半导体器件及其制造方法技术

技术编号：41133035 阅读：6 留言：0更新日期：2024-04-30 18:03

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法和一种半导体器件，该制造方法包括：在子栅极牺牲图案和半导体图案的堆叠结构上形成彼此间隔开的多个主栅极牺牲图案；在主栅极牺牲图案之间形成第一绝缘层；去除主栅极牺牲图案；去除子栅极牺牲图案；在从其去除了主栅极牺牲图案的空间中形成主栅极虚设图案；在从其去除了子栅极牺牲图案的空间中形成多个子栅极虚设图案；在去除了第一绝缘层的空间下方形成凹陷；在凹陷内形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成第二绝缘层；去除主栅极虚设图案和子栅极虚设图案；以及在去除了主栅极虚设图案和子栅极虚设图案的空间中形成栅极电极。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

各种示例实施方式涉及一种半导体器件和/或其制造方法。

技术介绍

1、半导体是或包括属于导体和绝缘体之间的中间区域的材料，并且可以指在预定条件下导电的材料。通过使用这样的半导体材料，可以制造各种半导体器件，例如可以制造存储器件等。这样的半导体器件可以用于各种电子设备。

2、根据电子设备的缩小或小型化和/或高集成化趋势，需要或期望精细地形成构成半导体器件的图案。可能发生诸如由这种精细图案形成的导线或电极之间的短路的缺陷。

技术实现思路

1、为了提供能够稳定地或更稳定地形成精细图案的半导体器件及其制造方法，已经做出各种示例实施方式。

2、一些示例实施方式提供了一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：在衬底上交替堆叠多个子栅极牺牲图案和多个半导体图案；在子栅极牺牲图案和半导体图案的堆叠结构上形成彼此间隔开的多个主栅极牺牲图案；在主栅极牺牲图案之间形成第一绝缘层；去除主栅极牺牲图案；去除子栅极牺牲图案；在从其去除了主栅极牺牲图案的空间中形成主栅极虚设图案；在从其去除了子栅极牺牲图案的空间中形成多个子栅极虚设图案；去除第一绝缘层并且在去除了第一绝缘层的空间下方形成凹陷；在凹陷内形成源极/漏极图案；在源极/漏极图案上形成第二绝缘层；去除主栅极虚设图案和子栅极虚设图案；以及在去除了主栅极虚设图案和子栅极虚设图案的空间中形成栅极电极。

3、可选地或附加地，一些示例实施方式提供了一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上交替堆叠多个子栅极牺牲图案和多个半导体图案；在

4、可选地或附加地，一些示例实施方式包括一种半导体器件，该半导体器件包括衬底、彼此间隔开并堆叠在衬底上的多个沟道图案、围绕沟道图案的栅极电极、在沟道图案和栅极电极之间的栅极绝缘层、在沟道图案的相反侧的源极/漏极图案、以及在栅极电极和源极/漏极图案之间的多个子栅极牺牲图案。

5、根据各种示例实施方式，可以更稳定地形成包括在半导体器件中的精细图案。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的制造方法，其中

3.如权利要求2所述的制造方法，进一步包括，

4.如权利要求3所述的制造方法，其中

5.如权利要求3所述的制造方法，其中

6.如权利要求3所述的制造方法，其中

7.如权利要求1所述的制造方法，其中

8.如权利要求7所述的制造方法，其中

9.如权利要求7所述的制造方法，其中

10.如权利要求7所述的制造方法，其中

11.如权利要求7所述的制造方法，其中

12.如权利要求11所述的制造方法，其中

13.如权利要求2所述的制造方法，其中

14.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

15.如权利要求14所述的制造方法，其中

16.一种半导体器件，包括：

17.如权利要求16所述的半导体器件，其中

18.如权利要求17所述的半导体器件，其中

19.如权利要求16所述的半导体器件，其中

...

【技术特征摘要】