一种茚衍生物及包含它的有机发光元件制造技术

技术编号:35918420 阅读:22 留言:0更新日期:2022-12-10 11:01
本发明专利技术涉及有机电致发光材料技术领域,尤其涉及一种大环茚衍生物及包含该大环茚衍生物的有机发光元件。所述大环茚衍生物的结构如式(I)所示,所述大环茚衍生物具有碗状结构,易升华成均匀的薄膜;将该大环茚衍生物应用在有机电致发光元件中,可显著降低驱动电压、提高发光效率和寿命;发光效率和寿命;发光效率和寿命;发光效率和寿命;

【技术实现步骤摘要】
一种茚衍生物及包含它的有机发光元件


[0001]本专利技术涉及有机电致发光材料
,尤其涉及一种茚衍生物、有机材料、及其在有机电致发光元件中的应用。

技术介绍

[0002]一般而言,有机发光现象是指在对有机物质施加电能时发出光的现象;即在阳极与阴极之间配置有机层时,如果在两个电极之间施加电压,则空穴会从阳极注入至有机层,电子会从阴极注入至有机层;当所注入的空穴和电子相遇时,会形成激子,当该激子跃迁至基态时,会发出光和热。
[0003]最近几年有机电致发光显示技术己趋于成熟,一些产品已进入市场,但在产业化过程中,仍有许多问题亟待解决。特别是用于制作元件的各种有机材料,其载流子注入和传输性能、材料电发光性能、使用寿命、色纯度、各种材料之间及与各电极之间的匹配等,尚有许多问题还未解决;尤其是发光元件的发光效率和使用寿命还达不到实用化要求,这大大限制了OLED技术的发展。而利用三线态发光的金属配合物磷光材料具有高的发光效率,其绿光和红光材料已经达到使用要求,但是金属配合物磷光材料要求具有高三线态能级的磷光材料或空穴材料与之匹配,因此,开发具有高三线态能级的磷光材料或空穴材料是当前OLED发展的迫切需求。
[0004]在目前的技术发展下,无论是对于荧光材料还是对于磷光材料,特别是在用于有机电致发光元件中的工作电压、效率和寿命方面和在升华期间的热稳定性方面,都还需要改进。
[0005]由此,为了克服如上所述的技术问题,而进一步提高有机电致发光元件的特性,继续要求对于在有机电致发光元件中可用作磷光材料或空穴材料的更加稳定且有效的物质的开发。
[0006]鉴于此,特提出本专利技术。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的在于提供一种茚衍生物,该茚衍生物有效提高了材料热稳定性和输送载流子的能力,利用该茚衍生物制备的有机电致发光元件可显著降低驱动电压、提高发光效率和寿命;本专利技术的另一目的在于提供该茚衍生物在有机电致发光元件中的应用。
[0008]具体地,本专利技术提供以下技术方案:
[0009]本专利技术提供一种茚衍生物,其结构式如式(I)所示:
[0010][0011]其中,
[0012]R1、R2、R3、R
a
、R
b
、R
c
、R
d
各自独立地选自由氢、氘、C1‑
C
40
的烷基、C1‑
C
40
的杂烷基、C3‑
C
40
的环烷基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
稠环芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳胺基、取代或未取代的C2‑
C
60
杂环芳基组成的群组;
[0013]Ar1、Ar2各自独立地选自由取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
稠环芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳胺基、或者取代或未取代的C2‑
C
60
杂环芳基组成的群组;
[0014]x,y各自独立地选自0~4的整数;
[0015]z为0~3的整数;
[0016]n选自0~5的整数;
[0017]L1选自单键、取代或未取代的C6‑
C
60
的亚芳基、或者取代或未取代的C2‑
C
60
亚杂芳基。
[0018]本专利技术中,相邻基团彼此结合而形成的取代或未取代的环中,“环”是指取代或未取代的烃环、或者取代或未取代的杂环。
[0019]作为优选,所述R
a
、R
b
、R
c
、R
d
各自独立地选自由氢、氘、甲基、三氟甲基、乙基、异丙基、叔丁基组成的群组。
[0020]作为优选,所述R1、R2、R3各自独立地选自由氢、氘、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳胺基、取代或未取代的C2‑
C
60
杂环芳基组成的群组。
[0021]作为优选,所述n为0、1或2。
[0022]优选地,所述芳基、杂环芳基,特别是指衍生自如下物质的基团:苯基、萘基、蒽基、苯并蒽基、菲基、芘基、基、苝基、荧蒽基、并四苯基、并五苯基、苯并芘基、联苯基、偶苯基、三联苯基、三聚苯基、四联苯基、茚基、螺二茚基、二氢菲基、三亚苯基、二氢芘基、四氢芘基、顺式或反式茚并茚基、顺式或反式茚并咔唑基、顺式或反式吲哚并咔唑基、三聚茚基、异三聚茚基、螺三聚茚基、螺异三聚茚基、呋喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、异苯并噻吩基、二苯并噻吩基、吡咯基、吲哚基、异吲哚基、咔唑基、吡啶基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、菲啶基、苯并[5,6]喹啉基、苯并[6,7]喹啉基、苯并[7,8]喹啉基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吡唑基、吲唑基、咪唑基、苯并咪唑基、萘并咪唑基、菲并咪唑基、吡啶并咪唑基、吡嗪并咪唑基、喹喔啉并咪唑基、噁唑基、苯并噁唑基、萘并噁唑基、蒽并噁唑基、菲并噁唑基、异噁唑基、1,2

噻唑基、1,3

噻唑基、苯并噻唑基、哒嗪基、六氮杂苯并菲基、苯并哒嗪基、嘧啶基、苯并嘧啶基、喹喔啉基、1,5

二氮杂蒽基、2,7

二氮杂芘基、2,3


氮杂芘基、1,6

二氮杂芘基、1,8

二氮杂芘基、4,5

二氮杂芘基、4,5,9,10

四氮杂苝基、吡嗪基、吩嗪基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、荧红环基、萘啶基、氮杂咔唑基、苯并咔啉基、咔啉基、菲咯啉基、1,2,3

三唑基、1,2,4

三唑基、苯并三唑基、1,2,3

噁二唑基、1,2,4

噁二唑基、1,2,5

噁二唑基、1,3,4

噁二唑基、1,2,3

噻二唑基、1,2,4

噻二唑基、1,2,5

噻二唑基、1,3,4

噻二唑基、1,3,5

三嗪基、1,2,4

三嗪基、1,2,3

三嗪基、四唑基、1,2,4,5

四嗪基、1,2,3,4

四嗪基、1,2,3,5

四嗪基、嘌呤基、蝶啶基、吲嗪基、喹唑啉基、苯并噻二唑基或者衍生自这些体系的组合的基团。
[0023]进一步地,所述Ar1、Ar2各自独立地选自由取本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种茚衍生物,其特征在于,其结构式如式(I)所示:其中,R1、R2、R3、R
a
、R
b
、R
c
、R
d
各自独立地选自由氢、氘、C1‑
C
40
的烷基、C1‑
C
40
的杂烷基、C3‑
C
40
的环烷基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
稠环芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳胺基、取代或未取代的C2‑
C
60
杂环芳基组成的群组;Ar1、Ar2各自独立地选自由取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
稠环芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳胺基、或者取代或未取代的C2‑
C
60
杂环芳基组成的群组;x,y各自独立地选自0~4的整数;z为0~3的整数;n选自0~5的整数;L1选自单键、取代或未取代的C6‑
C
60
的亚芳基、或者取代或未取代的C2‑
C
60
亚杂芳基。2.根据权利要求1所述的茚衍生物,其特征在于,所述R
a
、R
b
、R
c
、R
d
各自独立地选自由氢、氘、甲基、三氟甲基、乙基、异丙基、叔丁基组成的群组;R1、R2、R3各自独立地选自由氢、氘、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳基、取代或未取代的C6‑
C
60
芳胺基、取代或未取代的C2‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员:张海威谢佩何连贞唐怡杰邸庆童张昊边坤刘殿君
申请(专利权)人:北京八亿时空液晶科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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