漏液引流组件、漏液收集装置和晶体生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种漏液引流组件、漏液收集装置和晶体生长装置，漏液引流组件包括承接件和密封件，承接件限定出用于承接从坩埚泄漏的硅熔液的承接腔，承接件形成有与承接腔连通的导流通道，导流通道的入口形成于承接腔的底壁；密封件设于导流通道内用于封堵导流通道，密封件包括第一可熔部，第一可熔部从密封件在导流通道延伸方向上的一侧表面延伸至另一侧表面，第一可熔部的熔点不高于硅熔液的熔点。根据本实用新型专利技术的漏液引流组件，可以防止外界气体从导流通道流入晶体生长装置内，保证硅晶体的生产质量，承接并引流泄漏的硅熔液，有效地对热场进行保护，降低硅熔液泄漏所造成的经济损失，提高晶体生长装置的整体性能。提高晶体生长装置的整体性能。提高晶体生长装置的整体性能。

【技术实现步骤摘要】
漏液引流组件、漏液收集装置和晶体生长装置


[0001]本技术涉及晶体生产领域，尤其是涉及一种漏液引流组件、漏液收集装置和晶体生长装置。

技术介绍

[0002]相关技术中，在长晶过程中，热场(热场至少包括加热器、保温结构件、坩埚轴)的结构稳定性出现问题或者操作人员误操作时，会导致硅液从坩埚中泄漏。由于硅液的温度很高(一般高于1410℃)，因此硅液一旦泄漏则会损坏加热器、保温结构、坩埚轴，造成较大的损失。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种漏液引流组件，可以在晶体生长过程中防止外界气体从导流通道流入晶体生长装置内，保证硅晶体的生产质量，可以在硅熔液泄漏时承接并引流泄漏的硅熔液，有效地对热场进行保护，降低硅熔液泄漏所造成的经济损失，提高晶体生长装置的整体性能。
[0004]本技术还提出了一种具有上述漏液引流组件的漏液收集装置。
[0005]本技术还提出了一种具有上述漏液收集装置的晶体生长装置。
[0006]根据本技术第一方面实施例的漏液引流组本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种漏液引流组件，用于晶体生长装置，所述晶体生长装置包括坩埚，所述漏液引流组件用于对所述坩埚泄漏的硅熔液引流，其特征在于，所述漏液引流组件包括：承接件，所述承接件限定出用于承接从所述坩埚泄漏的硅熔液的承接腔，所述承接件形成有与所述承接腔连通的导流通道，所述导流通道的入口形成于所述承接腔的底壁；密封件，所述密封件设于所述导流通道内用于封堵所述导流通道，所述密封件包括第一可熔部，所述第一可熔部从所述密封件在所述导流通道延伸方向上的一侧表面延伸至另一侧表面，所述第一可熔部的熔点不高于所述硅熔液的熔点。2.根据权利要求1所述的漏液引流组件，其特征在于，所述第一可熔部在所述导流通道的延伸方向上的厚度小于所述密封件的其余位置的厚度，所述第一可熔部的至少朝向所述承接腔的一侧表面形成为凹面。3.根据权利要求1所述的漏液引流组件，其特征在于，所述密封件还包括第二可熔部，所述第二可熔部的熔点不高于所述硅熔液的熔点，且在所述导流通道的延伸方向上，所述第二可熔部的厚度小于所述密封件除所述第一可熔部之外的其余位置的厚度，所述第二可熔部环绕所述第一可熔部设置，在从所述第一可熔部朝向所述第二可熔部的方向上，所述第二可熔部的与所述承接腔相邻的一侧表面朝向所述承接腔倾斜延伸。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的漏液引流组件，其特征在于，所述密封件为单晶硅件或铸铁件。5.根据权利要求1所述的漏液引流组件，其特征在于，所述晶体生长装置包括加热器，所述加热器包括电控部，所述承接件包括：围护件，所述围护件为竖向延伸的环形筒状，所述电控部位于所述围护件的径向外侧，且所述围护件的上端沿不低于所述电控部的上端沿；导流件，所述导流件包括导流罩和裙板，所述导流罩为环形且设于所述围护件的径向内侧，所述导流罩与所述围护件配合限定出开口向上的所述承接腔；所述裙板为竖向延伸的环形筒状，所述裙板设于所述围护件的径向内侧，所述裙板与所述导流罩相连且位于所述导流罩的下侧，所述裙板与所述围护件配合限定出所述导流通道。6.根据权利要求5所述的漏液引流组件，其特征在于，在所述导流罩的径向由内向外的方向上，所述导流罩的上表面为向下倾斜延伸的斜面。7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊宏，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：