【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种改善电极吸光的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管(英文：light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
2、相关技术中，发光二极管通常包括垂直结构和水平结构。其中，垂直结构的发光二极管包括依次层叠的衬底、反射镜层、透明导电层、介质膜和外延层。在外延层远离衬底的一表面会设置电极，电极通常包括依次层叠在外延层的表面上的多层金属层。
3、然而，金属本身材质不透光，且会吸收光线。因此，对于正面出光的发光二极管，电极的存在会导致吸光的问题，降低了发光二极管的亮度。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种改善电极吸光的发光二极管及其制备方法，能改善电极吸光的问题，提升发光二极管的亮度。所述技术方案如下：
2、一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括外延层和电极，所述电极位于所述外延层的一表面；所述电极包括：半导体层、金属层和介质层，所述半导体层和所述介质层均位于所述外延层的表面，所述半导体层和所述介质层同层，且所述介质层与所述半导体层的至少部分侧壁相连，所述金属层位于所述半导体层的远离所述外延层的表面和所述介质层远离所述外延层的表面；所述介质层的折射率与所述外延层靠近所述电极的膜层的折射率不同。
3、可选地，所述金属层在所述外延
4、可选地，所述介质层环绕所述半导体层，所述半导体层的所有侧壁均与所述介质层的侧壁相连。
5、可选地，所述介质层的宽度与所述金属层的宽度的比值为0.1至0.4，所述电极呈条状，所述介质层的宽度方向垂直于所述电极的长度方向，且平行于所述外延层的表面，所述介质层的宽度方向与所述金属层的宽度方向相同。
6、可选地，所述介质层的厚度大于或者等于所述半导体层的厚度。
7、可选地，所述介质层包括透明导电层和绝缘材料层中的至少一种。
8、可选地，所述发光二极管还包括：绝缘层、反射镜层和衬底，所述反射镜层、所述绝缘层和所述外延层依次层叠在所述衬底上；所述绝缘层具有露出所述反射镜层的通孔，所述通孔内具有导电材料，所述外延层和所述反射镜层通过所述导电材料电性连接。
9、可选地，所述通孔在所述衬底上的正投影位于所述电极在所述衬底上的正投影之外。
10、另一方面，本公开实施例还提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：提供一外延片，所述外延片包括外延层；在所述外延层的一表面形成电极，所述电极包括：半导体层、金属层和介质层，所述半导体层和所述介质层均位于所述外延层的表面，所述半导体层和所述介质层同层，且所述介质层与所述半导体层的至少部分侧壁相连，所述金属层位于所述半导体层的远离所述外延层的表面和所述介质层远离所述外延层的表面；所述介质层的折射率与所述外延层靠近所述电极的膜层的折射率不同。
11、可选地，在所述外延层的一表面形成电极包括：在所述外延层的表面形成所述半导体层；在所述外延层的表面形成所述介质层，所述介质层环绕所述半导体层，所述半导体层的所有侧壁均与所述介质层的侧壁相连；在所述半导体层和所述介质层的表面形成所述金属层，所述金属层在所述外延层远离所述电极的表面的正投影的外轮廓，位于所述介质层在所述外延层远离所述电极的表面的正投影之内。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
13、本公开实施例的发光二极管包括外延层和电极，电极的半导体层和介质层均位于外延层的同一表面上，电极的金属层位于半导体层和介质层的表面上。其中，介质层与半导体层的至少部分侧壁相连。即相较于相关技术，介质层替代金属层遮挡半导体层的部分侧壁。
14、这样当外延层发出的光线射向电极的侧壁时，由于介质层遮挡了半导体层的部分侧壁，光线会率先射向介质层。而介质层的折射率与外延层靠近电极的膜层的折射率不同，就使得入射到介质层的表面的光线会发生反射或折射，而避免光线被金属吸收。反射的光线也能再次经外延层反射并射向发光二极管的出光面，从而提升发光二极管的亮度。
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1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括外延层(20)和电极(30)，所述电极(30)位于所述外延层(20)的一表面；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属层(302)在所述外延层(20)的远离所述电极(30)的表面的正投影的外轮廓，位于所述介质层(303)在所述外延层(20)的远离所述电极(30)的表面的正投影之内。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述介质层(303)环绕所述半导体层(301)，所述半导体层(301)的所有侧壁均与所述介质层(303)的侧壁相连。
4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述介质层(303)的宽度(L1)与所述金属层(302)的宽度(L2)的比值为0.1至0.4，所述电极(30)呈条状，所述介质层(303)的宽度方向垂直于所述电极(30)的长度方向，且平行于所述外延层(20)的表面，所述介质层(303)的宽度方向与所述金属层(302)的宽度方向相同。
5.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述介质层(303)的厚度
6.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述介质层(303)包括透明导电层和绝缘材料层中的至少一种。
7.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：绝缘层(40)、反射镜层(50)和衬底(10)，所述反射镜层(50)、所述绝缘层(40)和所述外延层(20)依次层叠在所述衬底(10)上；
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述通孔(41)在所述衬底(10)上的正投影位于所述电极(30)在所述衬底(10)上的正投影之外。
9.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述外延层的一表面形成电极包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括外延层(20)和电极(30)，所述电极(30)位于所述外延层(20)的一表面；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述金属层(302)在所述外延层(20)的远离所述电极(30)的表面的正投影的外轮廓，位于所述介质层(303)在所述外延层(20)的远离所述电极(30)的表面的正投影之内。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述介质层(303)环绕所述半导体层(301)，所述半导体层(301)的所有侧壁均与所述介质层(303)的侧壁相连。
4.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述介质层(303)的宽度(l1)与所述金属层(302)的宽度(l2)的比值为0.1至0.4，所述电极(30)呈条状，所述介质层(303)的宽度方向垂直于所述电极(30)的长度方向，且平行于所述外延层(20)的表面，所述介质层(303)的宽度方向与所述金属层...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄庆，张美，杭伟，王洪占，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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