一种有机化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种有机化合物，属于有机发光材料技术领域，同时涉及该种化合物的应用以及包含其的有机电致发光器件。本发明专利技术的有机化合物具有如下式所示的结构。本发明专利技术提供的化合物具有良好的传输性能及稳定性，应用于OLED器件时，能够有效的提高器件的使用寿命。能够有效的提高器件的使用寿命。能够有效的提高器件的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种有机化合物及其应用、包含其的有机电致发光器件


[0001]本专利技术涉及一种化合物，属于有机发光材料
，同时涉及该种化合物的应用以及包含其的有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]近年来，基于有机材料的光电子器件发展迅速，成为领域内研究的热点。此类有机光电子器件的示例包括有机发光二极管(OLED)，有机场效应管，有机光伏打电池，有机传感器等。其中OLED发展尤其迅速，已经在信息显示领域取得商业上的成功。OLED可以提供高饱和度的红、绿、蓝三颜色，用其制成的全色显示装置无需额外的背光源，具有色彩炫丽，轻薄柔软等优点。
[0003]OLED器件核心为含有多种有机功能材料的多层薄膜结构。常见的功能化有机材料有：空穴注入材料、空穴传输材料、空穴阻挡材料、电子注入材料、电子传输材料，电子阻挡材料以及发光主体材料和发光客体(染料)等。通电时，电子和空穴被分别注入、传输到发光区域并在此复合，从而产生激子并发光。
[0004]常见的荧光发光体主要利用电子和空穴结合时产生的单线态激子发光，现在仍然广泛地应用于各种OLED产品中。有些金属络合物如铱络合物，可以同时利用三线态激子和单线态激子进行发光，被称为磷光发光体，其能量转换效率可以比传统的荧光发光体提升高达四倍。热激发延迟荧光(TADF)技术通过促进三线态激子向单线态激子的转变，在不采用金属配合物的情况下，仍然可以有效地利用三线态激子而实现较高的发光效率。热激发敏化荧光(TASF)技术则采用具TADF性质的材料，通过能量转移的方式来敏化发光体，同样可以实现较高的发光效率。
[0005]空穴传输材料对器件的电压影响显著，并且空穴传输材料的还调控器件内载流子的传输平衡，提升空穴传输材料的载流子迁移率可以提高发光效率、延缓器件衰减。虽然目前采用OLED显示技术的产品已经商品化，但仍需要对器件的寿命、效率等性能持续提高，以满足人们更高品质的追求。
[0006]因此，本领域亟待开发更多种类的有机材料，应用于有机电致发光器件，使器件具有较高的发光效率、较低的驱动电压以及较长的使用寿命。

技术实现思路

[0007]针对现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种化合物。所述化合物应用于OLED器件时具有良好的光电性能，本专利技术化合物优选可用作空穴传输材料。
[0008]为达此目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0009]本专利技术提供一种化合物，所述化合物具有式(I)所示的结构；
[0010][0011]式I中，所述Ar选自取代或未取代的C7
‑
C60的芳基；
[0012]所述R1、R2、R3、R4和R5各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1
‑
C30的链状烷基、取代或未取代的C3
‑
C20的环烷基、取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、取代或未取代的C3
‑
C30的杂芳基中的一种；
[0013]所述m、n、o、p和q各自独立地为0至最大允许取的整数值；
[0014]所述X选自O、S、CR
a
R
b
、NR
c
或SiR
d
R
e
；
[0015]所述R
a
、R
b
、R
c
、R
d
和R
e
各自独立地选自取代或未取代的C1
‑
C20的链状烷基、取代或未取代的C3
‑
C20的环烷基、取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、取代或未取代的C3
‑
C30的杂芳基中的一种，并且R
a
与R
b
之间可通过
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2
‑
或单键连接成环，R
d
与R
e
之间可通过
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2
‑
或单键连接成环，所述R选自取代或未取代的C1
‑
C20的链状烷基、取代或未取代的C3
‑
C20的环烷基中的一种；
[0016]上述Ar上具有取代基团时，该取代基团选自氘、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、醛基、酮基、酯基、羰基、C1
‑
C30的链状烷基、C1
‑
C30的烷氧基、C3
‑
C20的环烷基、C3
‑
C20的杂环烷基、C6
‑
C60的芳基、C6
‑
C60的稠环芳基中的一种或者两种的组合；
[0017]上述R1、R2、R3、R4、R5、R
a
、R
b
、R
c
、R
d
、R
e
和R上具有取代基团时，该取代基团选自氘、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、醛基、酮基、酯基、羰基、C1
‑
C30的链状烷基、C1
‑
C30的烷氧基、C3
‑
C20的环烷基、C3
‑
C20的杂环烷基、C6
‑
C60的芳基、C6
‑
C60的稠环芳基、C3
‑
C60的杂芳基中的一种或者两种的组合。
[0018]优选地，所述m、n、o、p和q均为0。
[0019]优选地，所述X为CR
a
R
b
、NR
c
或SiR
d
R
e
；进一步优选地，所述X为CR
a
R
b
。
[0020]优选Ar为取代或未取代的C7
‑
C30的芳基，当Ar上具有取代基团时，该取代基团选自氘、卤素、氰基、C1
‑
C30的链状烷基、C1
‑
C30的烷氧基、C3
‑
C20的环烷基、C3
‑
C20的杂环烷基、C6
‑
C60的芳基、C6
‑
C60的稠环芳基中的一种或者两种的组合。
[0021]本专利技术中，所述的“取代或未取代”的基团，可以取代有一个取代基，也可以取代有多个取代基，当取代基为多个时，可以选自不同的取代基，本专利技术中涉及到相同的表达方式时，均具有同样的意义，且取代基的选择范围均如上所示不再一一赘述。
[0022]在本说明书中，Ca
‑
Cb的表达方式代表该基团具有的碳原子数为a
‑
b，除非特殊说明，一般而言该碳原子数不包括取代基的碳原子数。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机化合物，具有如式(Ⅰ)所示的结构：式I中，Ar选自取代或未取代的C7
‑
C60的芳基；R1、R2、R3、R4和R5各自独立地选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1
‑
C30的链状烷基、取代或未取代的C3
‑
C20的环烷基、取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、取代或未取代的C3
‑
C30的杂芳基中的一种；m、n、o、p和q各自独立地为0至最大允许取的整数值；X选自O、S、CR
a
R
b
、NR
c
或SiR
d
R
e
；R
a
、R
b
、R
c
、R
d
和R
e
各自独立地选自取代或未取代的C1
‑
C20的链状烷基、取代或未取代的C3
‑
C20的环烷基、取代或未取代的C6
‑
C30的芳基、取代或未取代的C3
‑
C30的杂芳基中的一种，并且R
a
与R
b
之间可通过
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2
‑
或单键连接成环，R
d
与R
e
之间可通过
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
C(
‑
R)2
‑
或单键连接成环，所述R选自取代或未取代的C1
‑
C20的链状烷基、取代或未取代的C3
‑
C20的环烷基中的一种；上述Ar上具有取代基团时，该取代基团选自氘、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、醛基、酮基、酯基、羰基、C1
‑
C30的链状烷基、C1
‑
C30的烷氧基、C3
‑
C20的环烷基、C3
‑
C20的杂环烷基、C6
‑
C60的芳基、C6
‑
C60的稠环芳基中的一种或者两种的组合；上述R1、R2、R3、R4、R5、R
a
、R
b
、R
c
、R
d
、R
e
和R上具有取代基团时，该取代基团选自氘、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、醛基、酮基、酯基、羰基、C1
‑
C30的链状烷基、C1
‑
C30的烷氧基、C3
‑
C20的环烷基、C3
‑
C20的杂环烷基、C6
‑
C60的芳基、C6
‑
C60的稠环芳基、C3
‑
C60的杂芳基中的一种或者两种的组合。2.根据权利要求1所述的有机化合物，式(I)中，所述X为CR
a
R
b
、NR
c
或SiR
d
R
e
；进一步地，所述X为CR
a
R
b
。3.根据权利要求1或2所述的有机化合物，式(I)中，所述m、n、o、p和q均为0。4.根据权利要求1所述的有机化合物，式(I)中，所述Ar为取代或未取代的C7
‑
C30...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘叔尧，高文正，王志鹏，孙恩涛，
申请(专利权)人：北京鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：