一种晶圆加工设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶圆加工设备，包括：基座；放置平台，设置在基座上，放置平台用于放置晶圆，放置平台开设有让位部，让位部位于晶圆下方；吸附板，位于晶圆下方，当吸附板位于至第一位置时，吸附板位于让位部当中并贴附晶圆的下表面；吸附装置，设置在基座上，吸附板能够与吸附装置连通，使得吸附装置能够为吸附板提供真空源；吸附装置有多个，多个吸附装置分布在沿竖直方向轴线的周向的不同位置；吸附板能够绕竖直方向的轴线转动至与其中一个吸附装置连通；加工装置，设置在基座上，加工装置位于放置平台下方；应用上述设备能够较少真空管路的磨损，降低真空吸附失效的可能。降低真空吸附失效的可能。降低真空吸附失效的可能。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆加工设备


[0001]本技术涉及芯片生产制造领域，特别是涉及一种晶圆加工设备。

技术介绍

[0002]现有晶圆主要为晶圆的正面为电路面，晶圆背面为支撑面，在加工过程或者搬运过程中，电路面不能被接触从而导致电路面被污染，所以晶圆背打工艺为正面电路面为朝上，用于定位，支撑面为加工面朝下，用于激光标记，所以加工的台面需要露出晶圆的背面，导致晶圆放置在加工台面后，中间会凹陷，影响加工精度。
[0003]为此，现有技术提出一种晶圆平整方式，采用真空吸附板抵接晶圆下表面，为晶圆提供支撑，减少晶圆中间部分的凹陷；在调节真空吸附板位置时，真空吸附板连接的真空管需要随着真空吸附板一同运动，容易造成管路磨损导致真空吸附失效。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种晶圆加工设备，能够较少真空管路的磨损，降低真空吸附失效的可能。
[0005]本技术的晶圆加工设备，包括：基座；放置平台，设置在所述基座上，所述放置平台用于放置晶圆，所述放置平台开设有让位部，所述让位部位于所述晶圆下方；吸附板，位于所述晶圆下方，当所述吸附板位于至第一位置时，所述吸附板位于所述让位部当中并贴附所述晶圆的下表面；吸附装置，设置在所述基座上，所述吸附板能够与所述吸附装置连通，使得所述吸附装置能够为所述吸附板提供真空源；所述吸附装置有多个，多个所述吸附装置分布在沿竖直方向轴线的周向的不同位置；所述吸附板能够绕竖直方向的轴线转动至与其中一个所述吸附装置连通；加工装置，设置在所述基座上，所述加工装置位于所述吸附板下方。
[0006]根据本技术的一些实施例，吸附板的外轮廓为半圆形或拱形，所述吸附装置有两个，两个所述吸附装置沿竖直方向轴线的周向均布。
[0007]根据本技术的一些实施例，吸附板上开设有多个避让部，多个所述避让部间隔设置。
[0008]根据本技术的一些实施例，晶圆加工设备还包括：第一升降装置，设置在所述基座上；所述第一升降装置能够带动所述吸附板上升至第一位置，使得所述吸附板位于所述让位部当中并贴附所述晶圆的下表面；所述第一升降装置能够带动所述吸附板下降至第二位置，使得所述吸附板与所述晶圆的下表面脱离。
[0009]根据本技术的一些实施例，晶圆加工设备还包括设置在所述第一升降装置上的转动盘，所述转动盘上设置有支撑部，所述支撑部用于支撑所述吸附板，所述升降装置通过控制所述转动盘升降来带动所述吸附板升降。
[0010]根据本技术的一些实施例，晶圆加工设备还包括设置在所述第一升降装置上的转动装置，所述第一升降装置能够驱动所述转动装置和所述转动盘一同升降，所述转动
装置能够驱动所述转动盘转动。
[0011]根据本技术的一些实施例，所述支撑部有多个，多个所述支撑部沿所述转动盘的周向分布。
[0012]根据本技术的一些实施例，晶圆加工设备还包括设置在所述基座上的升降压板，所述升降压板下方设置有压圈，所述升降压板能够带动所述压圈下压，使得所述压圈将所述晶圆的边缘压在所述放置平台上。
[0013]根据本技术的一些实施例，晶圆加工设备还包括设置在所述基座上的第二升降装置，所述第二升降装置用于带动所述升降压板升降。
[0014]根据本技术的一些实施例，晶圆加工设备还包括设置在所述基座上的移动平台，所述放置平台和所述吸附装置均设置在所述移动平台上。
[0015]应用上述晶圆加工设备，在加工过程当中，吸附装置能够为吸附板提供真空，使得吸附板通过真空吸附的方式紧贴晶圆下表面，为晶圆提供支撑，减少晶圆凹陷；当吸附板发生转动后，对应位置的吸附装置能够为吸附板提供真空源，使得吸附板在当前位置能够通过真空吸附的方式紧贴晶圆下表面，为晶圆提供支撑，减少晶圆凹陷；在吸附板的位置调节过程当中，真空管路无需跟随吸附板一同移动，有效减少了由于管路磨损导致真空吸附失效的可能。
[0016]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0017]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0018]图1为本技术实施例中第一种晶圆加工装置的示意图；
[0019]图2为图1中A处的放大图；
[0020]图3为本技术实施例中转动盘和吸附板组合的示意图；
[0021]图4为图3中转动盘的示意图；
[0022]图5为本技术实施例中第一种吸附板的示意图；
[0023]图6为本技术实施例中第二种吸附板的示意图；
[0024]图7为本技术实施例中第二种晶圆加工装置的示意图；
[0025]图8为图7中B处的放大图；
[0026]上述附图包含以下附图标记。
[0027]标号名称标号名称110移动平台250吸附板120加工装置260晶圆本体130拍摄系统270升降压板210第一升降装置271压圈220转动装置272升降卡扣221转动盘280放置平台230吸附装置290治具组件
240支撑部
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具体实施方式
[0028]下面详细描述本技术的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0029]在本技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0030]在本技术的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个及两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0031]本技术的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本技术中的具体含义。
[0032]参照图1和图2，本实施例第一方面的晶圆加工装置，包括：基座；放置平台280，设置在所述基座上，所述放置平台280用于放置晶圆也即图2所示的晶圆本体260，所述放置平台280开设有让位部，所述让位部位于所述晶圆下方；第一升降装置210，设置在所述基座上；吸附板250，位于所述晶圆下方，所述第一升降装置210能够带动所述吸附板250上升至第一位置，使得所述吸附板250位于所述让位部当中并贴本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆加工设备，其特征在于，包括：基座；放置平台(280)，设置在所述基座上，所述放置平台(280)用于放置晶圆，所述放置平台(280)开设有让位部，所述让位部位于所述晶圆下方；吸附板(250)，位于所述晶圆下方，当所述吸附板(250)位于至第一位置时，所述吸附板(250)位于所述让位部当中并贴附所述晶圆的下表面；吸附装置(230)，设置在所述基座上，所述吸附板(250)能够与所述吸附装置(230)连通，使得所述吸附装置(230)能够为所述吸附板(250)提供真空源；所述吸附装置(230)有多个，多个所述吸附装置(230)分布在沿竖直方向轴线的周向的不同位置；所述吸附板(250)能够绕竖直方向的轴线转动至与其中一个所述吸附装置(230)连通；加工装置(120)，设置在所述基座上，所述加工装置(120)位于所述吸附板(250)下方。2.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述吸附板(250)的外轮廓为半圆形或拱形，所述吸附装置(230)有两个，两个所述吸附装置(230)沿竖直方向轴线的周向均布。3.根据权利要求2所述的晶圆加工设备，其特征在于，所述吸附板(250)上开设有多个避让部，多个所述避让部间隔设置。4.根据权利要求1所述的晶圆加工设备，其特征在于，还包括：第一升降装置(210)，设置在所述基座上；所述第一升降装置(210)能够带动所述吸附板(250)上升至第一位置，使得所述吸附板(250)位于所述让位部当中并贴附所述晶圆的下表面；所述第一升降装置(210)能够带动所述吸附板(250)下...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔建华，
申请(专利权)人：珠海东辉半导体装备有限公司，
类型：新型
国别省市：