一种高亮度的LED倒装芯片结构制造技术

本发明专利技术涉及LED领域，具体涉及一种高亮度的LED倒装芯片结构，包括依次层叠的蓝宝石衬底、N层、量子阱和P层；所述N极导电层电连接N层并与P层绝缘；多个所述N极导电层互相平行且均匀设置；每个所述N极导电层上沿N极导电层长度方向上均匀设置多个N极；多个所述P极均匀设置在P极导电层上并均电连接P层。本发明专利技术的有益效果在于：多个N极串联，每个N极提供给量子阱和P层的电子尽可能相等；P极同理；N极在N极导电层上的均匀分布，以及P极在P极导电层上的均匀分布，均使电流能均匀的流过量子阱和P层，避免了电流在量子阱和P层中集中，从而提高了所述高亮度的LED倒装芯片结构发光量和发光效率。亮度的LED倒装芯片结构发光量和发光效率。亮度的LED倒装芯片结构发光量和发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种高亮度的LED倒装芯片结构


[0001]本专利技术涉及LED领域，具体涉及一种高亮度的LED倒装芯片结构。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode)即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件。作为新型的发光器件，LED具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点，因此被称为最有潜力的新一代光源，在照明领域应用领域极为常见。
[0003]正装的LED包括依次设置的基板、蓝宝石衬底、N层、量子阱和P层；为了提高LED的性能，将LED的部分结构倒置，使其包括依次设置的基板、P层、量子阱、N层和蓝宝石衬底。
[0004]在LED领域持续发展的过程中，对LED的亮度提出了更高的要求。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种高亮度的LED倒装芯片结构，其通过均匀电流在外延层上的分布，提高了亮度。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的一种技术方案为：一种高亮度的LED倒装芯片结构，包括依次层叠的蓝宝石衬底、N层、量子阱和P层；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高亮度的LED倒装芯片结构，其特征在于，包括依次层叠的蓝宝石衬底、N层、量子阱和P层；还包括金属层、N极和多个P极；所述金属层包括互相绝缘的P极导电层和N极导电层；所述N极导电层电连接N层并与P层绝缘；所述N极导电层呈条状且设有多个，多个所述N极导电层互相平行且均匀设置；每个所述N极导电层上沿N极导电层长度方向上均匀设置多个N极；多个所述P极均匀设置在P极导电层上并均电连接P层。2.根据权利要求1所述的高亮度的LED倒装芯片结构，其特征在于，所述金属层设置在P层上方，所述金属层和P层之间还设有DBR反射层，所述DBR反射层上设有对应P极和N极的电极开孔；所述N极穿过电极开孔连接N极导电层，所述P极穿过电机开孔连接P极导电层。3.根据权利要求1所述的高亮度的LED倒装芯片结构，其特征在于，还包括基板、PV绝缘层、第一凸起层和第二凸起层；所述PV绝缘层覆盖在金属层上；所述第一凸起层和第二凸起层之间绝缘且均设置在PV绝缘层上；所述第一凸起层电连接P极导电层，所述第二凸起层电连接N极导电层，所述第一凸起层设置在基板和绝缘层之间，所述第二凸起层设置在基板和绝缘层之间。4.根据权利要求3所述的高亮度的LED倒装芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章挺，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：