System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 显示装置及其制造方法制造方法及图纸_技高网

显示装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号:41133011 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-30 18:03
公开了显示装置及其制造方法,显示装置可以包括第一电极、发光元件、中间层和第二电极,第一电极在衬底的表面上方,发光元件各自包括第一端部和第二端部,第一端部在第一电极上方、接触并电连接到第一电极,第二端部相对于与衬底的表面垂直的方向与第一端部相对,中间层在发光元件上并且暴露第二端部,第二电极在中间层上方并且接触并电连接到第二端部,其中发光元件各自包括朝向第二电极依次布置的结合电极、第二层、有源层、第一层以及通过将杂质掺杂到本征半导体层中而具有导电性的第三层。

【技术实现步骤摘要】

本公开大体上涉及显示装置及其制造方法


技术介绍

1、近来,随着对信息显示的兴趣的增加,显示装置的研究和开发已经持续进行。


技术实现思路

1、实施方式提供了具有改善的可靠性的显示装置。

2、实施方式还提供了上述显示装置的制造方法。

3、根据本公开的方面,提供了显示装置,显示装置包括第一电极、发光元件、中间层以及第二电极,第一电极在衬底的表面上方,发光元件各自包括第一端部和第二端部,第一端部在第一电极上方、接触并电连接到第一电极,第二端部相对于与衬底的表面垂直的方向与第一端部相对,中间层在发光元件上并且暴露第二端部,第二电极在中间层上方并且接触并电连接到第二端部,其中,发光元件各自包括朝向第二电极依次布置的结合电极、第二层、有源层、第一层和通过将杂质掺杂到本征半导体层中而具有导电性的第三层。

4、结合电极可以在第一端部处,并且电连接到第一电极,其中,第三层在第二端部处并且电连接到第二电极。

5、第一层可以包括n型半导体层,并且第二层可以包括p型半导体层。

6、中间层可以包括有机层。

7、显示装置还可以包括:第一堤,在第一电极上方限定开口以暴露第一电极的区域;以及盖层,在第二电极上方。

8、中间层可以在平面图中在第一堤的开口中在第一堤和发光元件之间,从而固定发光元件,并且中间层具有平坦的表面。

9、显示装置还可以包括:颜色转换层,包括在盖层上方并且与发光元件对应的颜色转换图案以及与颜色转换图案相邻的第二堤,第二堤在盖层上方并且与第一堤对应;以及滤色器层,在颜色转换层上方,并且配置成选择性地透射从颜色转换层发射的光。

10、显示装置还可以包括在第一电极和发光元件的第一端部之间的导电图案。

11、根据本公开的另一方面,提供了显示装置,显示装置包括:衬底,包括发射区域和非发射区域;钝化层,在衬底的表面上方;第(1-1)电极、第(1-2)电极和第(1-3)电极,在钝化层上方并且间隔开;第一堤,在第(1-1)电极、第(1-2)电极、第(1-3)电极和钝化层上方,并且限定暴露第(1-1)电极、第(1-2)电极和第(1-3)电极的相应区域的开口;第一发光元件,各自包括在第(1-1)电极上方、接触并电连接到第(1-1)电极的第一端部以及在与衬底的表面垂直的方向上与第一发光元件的第一端部相对的第二端部;第二发光元件,各自包括在第(1-2)电极上方、接触并电连接到第(1-2)电极的第一端部以及在与衬底的表面垂直的方向上与第二发光元件的第一端部相对的第二端部;第三发光元件,各自包括在第(1-3)电极上方、接触并电连接到第(1-3)电极的第一端部以及在与衬底的表面垂直的方向上与第三发光元件的第一端部相对的第二端部;中间层,在第一发光元件、第二发光元件、第三发光元件和第一堤上,并且暴露第一发光元件的第二端部、第二发光元件的第二端部和第三发光元件的第二端部;以及第二电极,在中间层上方,接触第一发光元件的第二端部、第二发光元件的第二端部和第三发光元件的第二端部,并且电连接到第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件,其中,第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的每个包括朝向第二电极依次布置的结合电极、第二层、有源层、第一层和通过将杂质掺杂到本征半导体层中而具有导电性的第三层。

12、在第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的每个中,结合电极可以在第一端部处,并且可以电连接到第(1-1)电极、第(1-2)电极和第(1-3)电极中的相应一个,其中,第三层在第二端部处并且电连接到第二电极。

13、第一层可以包括n型半导体层,并且第二层可以包括p型半导体层。

14、根据本公开的又一方面,提供了制造显示装置的方法,所述方法包括:在衬底的表面上方形成第一电极;在第一电极上方形成第一堤,第一堤限定暴露第一电极的区域的开口;制备各自包括第一端部和与第一端部相对的第二端部的发光元件;转移发光元件,使得第一端部接触第一电极;在发光元件之上形成金属层;在金属层上方形成光敏图案,光敏图案暴露金属层的与第二端部对应的区域;通过使用光敏图案作为蚀刻掩模的蚀刻工艺去除金属层的区域来形成暴露第二端部的金属图案;通过去除光敏图案来暴露金属图案;用杂质掺杂金属图案和第二端部;通过去除金属图案来暴露发光元件和第一堤;以及在发光元件和第一堤之上形成中间层。

15、形成中间层可以包括:在发光元件和第一堤之上涂覆中间基础层;固化中间基础层;以及通过由灰化工艺去除中间基础层的部分来暴露第二端部。

16、中间层可以包括有机层。

17、所述方法还可以包括:在中间层上方形成第二电极,第二电极接触第二端部以电连接到发光元件。

18、发光元件可以包括在第一端部处并且接触第一电极的结合电极、在结合电极上方的第二层、在第二层上方的有源层、在有源层上方的第一层以及在第一层上方的、在第二端部处并且接触第二电极的第三层。

19、在转移发光元件时,第一层可以包括n型半导体层,第二层包括p型半导体层,并且第三层包括本征半导体层。

20、在掺杂金属图案和第二端部时,第三层可以通过将杂质掺杂到本征半导体层中而具有导电性。

21、在掺杂金属图案和第二端部时,金属图案可以用作覆盖发光元件的侧面、第一堤和第一电极的阻隔层。

22、金属层可以包括氧化铟锌、铝和氧化铟镓锌中的至少一种。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述结合电极在所述第一端部处,并且电连接到所述第一电极,以及

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一层包括n型半导体层,并且所述第二层包括p型半导体层。

4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述中间层包括有机层。

5.根据权利要求4所述的显示装置,还包括:

6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述中间层在平面图中在所述第一堤的所述开口中在所述第一堤和所述发光元件之间,从而固定所述发光元件,并且所述中间层具有平坦的表面。

7.根据权利要求5所述的显示装置,还包括:

8.根据权利要求1所述的显示装置,还包括在所述第一电极和所述发光元件的所述第一端部之间的导电图案。

9.显示装置,包括:

10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,在所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件中的每个中:

11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第一层包括n型半导体层,并且所述第二层包括p型半导体层。

12.制造显示装置的方法,所述方法包括:

13.根据权利要求12所述的方法,其中,形成所述中间层包括:

14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述中间层包括有机层。

15.根据权利要求14所述的方法,还包括:在所述中间层上方形成第二电极,所述第二电极接触所述第二端部以电连接到所述发光元件。

16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述发光元件包括在所述第一端部处并且接触所述第一电极的结合电极、在所述结合电极上方的第二层、在所述第二层上方的有源层、在所述有源层上方的第一层以及在所述第一层上方的、在所述第二端部处并且接触所述第二电极的第三层。

17.根据权利要求16所述的方法,其中,在转移所述发光元件时,所述第一层包括n型半导体层,所述第二层包括p型半导体层,并且所述第三层包括本征半导体层。

18.根据权利要求17所述的方法,其中,在掺杂所述金属图案和所述第二端部时,所述第三层通过将所述杂质掺杂到所述本征半导体层中而具有导电性。

19.根据权利要求12所述的方法,其中,在掺杂所述金属图案和所述第二端部时,所述金属图案用作覆盖所述发光元件的侧面、所述第一堤和所述第一电极的阻隔层。

20.根据权利要求12所述的方法,其中,所述金属层包括氧化铟锌、铝和氧化铟镓锌中的至少一种。

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【技术特征摘要】

1.显示装置,包括:

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述结合电极在所述第一端部处,并且电连接到所述第一电极,以及

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一层包括n型半导体层,并且所述第二层包括p型半导体层。

4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述中间层包括有机层。

5.根据权利要求4所述的显示装置,还包括:

6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述中间层在平面图中在所述第一堤的所述开口中在所述第一堤和所述发光元件之间,从而固定所述发光元件,并且所述中间层具有平坦的表面。

7.根据权利要求5所述的显示装置,还包括:

8.根据权利要求1所述的显示装置,还包括在所述第一电极和所述发光元件的所述第一端部之间的导电图案。

9.显示装置,包括:

10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,在所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件中的每个中:

11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第一层包括n型半导体层,并且所述第二层包括p型半导体层。

12.制造显示装置的方法,所述方法包括:

13.根据权利要求12所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:全保建
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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