二极管的发光区域。
[0003]相关技术中,透明导电层通常为覆盖在外延层表面的一整层膜层结构,在大电流下,发光区域的各位置能保持亮度一致,而在小电流的情况下,发光区域的不同位置会出现亮度差异。为了改善发光区域的发光均匀性,通常会缩小透明导电层的面积,以缩小发光区域的面积。
[0004]然而,电极是搭接在透明导电层表面上的,电极会遮挡部分透明导电层,且电极会吸光。因此,缩小透明导电层的面积后,会影响发光二级管的发光效率。< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管,其特征在于,所述发光二极管包括:衬底(10)、外延层(20)、绝缘层(30)、透明导电层(40)、第一电极(51)和第二电极(52);所述衬底(10)、所述外延层(20)和所述绝缘层(30)依次层叠,所述绝缘层(30)具有露出所述外延层(20)的过孔(33),所述透明导电层(40)位于所述绝缘层(30)远离所述衬底(10)的表面,且通过所述过孔(33)与所述外延层(20)相连;所述第一电极(51)位于所述透明导电层(40)远离所述衬底(10)的表面,所述第一电极(51)在所述衬底(10)上的正投影位于所述过孔(33)在所述衬底(10)上的正投影之外,所述第二电极(52)位于所述外延层(20)的表面,且与所述透明导电层(40)绝缘。2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述过孔(33)位于所述第一电极(51)和所述第二电极(52)之间。3.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述过孔(33)为锥孔,所述过孔(33)尺寸较大的一端远离所述衬底(10)。4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述过孔(33)的孔壁与所述绝缘层(30)远离所述衬底(10)的表面的夹角为10
°
至60
°
。5.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述绝缘层(30)包括依次层叠的至少两层子层,在层叠方向上,各个所述子层的材料在相同刻蚀液中的刻蚀速率依次增大。6.根据权利要求5所述的发光二极管,其特征在于,所述绝缘层(30)包括依...
【专利技术属性】
技术研发人员:芮哲,高艳龙,秦双娇,尹灵峰,
申请(专利权)人:华灿光电浙江有限公司,
类型:发明
国别省市:
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