【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件。
技术介绍
1、传统荧光掺杂材料受限于早期的技术，只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低(最高为25％)，外量子效率普遍低于5％，与磷光器件的效率还有很大差距。磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达100％。但多数磷光材料价格昂贵，材料稳定性较差，色纯度较差，器件效率滚落严重等问题限制了其在oled的应用。
2、随着5g时代的到来，对显色标准提出了更高的要求，发光材料除了高效、稳定，也需要更窄的半峰宽以提升器件发光色纯度。荧光掺杂材料可通过分子工程，实现高荧光量子、窄半峰宽，蓝色荧光掺杂材料已获得阶段性突破，硼类材料半峰宽可降低至30nm以下；而人眼更为敏感的绿光区域，研究主要集中在磷光掺杂材料，但其发光峰形难以通过简单方法缩窄，因此为满足更高的显色标准，研究窄半峰宽的高效绿色荧光掺杂材料具有重要意义。
3、另外，敏化技术将三线态激子敏化材料与荧光掺杂材料相结合，利用三线态激子敏化材料作为激子敏化媒介，充分利用三线态激子，通过能量传递将能量传递给荧光掺杂材料，同样可以达到100％的器件内量子效率，该技术能弥补荧光掺杂材料激子利用率不足的缺点，有效发挥荧光掺杂材料高荧光量子产率、高器件稳定性、高色纯度及价廉的特点，在oleds应用上具有广阔前景。
4、具有共振结构的硼类化合物更容易实现窄半峰宽
技术实现思路
1、针对现有技术存在的上述问题，本专利技术申请提供了一种含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件。本专利技术的化合物通过在硼氮稠环母核的特定位置引入吲哚咔唑并环结构，可用作有机电致发光器件的发光层绿光掺杂材料，从而提升器件的发光色纯度和寿命。
2、本专利技术的技术方案如下：一种含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，所述含硼有机化合物的结构如通式(1)所示：
3、
4、通式(1)中，z每次出现相同或不同的表示为c-r；
5、r每次出现相同或不同的表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的c1～c10烷基、取代或未取代的c3～c10环烷基、取代或未取代的c1～c10烷氧基、取代或未取代的c1～c10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的c6～c30芳基、取代或未取代的c2～c30杂芳基中的一种；
6、z1、z2、z3分别独立的表示为c-ra、c-rb、c-rc；
7、ra、rb、rc分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的c1～c10烷基、取代或未取代的c3～c10环烷基、取代或未取代的c1～c10烷氧基、取代或未取代的c1～c10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的c6～c30芳基、取代或未取代的c2～c30杂芳基中的一种；
8、m1表示为取代或未取代的的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30杂芳基中的一种；
9、ar1表示为取代或未取代的的c6～c30的芳基、取代或未取代的c2～c30杂芳基中的一种；
10、x表示为o、s中的一种；
11、用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、卤素原子、c1～c10的烷基、c3～c10的环烷基、c6～c30芳基、c2～c30杂芳基中的一种或多种；
12、所述杂芳基中的杂原子任选自o、s、n、si中的一种。
13、优选方案，所述含硼有机化合物的结构如通式(1-1)至通式(1-7)任一项所示：
14、
15、通式(1-1)-通式(1-7)中，z、z1、z2、z3、x、ar1、ra、rb、rc的含义同上文中的限定；
16、y1、y2、y3表示为o、s中的一种；
17、z4、z5、z6、z7分别独立的表示为c-rd、c-re、c-rf、c-rg；
18、rd、re、rf、rg分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的c1～c10烷基、取代或未取代的c3～c10环烷基、取代或未取代的c1～c10烷氧基、取代或未取代的c1～c10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的c6～c30芳基、取代或未取代的c2～c30杂芳基中的一种；
19、用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、卤素原子、c1～c10的烷基、c3～c10的环烷基、c6～c30芳基、c2～c30杂芳基中的一种或多种；
20、所述杂芳基中的杂原子任选自o、s、n、si中的一种。
21、优选方案，所述含硼有机化合物的结构如通式(4)～通式(26)中任一种所示：
22、
23、
24、通式(4)～通式(26)中，ar1、z、z1、z2、z3的含义同上文中的限定。
25、优选方案，所述含硼有机化合物的结构如通式(27)～通式(37)中任一种所示：
26、
27、通式(27)～通式(37)中，所述rb的定义同上文中的限定；
28、r1-r97分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的c1～c10烷基、取代或未取代的c3～c10环烷基、取代或未取代的c1～c10烷氧基、取代或未取代的c1～c10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的c6～c30芳基、取代或未取代的c2～c30杂芳基中的一种；
29、用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、卤素原子、c1～c10的烷基、c3～c10的环烷基、c6～c30芳基、c2～c30杂芳基中的一种或多种；
30、所述杂芳基中的杂原子任选自o、s、n、si中的一种。
31、优选方案，所述r、ra、rb、rc、rd、re、rf、rg、r1-r97表示为如下所示结构：
32、氢原子、
33、
34、中任一种；
35、所述ar1表示为如下所示结构：
36、
37、中任一种。
38、优选方案，所述m1表示为如下环结构中的任一种：
39、
40、所述z的定义同上文中的限定。
41、优选方案本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(1)所示：
2.根据权利要求1所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(1-1)至通式(1-7)任一项所示：
3.根据权利要求1所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(4)～通式(26)中任一种所示：
4.根据权利要求1所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(27)～通式(37)中任一种所示：
5.根据权利要求1-4任一项所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、R1-R97表示为如下所示结构：
6.根据权利要求1所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述M1表示为如下环结构中的任一种：
7.根据权利要求1-4任一项所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述R、Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、R1-R97分别独立地
8.根据权利要求1所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的具体结构为以下结构中的任一种：
9.一种有机电致发光器件，包括阴极和阳极，以及它们之间的有机发光功能层，所述有机发光功能层包括发光层，其特征在于，所述发光层含有权利要求1-8任一项所述的含硼有机化合物。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，所述发光层包含主体材料、激子敏化材料和掺杂材料，其特征在于：所述激子敏化材料为含金属元素的配合物，所述掺杂材料为权利要求1-8任一项所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物。
...【技术特征摘要】
1.一种含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(1)所示：
2.根据权利要求1所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(1-1)至通式(1-7)任一项所示：
3.根据权利要求1所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(4)～通式(26)中任一种所示：
4.根据权利要求1所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(27)～通式(37)中任一种所示：
5.根据权利要求1-4任一项所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述r、ra、rb、rc、rd、re、rf、rg、r1-r97表示为如下所示结构：
6.根据权利要求1所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述m1表示为如下环结构中的任一种：
7.根据权利要求1-4任一项所述的含吲哚咔唑并环的含硼有机化合物，其特征在于，所述r、ra、rb、rc、rd、re、rf、rg、r1-r97分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、金刚烷基、甲基、氘代甲基、氚代甲基、三氟甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、环戊基、氘代环戊基、氚代环戊基、甲基取代的环戊基、环己基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁啸，曹旭东，李崇，锻炼，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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