一种含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物及包含其的有机发光器件制造技术

本发明专利技术涉及一种含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物及包含其的有机发光器件，属于半导体技术领域，本发明专利技术提供化合物的结构如通式(1)所示：本发明专利技术的化合物具有窄半峰宽、高荧光量子产率，作为OLED发光器件的发光层材料中的掺杂材料使用时，器件的电流效率得到显著提升，同时发光色纯度和器件寿命也得到了较大的改善。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物及包含其的有机发光器件。

技术介绍

1、传统荧光掺杂材料受限于早期的技术，只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低(最高为25％)，外量子效率普遍低于5％，与磷光器件的效率还有很大差距。磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达100％。

2、随着5g时代的到来，对显色标准提出了更高的要求，发光材料除了高效、稳定，也需要更窄的半峰宽以提升器件发光色纯度。荧光掺杂材料可通过分子工程，实现高荧光量子、窄半峰宽，蓝色荧光掺杂材料已获得阶段性突破，硼类材料半峰宽可降低至30nm以下；而人眼更为敏感的绿光区域，研究主要集中在磷光掺杂材料，但其发光峰形难以通过简单方法缩窄，因此为满足更高的显色标准，研究窄半峰宽的高效绿色荧光掺杂材料具有重要意义。

3、另外，敏化技术将三线态激子敏化材料与荧光掺杂材料相结合，利用三线态激子敏化材料作为激子敏化媒介，充分利用三线态激子，通过能量本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物，其特征在于，所述共振型有机化合物的结构如通式(1)所示：

2.根据权利要求1所述含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物，其特征在于，所述共振型有机化合物的结构如通式(2-1)～通式(2-9)的任一种所示：

3.根据权利要求1所述含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物，其特征在于，所述共振型有机化合物的结构如通式(3-1)～通式(3-7)的任一种所示：

4.根据权利要求1所述含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物，其特征在于，所述共振型有机化合物的结构如通式(4-1)～通式(4-7)的任一种所示：

5.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物，其特征在于，所述共振型有机化合物的结构如通式(1)所示：

2.根据权利要求1所述含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物，其特征在于，所述共振型有机化合物的结构如通式(2-1)～通式(2-9)的任一种所示：

3.根据权利要求1所述含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物，其特征在于，所述共振型有机化合物的结构如通式(3-1)～通式(3-7)的任一种所示：

4.根据权利要求1所述含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物，其特征在于，所述共振型有机化合物的结构如通式(4-1)～通式(4-7)的任一种所示：

5.根据权利要求1所述含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物，其特征在于，所述共振型有机化合物的结构如通式(5-1)～通式(5-2)的任一种所示：

6.根据权利要求1所述含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物，其特征在于，所述共振型有机化合物结构如通式(6-1)～通式(6-4)所示：

7.根据权利要求1所述含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物，其特征在于，所述共振型有机化合物结构如通式(7-1)～通式(7-4)所示：

8.根据权利要求1～7任一项所述含芴的氮掺杂稠环共振型有机化合物，其特征在于，所述r0、r1、r3、r4、r5、r6、r8、r9、r10、r11、r13、r14、r15、r16、ra、...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐浩杰，梁啸，曹旭东，段炼，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：