本申请属于有机材料技术领域，提供了一种含氮化合物、电子元件和电子装置。该含氮化合物的结构如式1所示，其中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立地选自：碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；R1、R2和R3各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基。本发明专利技术的含氮化合物能够改善电子元件的性能。合物能够改善电子元件的性能。合物能够改善电子元件的性能。合物能够改善电子元件的性能。
【技术实现步骤摘要】
含氮化合物、电子元件和电子装置
[0001]本申请涉及有机材料
，尤其涉及一种含氮化合物、电子元件和电子装置。
技术介绍
[0002]随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元件的应用范围越来越广泛。该类电子元件，例如有机电致发光器件或者光电转化器件，通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括能量转化层、位于能量转化层与阳极之间的空穴传输层、位于能量转化层与阴极之间的电子传输层。
[0003]举例而言，当电子元件为有机电致发光器件时，其一般包括依次层叠设置的阳极、空穴传输层、作为能量转化层的有机发光层、电子传输层和阴极。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向有机发光层移动，阳极侧的空穴也向有机发光层移动，电子和空穴在有机发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得有机发光层对外发光。
[0004]现有技术中，专利文献CN110467536A也公开了一些新的电致发光材料。但是，电致发光材料的寿命较低。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种含氮化合物、电子元件和电子装置，该含氮化合物能提高电子元件的性能。
[0006]为实现上述专利技术目的，本申请采用如下技术方案：
[0007]根据本申请的第一方面，提供一种含氮化合物，结构如化学式1所示：
[0008][0009]其中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4彼此相同或不同，各自独立地选自：碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0010]Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中的取代基彼此相同或不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基；任选地，任意两个相邻的取代基形成环；
[0011]R1、R2和R3彼此相同或不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基；
[0012]n1表示R1的个数，且n1选自0、1、2或3；当n1大于1时，任意两个R1相同或者不同；
[0013]n2表示R2的个数，且n2选自0、1、2或3；当n2大于1时，任意两个R2相同或者不同；
[0014]n3表示R3的个数，且n3选自0、1、2、3或4；当n3大于1时，任意两个R3相同或者不同。
[0015]根据本申请的第二方面，提供一种电子元件，该电子元件包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含上述的含氮化合物。
[0016]根据本申请的第三个方面，提供一种电子装置，该电子装置包括上述的电子元件。
[0017]本申请提供的含氮化合物中，在芴的9号位螺接金刚烷结构，同时在芴的一个苯环上结合亚苯基类结构以形成母核，进一步地，在该母核的两侧分别引入芳胺类基团，这种分子结构具有较高的不对称性，低的结晶性和良好的成膜能力。所提供的含氮化合物不但具有高的空穴迁移率，还具有较高的稳定性。将本申请含氮化合物用于有机电致发光器中，能使器件具有较高的使用寿命，同时兼具较高的发光效率和较低的工作电压。
附图说明
[0018]通过参照附图详细描述其示例实施方式，本申请的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
[0019]图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
[0020]图2是本申请一种实施方式的电子装置的结构示意图。
[0021]图3是本申请一种实施方式的光电转化器件的结构示意图。
[0022]图4是本申请另一种实施方式的电子装置的结构示意图。
[0023]附图标记说明：
[0024]100、阳极；200、阴极；300、功能层；310、空穴注入层；320：空穴传输层；321、第一空穴传输层；322、第二空穴传输层；330、有机发光层；340、电子传输层；350、电子注入层；360、光电转化层；400、第一电子装置；500、第二电子装置。
具体实施方式
[0025]现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。
[0026]在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0027]第一方面，本申请提供一种含氮化合物，提供一种含氮化合物，结构如化学式1所示：
[0028][0029]其中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4彼此相同或不同，各自独立地选自：碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；
[0030]Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中的取代基彼此相同或不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基；任选地，任意两个相邻的取代基形成环；
[0031]R1、R2和R3彼此相同或不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基；
[0032]n1表示R1的个数，且n1选自0、1、2或3；当n1大于1时，任意两个R1相同或者不同；
[0033]n2表示R2的个数，且n2选自0、1、2或3；当n2大于1时，任意两个R2相同或者不同；
[0034]n3表示R3的个数，且n3选自0、1、2、3或4；当n3大于1时，任意两个R3相同或者不同。
[0035]在本申请中，术语“任选”、“任选地”意味着随后所描述的事件或者环境可以但不必发生，该说明包括该事情或者发生或者不发生的场合。例如，“任选地，任意两个相邻的取代基形成环”意味着这两个取代基可以形成环但不是必须形成环，包括：相邻的两个取代基形成环的情景和相邻的两个取代基不形成环的情景。
[0036]在本申请中，“取代或未取代的”这样的术语是指，在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述，将取代基统称为R
c
)，如果具有取本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物的结构如式1所示：其中，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4彼此相同或不同，各自独立地选自：碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基；Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中的取代基彼此相同或不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基；任选地，任意两个相邻的取代基形成环；R1、R2和R3彼此相同或不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基；n1表示R1的个数，且n1选自0、1、2或3；当n1大于1时，任意两个R1相同或者不同；n2表示R2的个数，且n2选自0、1、2或3；当n2大于1时，任意两个R2相同或者不同；n3表示R3的个数，且n3选自0、1、2、3或4；当n3大于1时，任意两个R3相同或者不同。2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立地选自：碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基；优选地，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4中的取代基各自独立地选自：氘、氟、氰基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基、碳原子数为3～7的三烷基硅基、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的氟代烷基、碳原子数为5～10的环烷基；任选地，任意两个相邻的取代基形成5～15元的饱和或不饱和环。3.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的咔唑基...
【专利技术属性】
技术研发人员：边春阳，马天天，曹佳梅，
申请(专利权)人：陕西莱特迈思光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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