本发明专利技术提供了一种高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体及其制备方法，属于永磁体技术领域。本发明专利技术将特定组成的主合金原料与辅合金原料分别进行速凝铸片，得到主合金铸片及辅合金铸片；将特定配比的主合金铸片及辅合金铸片进行双合金氢破碎，得到粗粉；将所述粗粉与防氧化剂混合进行气流磨制粉，得到细粉；将所述细粉与润滑剂混合，依次进行取向成型、烧结和回火处理，得到高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体。本发明专利技术中烧结钕铁硼永磁体中Al以及Gd元素含量高，并以合金方式加入低熔点In元素改善磁体晶界分布，在不添加Dy以及Tb重稀土元素的情况下，能够得到磁性能12kGs剩磁且矫顽力23kOe的烧结钕铁硼永磁体，节约了生产成本。节约了生产成本。
【技术实现步骤摘要】
一种高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体及其制备方法
[0001]本专利技术涉及永磁体
，具体涉及一种高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体及其制备方法。
技术介绍
[0002]目前烧结钕铁硼永磁体行业竞争激烈、形势严峻，稀土资源相对紧缺，企业资金压力较大。现有技术中，矫顽力为23kOe的烧结钕铁硼永磁体中Al的质量百分含量一般不超过1％，Gd的质量百分含量一般不超过5％，需添加Dy、Tb等重稀土元素提高产品性能。在Dy、Tb重稀土资源紧缺与资金压力窘迫的形势下，开发低成本、无Dy以及Tb重稀土元素的烧结钕铁硼永磁体具有重要意义。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体及其制备方法，采用本专利技术方法制备的高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体不含Dy以及Tb重稀土元素，成本低。
[0004]为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
[0005]本专利技术提供了一种高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体的制备方法，包括以下步骤：
[0006]将主合金原料与辅合金原料分别进行速凝铸片，得到主合金铸片及辅合金铸片；按质量分数计，所述主合金原料的组成包括M
1 23～26％，Gd 5～8％，Co 2～3％，Cu 0.2～0.4％，Ga 0.1～0.3％，B 0.9～0.94％，Al 2～2.5％，余量的Fe，所述M1为Pr和Nd；所述辅合金原料的组成包括M
2 28～31％，Ti 0.5～1％，In 0.1～0.5％，B 0.9～0.94％，余量的Fe，所述M2为Pr和Nd；
[0007]将所述主合金铸片及辅合金铸片进行双合金氢破碎，得到粗粉；所述辅合金铸片的质量为主合金铸片质量的9～15％；
[0008]将所述粗粉与防氧化剂混合进行气流磨制粉，得到细粉；
[0009]将所述细粉与润滑剂混合，依次进行取向成型、烧结和回火处理，得到高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体。
[0010]优选地，所述M1中Pr与Nd的质量比为(4.6～5.2)：(18.4～20.8)；M2中Pr与Nd的质量比为(5.6～6.2)：(22.4～24.8)。
[0011]优选地，制备所述主合金铸片时速凝铸片的条件包括：将所述主合金原料在1440～1460℃条件下保温精炼2～5min，之后以5～8℃/min速率降温至1360～1390℃，保温3～6min后浇铸；铜辊轮转速为35～45rpm；所述主合金铸片的厚度为0.1～0.3mm。
[0012]优选地，制备所述辅合金铸片时速凝铸片的条件包括：将所述辅合金原料在1470～1500℃条件下保温精炼2～5min，之后以3～7℃/min速率降温至1430～1450℃，保温5～9min后浇铸；铜辊轮转速为35～45rpm；所述辅合金铸片的厚度为0.1～0.3mm。
[0013]优选地，所述双合金氢破碎包括依次进行的吸氢处理和脱氢处理；所述吸氢处理的温度为室温，时间为150～210min；所述脱氢处理的温度为550～640℃，保温时间为3～
5h。
[0014]优选地，所述防氧化剂的质量为粗粉质量的0.4～0.6
‰
；所述气流磨制粉的研磨压力为5.9～6.1MPa，出粉速度为190～220kg/h；所述细粉的粒度d50为3.9～4.3μm。
[0015]优选地，所述润滑剂的质量为细粉质量的0.5～0.7
‰
；所述取向成型在磁感应强度为1.9～2.3T且成型压力为3～6MPa的条件下进行；所述取向成型后所得生坯的密度为4.1～4.25g/cm3。
[0016]优选地，所述烧结的操作条件包括：真空度≤5
×
10
‑2Pa，温度为1050～1075℃，保温时间为3～5h。
[0017]优选地，所述回火处理包括依次进行的第一回火处理和第二回火处理；所述第一回火处理的条件包括：真空度≤5Pa，温度为860～920℃，保温时间为3～5h；所述第二回火处理的条件包括：真空度≤5Pa，温度为550～630℃，保温时间为4～7h。
[0018]本专利技术提供了上述技术方案所述制备方法制备得到的高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体。
[0019]本专利技术提供了一种高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体的制备方法，包括以下步骤：将主合金原料与辅合金原料分别进行速凝铸片，得到主合金铸片及辅合金铸片；按质量分数计，所述主合金原料的组成包括M
1 23～26％，Gd 5～8％，Co 2～3％，Cu 0.2～0.4％，Ga 0.1～0.3％，B 0.9～0.94％，Al 2～2.5％，余量的Fe，所述M1为Pr和Nd；所述辅合金原料的组成包括M
2 29～31％，Ti 0.5～1％，In 0.1～0.5％，B 0.9～0.94％，余量的Fe，所述M2为Pr和Nd；将所述主合金铸片及辅合金铸片进行双合金氢破碎，得到粗粉；所述辅合金铸片的质量为主合金铸片质量的9～15％；将所述粗粉与防氧化剂混合进行气流磨制粉，得到细粉；将所述细粉与润滑剂混合，依次进行取向成型、烧结和回火处理，得到高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体。本专利技术中烧结钕铁硼永磁体中Al以及Gd元素含量高，并以合金方式加入低熔点In元素改善磁体晶界分布，提升(PrNd)2‑
Fe
14
‑
B相和Gd2‑
Fe
14
‑
B相的各向异性，能够提升产品性能，在不添加Dy以及Tb重稀土元素、且镨钕用量较少的情况下，能够得到磁性能12kGs剩磁且矫顽力23kOe的烧结钕铁硼永磁体，减少了Dy以及Tb重稀土资源的消耗，节约了生产成本，提升了产品竞争力。此外，本专利技术提供的方法适于批量化生产，制备得到的产品稳定性好。
具体实施方式
[0020]本专利技术提供了一种高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体的制备方法，包括以下步骤：
[0021]将主合金原料与辅合金原料分别进行速凝铸片，得到主合金铸片及辅合金铸片；按质量分数计，所述主合金原料的组成包括M
1 23～26％，Gd 5～8％，Co 2～3％，Cu 0.2～0.4％，Ga 0.1～0.3％，B 0.9～0.94％，Al 2～2.5％，余量的Fe，所述M1为Pr和Nd；所述辅合金原料的组成包括M228～31％，Ti 0.5～1％，In 0.1～0.5％，B 0.9～0.94％，余量的Fe，所述M2为Pr和Nd；
[0022]将所述主合金铸片及辅合金铸片进行双合金氢破碎，得到粗粉；所述辅合金铸片的质量为主合金铸片质量的9～15％；
[0023]将所述粗粉与防氧化剂混合进行气流磨制粉，得到细粉；
[0024]将所述细粉与润滑剂混合，依次进行取向成型、烧结和回火处理，得到高铝高钆低
铟烧结钕铁硼永磁体。
[0025]在本专利技术中，若无特殊说明，所用原料均为本领域技术人员熟知的市售商品。
[0026]本专利技术将主合金原料与辅合金原料分别进行速凝铸片，得到主本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体的制备方法，包括以下步骤：将主合金原料与辅合金原料分别进行速凝铸片，得到主合金铸片及辅合金铸片；按质量分数计，所述主合金原料的组成包括M123～26％，Gd 5～8％，Co 2～3％，Cu 0.2～0.4％，Ga 0.1～0.3％，B 0.9～0.94％，Al 2～2.5％，余量的Fe，所述M1为Pr和Nd；所述辅合金原料的组成包括M228～31％，Ti 0.5～1％，In 0.1～0.5％，B 0.9～0.94％，余量的Fe，所述M2为Pr和Nd；将所述主合金铸片及辅合金铸片进行双合金氢破碎，得到粗粉；所述辅合金铸片的质量为主合金铸片质量的9～15％；将所述粗粉与防氧化剂混合进行气流磨制粉，得到细粉；将所述细粉与润滑剂混合，依次进行取向成型、烧结和回火处理，得到高铝高钆低铟烧结钕铁硼永磁体。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述M1中Pr与Nd的质量比为(4.6～5.2)：(18.4～20.8)；M2中Pr与Nd的质量比为(5.6～6.2)：(22.4～24.8)。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备所述主合金铸片时速凝铸片的条件包括：将所述主合金原料在1440～1460℃条件下保温精炼2～5min，之后以5～8℃/min速率降温至1360～1390℃，保温3～6min后浇铸；铜辊轮转速为35～45rpm；所述主合金铸片的厚度为0.1～0.3mm。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备所述辅合金铸片时速凝铸片的条件包括：将所述辅合金原料在1470～1500℃条件下保温精炼2～5min，之后以3～7℃/...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈晨，夏峰，付宇龙，郑海龙，汪子超，刘永红，孙彩娜，王瑜，
申请(专利权)人：包头金山磁材有限公司，
类型：发明
国别省市：
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