功率半导体器件及其制备方法技术

本公开提供了一种功率半导体器件及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该功率半导体器件包括外延片、阳电极和阴电极；外延片包括衬底和依次形成在衬底上的缓冲层、U

【技术实现步骤摘要】
功率半导体器件及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种功率半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)属于一种功率半导体器件，其作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
[0003]在相关技术中，功率半导体器件主要包括外延片、阳电极和阴电极，阳电极和阴电极均与外延片相连。
[0004]然而，在功率半导体器件中容易出现电场分布不均匀的问题，进而导致阳电极和阴电极处出现电流拥堵。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种功率半导体器件的外延片及其制备方法，能够改善电场分布，有助于提高功率半导体器件的高温可靠性。所述技术方案如下：
[0006]一方面，本公开实施例提供了一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括外延片、阳电极和阴电极；
[0007]所述外延片包括衬底和依次形成在所述衬底上的缓冲层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括外延片(10)、阳电极(20)和阴电极(30)；所述外延片(10)包括衬底(110)和依次形成在所述衬底(110)上的缓冲层(120)、U
‑
GaN层(130)、AlGaN层(140)、GaN帽层(150)和SiN保护层(160)；所述阳电极(20)和所述阴电极(30)相互间隔，所述阳电极(20)的第一端依次贯穿所述SiN保护层(160)和所述GaN帽层(150)并插接在所述AlGaN层(140)内，所述阳电极(20)朝向所述阴电极(30)的一侧相对于所述AlGaN层(140)倾斜；所述阴电极(30)的第一端依次贯穿所述SiN保护层(160)和所述GaN帽层(150)并插接在所述AlGaN层(140)内，所述阴电极(30)朝向所述阳电极(20)的一侧相对于所述AlGaN层(140)倾斜。2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，在所述阳电极(20)的第一端至第二端的方向上，所述阳电极(20)朝向所述阴电极(30)的一侧，朝向所述阴电极(30)倾斜。3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，在所述阴电极(30)的第二端至第一端的方向上，所述阴电极(30)朝向所述阳电极(20)的一侧，背离所述阳电极(20)倾斜。4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述阳电极(20)朝向所述阴电极(30)的一侧相对于所述AlGaN层(140)倾斜5
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50
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。5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述阴电极(30)朝向所述阳电极(20)的一侧相对于所述AlGaN层(140)倾斜5
°‑
50

【专利技术属性】
技术研发人员：王群，龚逸品，陈张笑雄，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：