改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法技术

本公开提供了一种改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、外延层、绝缘层、透明导电层、第一电极和第二电极；所述衬底、所述外延层和所述绝缘层依次层叠，所述绝缘层具有露出所述外延层的过孔，所述透明导电层位于所述绝缘层远离所述衬底的表面，且通过所述过孔延伸至所述外延层的表面；所述第一电极位于所述透明导电层远离所述衬底的表面，所述第一电极在所述衬底上的正投影位于所述过孔在所述衬底上的正投影之外，所述第二电极位于所述外延层的表面，且与所述透明导电层绝缘。本公开实施例能改善发光区域缩小后，因电极吸光而影响发光效率的问题。响发光效率的问题。响发光效率的问题。

【技术实现步骤摘要】
改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)芯片通常包括：衬底、外延层、透明导电层和电极。衬底、外延层和透明导电层依次层叠，电极位于透明导电层的表面，电极通过透明导电层与外延层的半导体层电性连接。电极通电后透明导电层将电流扩展至外延层表面的各区域，以使发光二极管发光。因此，外延层上透明导电层所在区域通常为发光二极管的发光区域。
[0003]相关技术中，透明导电层通常为覆盖在外延层表面的一整层膜层结构，在大电流下，发光区域的各位置能保持亮度一致，而在小电流的情况下，发光区域的不同位置会出现亮度差异。为了改善发光区域的发光均匀性，通常会缩小透明导电层的面积，以缩小发光区域的面积。
[0004]然而，电极是搭接在透明导电层表面上的，电极会遮挡部分透明导电层，且电极会吸光。因此，缩小透明导电层的面积后，会影响发光二级管的发光效率。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法，能改善发光区域缩小后，因电极吸光而影响发光效率的问题。所述技术方案如下：
[0006]一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：衬底、外延层、绝缘层、透明导电层、第一电极和第二电极；所述衬底、所述外延层和所述绝缘层依次层叠，所述绝缘层具有露出所述外延层的过孔，所述透明导电层位于所述绝缘层远离所述衬底的表面，且通过所述过孔与所述外延层相连；所述第一电极位于所述透明导电层远离所述衬底的表面，所述第一电极在所述衬底上的正投影位于所述过孔在所述衬底上的正投影之外，所述第二电极位于所述外延层的表面，且与所述透明导电层绝缘。
[0007]可选地，所述过孔位于所述第一电极和所述第二电极之间。
[0008]可选地，所述过孔为锥孔，所述过孔尺寸较大的一端远离所述衬底。
[0009]可选地，所述过孔的孔壁与所述绝缘层远离所述衬底的表面的夹角为10
°
至60
°
。
[0010]可选地，所述绝缘层包括依次层叠的至少两层子层，在层叠方向上，各个所述子层的材料在相同刻蚀液中的刻蚀速率依次增大。
[0011]可选地，所述绝缘层包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层为氧化铝层，所述第二子层为氧化硅层。
[0012]可选地，所述第一子层的厚度为600埃至1200埃。
[0013]可选地，所述第二子层的厚度为2400埃至5000埃。
[0014]可选地，所述发光二极管还包括钝化层、第一焊点块和第二焊点块；所述钝化层至
少位于所述绝缘层的表面、所述透明导电层的表面、所述第一电极的表面和所述第二电极的表面；所述第一焊点块和所述第二焊点块间隔分布在所述钝化层上，所述钝化层具有分别露出所述第一电极和所述第二电极的两个通孔，所述第一焊点块和所述第二焊点块分别通过所述两个通孔与所述第一电极和所述第二电极连接。
[0015]另一方面，本公开实施例还提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成外延层、绝缘层和透明导电层，所述绝缘层具有露出所述外延层的过孔，所述透明导电层位于所述绝缘层远离所述衬底的表面，且通过所述过孔与所述外延层相连；制作第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述透明导电层远离所述衬底的表面，所述第一电极在所述衬底上的正投影位于所述过孔在所述衬底上的正投影之外，所述第二电极位于所述外延层的表面，且与所述透明导电层绝缘。
[0016]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0017]本公开实施例提供的发光二极管包括层叠在衬底上的外延层和绝缘层，其中绝缘层上有露出外延层的过孔，透明导电层位于绝缘层上且通过过孔延伸至外延层的表面，让透明导电层得以与外延层电性连接。第一电极位于透明导电层上，以使电流能通过第一电极传导至透明导电层，再经透明导电层传导至外延层。
[0018]由于透明导电层仅通过过孔与外延层电性连接，即透明导电层与外延层的接触区域为过孔围成的区域，因而缩减了外延层的发光区域的面积；同时，由于第一电极和过孔的在衬底上的正投影不重叠，即第一电极没有搭接在过孔的上方，而是偏置在过孔的一侧，这样就能有效避免第一电极吸收发光区域的光线，改善发光区域缩小后，因电极吸光而影响发光效率的问题，提升发光二极管的发光效果。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本公开实施例提供的一种发光二极管的俯视图；
[0021]图2是图1提供的AA截面图；
[0022]图3是本公开实施例提供的一种发光二极管的局部方法示意图；
[0023]图4是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程图。
[0024]图中各标记说明如下：
[0025]10、衬底；
[0026]20、外延层；21、第一半导体层；22、多量子阱层；23、第二半导体层；24、凹槽；
[0027]30、绝缘层；31、第一子层；32、第二子层；33、过孔；
[0028]40、透明导电层；
[0029]51、第一电极；52、第二电极；
[0030]60、钝化层；61、通孔；
[0031]71、第一焊点块；72、第二焊点块。
具体实施方式
[0032]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
[0033]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
[0034]图1是本公开实施例提供的一种发光二极管的俯视图。图2是图1提供的AA截面图。图2中示意的是从图1中AA截面线截成的截面图。如图1、2所示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底(10)、外延层(20)、绝缘层(30)、透明导电层(40)、第一电极(51)和第二电极(52)；所述衬底(10)、所述外延层(20)和所述绝缘层(30)依次层叠，所述绝缘层(30)具有露出所述外延层(20)的过孔(33)，所述透明导电层(40)位于所述绝缘层(30)远离所述衬底(10)的表面，且通过所述过孔(33)与所述外延层(20)相连；所述第一电极(51)位于所述透明导电层(40)远离所述衬底(10)的表面，所述第一电极(51)在所述衬底(10)上的正投影位于所述过孔(33)在所述衬底(10)上的正投影之外，所述第二电极(52)位于所述外延层(20)的表面，且与所述透明导电层(40)绝缘。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述过孔(33)位于所述第一电极(51)和所述第二电极(52)之间。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述过孔(33)为锥孔，所述过孔(33)尺寸较大的一端远离所述衬底(10)。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述过孔(33)的孔壁与所述绝缘层(30)远离所述衬底(10)的表面的夹角为10
°
至60
°
。5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层(30)包括依次层叠的至少两层子层，在层叠方向上，各个所述子层的材料在相同刻蚀液中的刻蚀速率依次增大。6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述绝缘层(30)包括依...

【专利技术属性】
技术研发人员：芮哲，高艳龙，秦双娇，尹灵峰，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：