一种引线框架加工方法技术

本发明专利技术提供一种引线框架加工方法，包括：S1：将所需加工的引线框架夹持在加工模具上，夹持住所述引线框架的两边；S2：在框架上的面上加工出导电层，在导电层上设置介质层，在介质层上钻出贯通导电层的若干个孔，在孔内填充导电物质，在导电层上加工出线路图形；S3:将S2步骤后的框架表面覆盖一层光阻干膜并曝光，显影后形成电镀区域，进行电镀，在电镀区域镀银，对镀银后的半成品进行加工得到引线框架成品，有利于提高引线框架的制作精度和降低成本。有利于提高引线框架的制作精度和降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种引线框架加工方法


[0001]本专利技术主要涉及集成电路领域，尤其涉及一种引线框架加工方法。

技术介绍

[0002]引线框架加工方法作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架加工方法，是电子信息产业中重要的基础材料。

技术实现思路

[0003]针对现有技术的上述缺陷，本专利技术提供一种引线框架加工方法，包括：
[0004]S1：将所需加工的引线框架夹持在加工模具上，夹持住所述引线框架的两边；
[0005]S2：在框架上的面上加工出导电层，在导电层上设置介质层，在介质层上钻出贯通导电层的若干个孔，在孔内填充导电物质，在导电层上加工出线路图形；
[0006]S3:将S2步骤后的框架表面覆盖一层光阻干膜并曝光，显影后形成电镀区域，进行电镀，在电镀区域镀银，对镀银后的半成品进行加工得到引线框架成品。
[0007]优选的，将所需加工的引线框架在步骤S1之前先进行切除框架边料。
[0008]优选的，所述导电层的厚度为1～7微米。
[0009]优选的，所述导电层的厚度厚度为2～5微米。
[0010]优选的，在S3步骤镀银后，在半成品表面覆盖一层光阻干膜并曝光，显影后得到蚀刻区域，镀银后蚀刻区域蚀刻形成穿孔，退膜后得到所述引线框架成品。
[0011]本专利技术的有益效果：
[0012]先进行电路加工的方式，如果电镀不合格，可以直接摒除不合格的产品，不需要进行后续的加工流程，可以节省工艺，用导电层作为参照，在介质层上钻出贯通至导电层的若干个孔，这样在有利于控制加工精确度，进而有利于提高引线框架的制作精度和降低成本。
具体实施方式
[0013]为了使本
人员更好地理解本专利技术的技术方案，并使本专利技术的上述特征、目的以及优点更加清晰易懂，下面结合实施例对本专利技术做进一步的说明。实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。
[0014]本专利技术包括有：
[0015]一种引线框架加工方法，包括：
[0016]S1：将所需加工的引线框架夹持在加工模具上，夹持住所述引线框架的两边；
[0017]S2：在框架上的面上加工出导电层，在导电层上设置介质层，在介质层上钻出贯通导电层的若干个孔，在孔内填充导电物质，在导电层上加工出线路图形；
[0018]S3:将S2步骤后的框架表面覆盖一层光阻干膜并曝光，显影后形成电镀区域，进行
电镀，在电镀区域镀银，对镀银后的半成品进行加工得到引线框架成品。
[0019]优选的，将所需加工的引线框架在步骤S1之前先进行切除框架边料。
[0020]优选的，所述导电层的厚度为1～7微米。
[0021]优选的，所述导电层的厚度厚度为2～5微米。
[0022]优选的，在S3步骤镀银后，在半成品表面覆盖一层光阻干膜并曝光，显影后得到蚀刻区域，镀银后蚀刻区域蚀刻形成穿孔，退膜后得到所述引线框架成品。
[0023]上述实施例仅例示性说明本专利申请的原理及其功效，而非用于限制本专利申请。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本专利申请的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属
中具有通常知识者在未脱离本专利申请所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本专利请的权利要求所涵盖。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引线框架加工方法，其特征在于，S1：将所需加工的引线框架夹持在加工模具上，夹持住所述引线框架的两边；S2：在框架上的面上加工出导电层，在导电层上设置介质层，在介质层上钻出贯通导电层的若干个孔，在孔内填充导电物质，在导电层上加工出线路图形；S3:将S2步骤后的框架表面覆盖一层光阻干膜并曝光，显影后形成电镀区域，进行电镀，在电镀区域镀银，对镀银后的半成品进行加工得到引线框架成品。2.根据权利要求1所述的一种引线框架加工方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈金林，
申请(专利权)人：无锡市佳泰精密模具有限公司，
类型：发明
国别省市：