制造半导体器件的方法和对应的半导体器件技术

本发明专利技术的各个实施例涉及制造半导体器件的方法和对应的半导体器件。半导体芯片以引线框架的形式被布置在衬底上方。被配置为导电条带的一组载流构成耦接到半导体芯片。衬底不包括用于将导电条带彼此电耦接的导电构成。例如，经由楔形接合在邻近导电条带之间形成电触点，以使得在邻近导电条带之间提供触点以支持多构成载流通道。多构成载流通道。多构成载流通道。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法和对应的半导体器件
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求于2021年6月30日提交的意大利专利申请号102021000017207的优先权，该申请的内容在法律允许的最大程度上通过引用整体并入本文。


[0003]本说明书涉及半导体器件。
[0004]一个或多个实施例可以被应用于针对汽车、消费者和工业市场的半导体功率器件。

技术介绍

[0005]在功率应用中使用具有不同数目的功率通道的器件。
[0006]从封装的角度来看，这转化为考虑到所涉及的通道数目的不同类型的引线框架设计。
[0007]这种引线框架定制对板尺寸的影响较小，并且对于最终客户是有利的，最终客户在板设计级别减轻了任何后续负担(例如，引线短路)。
[0008]从组件的供应链的观点来看，管理若干引线框架版本(其中一些引线框架版本可能仅专用于少量产品)在很大程度上是不方便的。
[0009]因此，增加引线框架设计(尤其是用于功率应用的引线框架设计)的标准化是为了减少成本和上市时间而追求的目标。
专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：在衬底上方布置至少一个半导体芯片；布置耦接到所述至少一个半导体芯片的多个载流构成；其中所述衬底不包括将所述多个载流构成中的两个或更多载流构成彼此电耦接的导电构成；以及在所述多个载流构成中的邻近载流构成之间形成至少一个电触点，以提供多构成载流通道。2.根据权利要求1所述的方法，其中布置所述多个载流构成包括：布置包括第一载流构成和第二载流构成的载流构成对，其中所述第二载流构成邻近于所述第一载流构成；以及邻近所述载流构成对而布置第三载流构成；以及其中形成至少一个电触点包括在所述载流构成对的所述第一载流构成与所述第二载流构成之间形成电触点，以提供第一多构成载流通道，并且其中所述第三载流构成提供第二单构成载流通道。3.根据权利要求1所述的方法，其中布置所述多个载流构成包括：布置第一载流构成；邻近所述第一载流构成布置第二载流构成；以及邻近所述第二载流构成布置第三载流构成；其中形成至少一个电触点包括：在所述第一载流构成与所述第二载流构成之间形成第一电触点；以及在所述第二载流构成与所述第三载流构成之间形成第二电触点；其中所述第一载流构成、所述第二载流构成和所述第三载流构成形成单个多构成载流通道。4.根据权利要求1所述的方法，其中形成至少一个电触点包括在与所述至少一个半导体芯片的位置相对的所述邻近载流构成的远端处形成所述至少一个电触点。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述载流构成包括布置在所述衬底上方的导电条带。6.根据权利要求1所述的方法，其中形成至少一个电触点包括在所述载流构成中的邻近载流构成处执行楔形接合。7.一种器件，包括：衬底；至少一个半导体芯片，布...

【专利技术属性】
技术研发人员：R，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：