一种芳胺类有机化合物及其在有机电致器件中的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种芳胺类有机化合物，所述化合物的结构如通式(I)所示：本发明专利技术有机化合物具有优异的空穴传输能力和稳定性，通过使用本发明专利技术的芳胺类有机化合物来形成有机电致发光器件的空穴传输材料时，可同时显示出器件效率提升和寿命延长的效果，尤其是延长器件高温寿命。寿命。寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种芳胺类有机化合物及其在有机电致器件中的应用


[0001]本专利技术涉及半导体材料
，尤其是涉及一种芳胺类有机化合物及其在有机电致发光器件中的应 用。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(OLED)中的载流子(空穴和电子)在电场的驱动下分别由器件的两个电极注入到 器件中，并在有机发光层中相遇且复合发光。高性能的有机电致发光器件，要求各种有机功能材料具备良 好的光电特性。譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率。现有的有机电致发光器件中使 用的空穴注入层材料以及空穴传输层材料的注入和传输特性相对较弱，空穴注入和传输速率与电子注入和 传输速率不匹配，导致复合区域偏移较大，不利于器件的稳定性。另外，空穴注入层材料和空穴传输层材 料合理的能级匹配是提高器件效率和器件寿命的重要因素，因此如何调节空穴和电子的平衡度、调节复合 区域，一直是本领域的一项重要课题。
[0003]蓝色有机电致发光器件一直是全色OLED发展中的软肋，截止目前蓝光器件的效率和寿命等性能一直 难以得到全面提高，因此，如何提高该类器件性能仍然是该领域面临的至关重要的问题和挑战。目前市场 上所使用的蓝光主体材料多为偏电子性主体，因此为了调节发光层的载流子平衡，需要空穴传输材料具有 优异的空穴传输性能。空穴注入和传输越好，调节复合区域会向远离电子阻挡层侧偏移，从而远离界面发 光，使得器件性能提高，寿命增加。因此要求空穴传输区域材料具有高空穴注入性、高空穴迁移率、高电 子阻挡性和高电子耐候性。
[0004]在本领域公知，在高温环境中，由于电子迁移率和空穴迁移率差异更加明显，导致在高温环境下，蓝 光器件表现出富电子、缺空穴，器件寿命较差，为了提升蓝光器件高温寿命，需要提升空穴传输材料的迁 移率，尤其是高温条件下的迁移率。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的上述问题，本专利技术申请人提供了一种芳胺类有机化合物及其在有机电致器件中的 应用。本专利技术有机化合物具有优异的空穴传输能力和稳定性，通过使用本专利技术的芳胺类有机化合物来形成 有机电致发光器件的空穴传输材料时，可同时显示出器件效率提升和寿命延长的效果，尤其是延长器件高 温寿命。
[0006]本专利技术的技术方案如下：
[0007]一种芳胺类有机化合物，所述化合物的结构如通式(I)所示：
[0008][0009]通式(I)中，所述A、B分别表示为氢原子、氘原子或通式(II)所示结构，且A、B有且仅有一个 表示为通式(Ⅱ)所示结构：
[0010][0011]L1‑
L4分别独立的表示为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚 联苯基中的一种；
[0012]R1‑
R4分别独立的表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的二联苯基、取 代或未取代的三联苯基、取代或未取代的二甲基芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯 并呋喃基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的胡椒环基、取代未取代的菲基或通式(Ⅲ)所示结构， 且R1‑
R4至少有一个表示为通式(Ⅲ)所示结构，且当R1‑
R4中有一个表示为取代的二甲基芴基时，其余 基团可以均不表示为通式(Ⅲ)所示结构；
[0013]Ar1表示为氢原子、氘原子、甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、苯基、萘基或联苯基，且当Ar1表示 为苯基或萘基时，其可以通过活性位点a与b、b与c或c与d与通式(Ⅲ)形成并环结构；
[0014]用于取代基团的取代基任选自氘原子、甲基、乙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基中的一种或多种。
[0015]优选方案，所述化合物的结构如通式(I
‑
2)所示：
[0016][0017]所述L1、L3、L4、R2‑
R4、Ar1的含义同前文中的限定。
[0018]优选方案，所述化合物的结构如通式(I
‑
3)所示：
[0019][0020]所述L1、L2、L4、R1、R2、R4、Ar1的含义同前文中的限定。
[0021]优选方案，所述化合物的结构如通式(I
‑
4)所示：
[0022][0023]所述L1、L2、L4、R1、R2、R4、Ar1的含义同前文中的限定。
[0024]优选方案，所述化合物的结构如(I
‑
5)所示：
[0025][0026]所述L1、L4分别独立的表示为单键或亚苯基；所述R2、R4、Ar1的含义同前文中的限定。
[0027]优选方案，所述化合物的结构如通式(I
‑
6)所示：
[0028][0029]所述L1、L4分别独立的表示为单键或亚苯基；所述R2、R4、Ar1的含义同前文中的限定。
[0030]优选方案，所述化合物的结构如通式(I
‑
7)所示：
[0031][0032]所述L1、L3、L4分别独立的表示为单键或亚苯基；所述R2‑
R4的含义同前文中的限定；苯基通过相邻 的两个*位置与二甲基芴中相邻两个*以并环方式连接。
[0033]进一步优选，所述化合物的具体结构为如下结构中的任一种：
[0034][0035][0036][0037][0038][0039][0040][0041][0042]一种有机电致发光器件，其依次包括阳极、空穴传输区域、发光区域、电子传输区域和阴极，所述空 穴传输区域包含所述的芳胺类有机化合物；优选地，所述空穴传输区域包括空穴注入层、第一空穴传输层 和第二空穴传输层，所述第一空穴传输层和空穴注入层包含所述的芳胺类有机化合物；更优选地，第一空 穴传输层由所述的芳胺类有机化合物组成，空穴注入层由所述的芳胺类有机化合物以及其他常规用于空穴 注入层的掺杂材料组成。
[0043]优选方案，所述电子传输区域包含通式(V)所示的氮杂环化合物：
[0044][0045]其中，Ar5、Ar6、Ar7彼此独立地选自取代或未取代的C6‑
C
30
芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂 原子的C5‑
C
30
杂环基；
[0046]L3为单键、取代或未取代的C6‑
C
30
亚芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂原子的C5‑
C
30
亚杂环基；
[0047]所述杂原子各自独立地选自N、O或S；n表示1或2；
[0048]X1、X2、X3彼此独立地表示N或CH，X1、X2、X3中的至少一个表示N；
[0049]用于取代基团的取代基为氘原子、苯基、萘基、联苯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吡啶基、嘧 啶基中的一种或多种。
[0050]本专利技术有益的技术效果在于：
[0051]本专利技术芳胺类空穴传输材料的至少一个芳胺基团中含有芴类衍生基团，且至少一个芳胺基团与中间的 桥联基团处于间位连接，这种特定结构，使得本专利技术申请化合物拥有特定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芳胺类有机化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(I)所示：通式(I)中，所述A、B分别表示为氢原子、氘原子或通式(II)所示结构，且A、B有且仅有一个表示为通式(Ⅱ)所示结构：L1‑
L4分别独立的表示为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基中的一种；R1‑
R4分别独立的表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的二甲基芴基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的胡椒环基、取代未取代的菲基或通式(Ⅲ)所示结构，且R1‑
R4至少有一个表示为通式(Ⅲ)所示结构，且当R1‑
R4中有一个表示为取代的二甲基芴基时，其余基团可以均不表示为通式(Ⅲ)所示结构；Ar1表示为氢原子、氘原子、甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、苯基、萘基或联苯基，且当Ar1表示为苯基或萘基时，其可以通过活性位点a与b、b与c或c与d与通式(Ⅲ)形成并环结构；用于取代基团的取代基任选自氘原子、甲基、乙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基中的一种或多种，取代基的连接方式为单键连接或并环连接。2.根据权利要求1所述的芳胺类有机化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(I
‑
2)所示：所述L1、L3、L4、R2‑
R4、Ar1的含义同权利要求1中的限定。3.根据权利要求1所述的芳胺类有机化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(I
‑
3)所示：
所述L1、L2、L4、R1、R2、R4、Ar1的含义同权利要求1中的限定。4.根据权利要求1所述的芳胺类有机化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(I
‑
4)所示：所述L1、L2、L4、R1、R2、R4、Ar1的含义同权利要求1中的限定。5.根据权利要求1所述的芳胺类有机化合物，其特征在于，所述化合物的结构如(I
‑
5)所示：所述L1、L4分别独立的表示为单键或亚苯基；所述R2、R4、Ar1的含义同权利要求1中的限定。6.根据权利要求1所述的芳胺类有机化合物，其特征在于，所述化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：王子昂，王芳，张兆超，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：