一种高亮度的LED倒装芯片结构制造技术

本发明专利技术涉及LED领域，具体涉及一种高亮度的LED倒装芯片结构，包括依次层叠的蓝宝石衬底、N层、量子阱和P层；所述N极导电层电连接N层并与P层绝缘；多个所述N极导电层互相平行且均匀设置；每个所述N极导电层上沿N极导电层长度方向上均匀设置多个N极；多个所述P极均匀设置在P极导电层上并均电连接P层。本发明专利技术的有益效果在于：多个N极串联，每个N极提供给量子阱和P层的电子尽可能相等；P极同理；N极在N极导电层上的均匀分布，以及P极在P极导电层上的均匀分布，均使电流能均匀的流过量子阱和P层，避免了电流在量子阱和P层中集中，从而提高了所述高亮度的LED倒装芯片结构发光量和发光效率。亮度的LED倒装芯片结构发光量和发光效率。亮度的LED倒装芯片结构发光量和发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种高亮度的LED倒装芯片结构


[0001]本专利技术涉及LED领域，具体涉及一种高亮度的LED倒装芯片结构。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode)即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件。作为新型的发光器件，LED具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点，因此被称为最有潜力的新一代光源，在照明领域应用领域极为常见。
[0003]正装的LED包括依次设置的基板、蓝宝石衬底、N层、量子阱和P层；为了提高LED的性能，将LED的部分结构倒置，使其包括依次设置的基板、P层、量子阱、N层和蓝宝石衬底。
[0004]在LED领域持续发展的过程中，对LED的亮度提出了更高的要求。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种高亮度的LED倒装芯片结构，其通过均匀电流在外延层上的分布，提高了亮度。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术采用的一种技术方案为：一种高亮度的LED倒装芯片结构，包括依次层叠的蓝宝石衬底、N层、量子阱和P层；还包括金属层、N极和多个P极；所述金属层包括互相绝缘的P极导电层和N极导电层；所述N极导电层电连接N层并与P层绝缘；
[0007]所述N极导电层呈条状且设有多个，多个所述N极导电层互相平行且均匀设置；每个所述N极导电层上沿N极导电层长度方向上均匀设置多个N极；多个所述P极均匀设置在P极导电层上并均电连接P层。
[0008]本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供的高亮度的LED倒装芯片结构中，多个N极串联，使N极电连接后，每个N极提供给量子阱和P层的电子尽可能相等；P极同理；所述高亮度的LED倒装芯片结构中还设置的N极在N极导电层上的均匀分布，以及P极在P极导电层上的均匀分布，均使电流能均匀的流过量子阱和P层，避免了电流在量子阱和P层中集中，从而提高了所述高亮度的LED倒装芯片结构发光量和发光效率。
附图说明
[0009]图1为本专利技术具体实施例二的一种高亮度的LED倒装芯片结构的整体结构俯视图；
[0010]图2为本专利技术具体实施例一的一种高亮度的LED倒装芯片结构的剖面示意图；
[0011]标号说明：
[0012]1、蓝宝石衬底；2、外延层；21、N层；22、量子阱；23、P层；24、电流阻挡层；
[0013]3、ITO层；4、N极；5、P极；6、金属层；61、N极导电层；62、P极导电层；63、LINE阻隔层；7、DBR反射层；8、电极开孔；
[0014]9、PV绝缘层；91、P极开孔；92、N极开孔；
[0015]10、第一凸起层；11、第二凸起层；12、PN极区标志槽。
具体实施方式
[0016]为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0017]请参照图1，一种高亮度的LED倒装芯片结构，包括依次层叠的蓝宝石衬底1、N层21、量子阱22和P层23；还包括金属层6、N极4和多个P极5；所述金属层6包括互相绝缘的P极导电层62和N极导电层61；所述N极导电层61电连接N层21并与P层23绝缘；
[0018]所述N极导电层61呈条状且设有多个，多个所述N极导电层61互相平行且均匀设置；每个所述N极导电层61上沿N极导电层61长度方向上均匀设置多个N极4；多个所述P极5均匀设置在P极导电层62上并均电连接P层23。
[0019]由上描述可知，本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供的高亮度的LED倒装芯片结构中，多个N极串联，使N极电连接后，每个N极提供给量子阱22和P层23的电子尽可能相等；P极同理；所述高亮度的LED倒装芯片结构中还设置的N极在N极导电层61上的均匀分布，以及P极在P极导电层62上的均匀分布，均使电流能均匀的流过量子阱22和P层23，避免了电流在量子阱22和P层23中集中，从而提高了所述高亮度的LED倒装芯片结构发光量和发光效率。
[0020]以下可参照图2，进一步地，所述金属层6设置在P层23上方，所述金属层6和P层23之间还设有DBR反射层7，所述DBR反射层7上设有对应P极和N极的电极开孔8；所述N极穿过电极开孔8连接N极导电层61，所述P极穿过电机开孔连接P极导电层62。
[0021]由上描述可知，所述DBR反射层7将光朝N层21方向反射，提高所述高亮度的LED倒装芯片结构的发光量；所述DBR反射层7绝缘；还包括的LINE阻隔层63通过抵接DBR反射层7并隔绝在P极导电层62和N极导电层61之间使N极导电层61和P极导电层62绝缘。
[0022]进一步地，还包括基板、PV绝缘层9、第一凸起层10和第二凸起层11；
[0023]所述PV绝缘层9覆盖在金属层6上；所述第一凸起层10和第二凸起层11之间绝缘且均设置在PV绝缘层9上；所述第一凸起层10电连接P极导电层62，所述第二凸起层11电连接N极导电层61，所述第一凸起层10设置在基板和绝缘层之间，所述第二凸起层11设置在基板和绝缘层之间。
[0024]由上描述可知，所述第一凸起层10和第二凸起层11作为PV绝缘层9和基板之间的凸起，使PV绝缘层9和基板间隔设置，使N极和P极有电连接的空间。第一凸起层10和第二凸起层11为了提高与基板的粘附力，采用金属材质；PV绝缘层9避免第一凸起层10或第二凸起层11同时连接P极和N极，进而避免短路。
[0025]进一步地，所述第一凸起层10和第二凸起层11均呈矩形的环状；所述第一凸起层10和第二凸起层11分别沿N极导电层61长度方向设置在PV绝缘层9的两端。
[0026]由上描述可知，所述第一凸起层10和凸起层在两端的设置使所述高亮度的LED倒装芯片结构表面分为了N极区和P极区，电流从P极区的第一凸起层10流向P极导电层62，后从N极导电层61流出N极区的第二凸起层11；上述设置使电流能更均匀的流过量子阱22和P层23。
[0027]进一步地，所述PV绝缘层9包括P极PV和N极PV，所述P极PV和N极PV分别沿N极导电层61长度方向设置在金属层6的两端；所述P极PV上均匀设有多个P极开孔91，所述N极PV上对应N极导电层61处设有N极开孔92；所述第一凸起层10通过P极开孔91电连接P极导电层62；所述第二凸起层11通过N极开孔92电连接N极导电层61。
[0028]由上描述可知，所述第一凸起层10和凸起层在两端的设置使所述高亮度的LED倒装芯片结构表面分为了N极区和P极区，P极PV和N极PV对应设置在P极区或N极区内；所述第一凸起层10电连接P极导电层62是通过P极开孔91实现的，所述第二凸起层11同理；上述设置使电流均匀通过量子阱22和P层23。
[0029]进一步地，所述P层23和量子阱22上设有连通的N极台阶孔；所述N极通过N极台阶孔连接N层21。
[0030]由上描述可知，因为P层23、量子阱22和N层21层叠，P层23和量子阱22若不开台阶孔，则N层21表面没有连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高亮度的LED倒装芯片结构，其特征在于，包括依次层叠的蓝宝石衬底、N层、量子阱和P层；还包括金属层、N极和多个P极；所述金属层包括互相绝缘的P极导电层和N极导电层；所述N极导电层电连接N层并与P层绝缘；所述N极导电层呈条状且设有多个，多个所述N极导电层互相平行且均匀设置；每个所述N极导电层上沿N极导电层长度方向上均匀设置多个N极；多个所述P极均匀设置在P极导电层上并均电连接P层。2.根据权利要求1所述的高亮度的LED倒装芯片结构，其特征在于，所述金属层设置在P层上方，所述金属层和P层之间还设有DBR反射层，所述DBR反射层上设有对应P极和N极的电极开孔；所述N极穿过电极开孔连接N极导电层，所述P极穿过电机开孔连接P极导电层。3.根据权利要求1所述的高亮度的LED倒装芯片结构，其特征在于，还包括基板、PV绝缘层、第一凸起层和第二凸起层；所述PV绝缘层覆盖在金属层上；所述第一凸起层和第二凸起层之间绝缘且均设置在PV绝缘层上；所述第一凸起层电连接P极导电层，所述第二凸起层电连接N极导电层，所述第一凸起层设置在基板和绝缘层之间，所述第二凸起层设置在基板和绝缘层之间。4.根据权利要求3所述的高亮度的LED倒装芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章挺，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：