【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料，尤其是涉及一种含氮杂环结构的有机化合物及其应用。
技术介绍
1、有机电致发光器件(oled:organic light emission diodes)技术既可以用来制造新型显示产品，也可以用于制作新型照明产品，有望替代现有的液晶显示和荧光灯照明，应用前景十分广泛。oled器件具有类似三明治的结构，包括电极材料膜层以及夹在不同电极材料膜层之间的有机功能材料，各种不同有机功能材料根据用途相互叠加在一起共同组成oled发光器件。oled发光器件作为电流器件，当对其两端电极施加电压，并通过电场作用于有机层功能材料膜层中的正负电荷时，正负电荷进一步在发光层中复合，即产生oled电致发光。
2、当前，oled显示技术已经在智能手机，平板电脑等领域获得应用，进一步还将向电视等大尺寸应用领域扩展。但是，和实际的产品应用要求相比，oled器件的发光效率和使用寿命等性能还需要进一步提升。为了实现oled器件的性能的不断提升，需要oled光电功能材料不断研究和创新，创制出更高性能的oled功能材料。
3、应用于oled器件的oled光电功能材料从用途上可划分为两大类，分别为电荷注入传输材料和发光材料。进一步，还可将电荷注入传输材料分为电子注入传输材料、电子阻挡材料、空穴注入传输材料和空穴阻挡材料，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率、高玻璃化转化温度等，对于oled器件来说，电子从阴极注入，然后通过空穴阻挡层传递到主体材料，在主体材料中和空穴进行复合，从而产生激子。因而，提高空穴阻挡层的注入
4、伴随着有oled器件的显著进步，对材料的要求性能也日益提高，不仅要求其有良好的材料稳定性，并且需要其在低驱动电压下，达到良好的效率和寿命。但是，目前的空穴阻挡材料的电子注入和空穴阻挡能力以及耐热稳定性不足，同时材料的电子耐受性存在缺陷，导致器件工作时，材料发生相态分离或分解，从而器件寿命较差。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的上述问题，本专利技术提供了一种含氮杂环结构的有机化合物及其在有机电致发光器件上的应用，其中氮杂环结构为三嗪基团，本专利技术化合物通过特定的桥联结构将氮杂苯基结构和螺环基团进行桥连，使得化合物具有优异的电子注入和空穴阻挡能力，以及良好的电子耐久性和材料稳定性，应用于有机电致发光器件，能够有效降低器件工作电压，提高工作寿命。
2、本专利技术技术方案如下：一种含氮杂环结构的有机化合物，所述化合物的结构如通式(1)或通式(2)所示：
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5、通式1、通式2中，
6、r2独立的表示为苯基、联苯基或萘基；
7、l独立的表示为单键或苯基；
8、r1独立的表示为通式a或通式b；
9、n独立的表示为0或1；当n＝1时，l表示为苯基；
10、
11、通式a，通式b中的星号表示和苯环并环的位点；
12、通式a，通式b的任意位点都可以与通式(1)中苯环或l连接；通式a，通式b的任意位点都可以与通式(2)中苯环连接。
13、其中，通式a和通式b中的苯基与螺芴中的苯基的任意位置连接形成萘。
14、优选所述含氮杂环结构的化合物如通式(1-1)～通式(1-3)中任一种所示：
15、
16、通式(1-1)～通式(1-3)中，r1、r2的含义同上述的限定。
17、更优选所述含氮杂环结构的化合物如通式(2-1)～通式(2-4)中任一种所示：
18、
19、通式(2-1)～通式(2-4)中，r1、r2的含义同上述的限定。
20、优选所述r1为如下结构中任一种所示：
21、
22、优选所述r1为如下结构中任一种所示：
23、
24、优选所述r2为如下结构中任一种所示：
25、
26、最优选所述含氮杂环结构的化合物为如下结构中的任一种：
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51、本专利技术还提供一种有机电致发光器件，包含第一电极和第二电极，所述有机电致发光器件的第一电极和第二电极之间具有多层有机薄膜层，至少一层有机薄膜层含有所述的含氮杂环结构的有机化合物。
52、优选方案，所述多层有机薄膜层包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层含有所述的含氮杂环结构的有机化合物。
53、本专利技术还提供一种显示元件，所述显示元件含有所述的有机电致发光器件。
54、技术效果
55、本专利技术化合物基于三嗪结构，通过特定的桥联结构将含氮杂环结构(即三嗪结构)和螺环基团进行桥连，且取代基为9,9'-螺二[9h-芴]衍生基团或9,9-二甲基芴衍生基团，该类化合物具有良好电子耐受性和稳定性，并且具有良好的电子注入和空穴阻挡能力。因此，其作为oled功能层的空穴阻挡材料使用时，可有效降低器件驱动电压，提升oled器件的光电性能和器件寿命。
56、由于本专利技术三嗪结构化合物能够使得材料的lumo电子云分布进一步离域化，可以提高材料的电子耐受性，有效提高材料的电子稳定性。另外，由于本专利技术引入9,9'-螺二[9h-芴]衍生基团或9,9-二甲基芴衍生基团，该基团具有良好的空间位阻结构，能够抑制分子间的π-π堆积，显著提升电子注入能力，降低器件的驱动电压。并且，由于本专利技术的9,9'-螺二[9h-芴]衍生基团或9,9-二甲基芴衍生基团的存在，有效提升了材料的电子耐受性和稳定性。因此，能够有效降低器件驱动电压，提升器件工作寿命。
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1.一种含氮杂环结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1)或通式(2)所示：
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1-1)～通式(1-3)中任一种所示：
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(2-1)～通式(2-4)中任一种所示：
4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R1为如下结构中任一种所示：
5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R1为如下结构中任一种所示：
6.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述R2为如下结构中任一种所示：
7.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物的具体结构为如下结构中的任一种：
8.一种有机电致发光器件，包含第一电极和第二电极，所述有机电致发光器件的第一电极和第二电极之间具有多层有机薄膜层，其特征在于，至少一层有机薄膜层含有权利要求1～7任一项所述的含氮杂环结构的化合物。
9.根据权利要求8所述有机电致发光器件，其特征在于，所述多层有机薄膜
10.一种显示元件，其特征在于，所述显示元件含有权利要求8或9所述的有机电致发光器件。
...【技术特征摘要】
1.一种含氮杂环结构的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1)或通式(2)所示：
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1-1)～通式(1-3)中任一种所示：
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(2-1)～通式(2-4)中任一种所示：
4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述r1为如下结构中任一种所示：
5.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述r1为如下结构中任一种所示：
6.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述r2为如下结构中...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏壮壮，唐丹丹，李崇，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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