一种封装衬底及其制造方法、半导体封装体的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种封装衬底及其制造方法、半导体封装体的制造方法，其属于半导体制造技术领域，封装衬底及其制造方法包括在基板上形成图案层；通过电铸的方式在基板设有图案层的表面上沉积金属层，基板作为阴极，金属作为阳极，电铸溶液为含有阳极金属离子的溶液，电铸溶液中的金属离子在基板上还原成金属，并沉积于基板的表面；对金属层抛光处理，得到焊盘；对基板上的图案层刻蚀处理，以去除图案层并得到封装衬底。本发明专利技术制造的封装衬底的焊盘位于半导体封装体的底面，且半导体封装体的侧面不存在焊盘，因此在溅射过程中，焊盘之间不会发生短路，保证了半导体封装体的电磁屏蔽性能。保证了半导体封装体的电磁屏蔽性能。保证了半导体封装体的电磁屏蔽性能。

【技术实现步骤摘要】
一种封装衬底及其制造方法、半导体封装体的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种封装衬底及其制造方法、半导体封装体的制造方法。

技术介绍

[0002]半导体封装体是便携式设备、可穿戴设备等电子设备中的重要部件，且半导体封装体的性能直接影响着电子设备的性能。
[0003]目前，通过将半导体芯片组装在设有焊盘的衬底上来制造半导体封装体，该衬底在芯片键合、焊盘键合以及芯片和焊盘键合的封装期间支撑半导体芯片。封装之后，将衬底和包封剂切割或分离以形成分离的半导体封装体。现有技术中，半导体封装体的封装通常选择PCB封装形式，主要基于PCB封装可以利用电磁屏蔽技术对产品进行共性屏蔽以隔绝外界电子器件的电磁干扰，但是由于现有技术中的焊盘裸露在半导体封装体的侧壁，导致在后序通过溅射的方式形成功能层的过程中，较容易致使焊盘之间发生短路，从而导致半导体封装体不能满足电磁屏蔽的需求，影响了半导体封装体的整体性能。
[0004]因此，亟需提供一种封装衬底的制造方法、封装衬底及半导体封装体以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种封装衬底及其制造方法、半导体封装体的制造方法，通过该方法制造的封装衬底的焊盘位于半导体封装体的底面，且半导体封装体的侧面不存在焊盘，因此在溅射过程中，焊盘之间不会发生短路，保证了半导体封装体的电磁屏蔽性能。
[0006]如上构思，本专利技术所采用的技术方案是：
[0007]一种封装衬底的制造方法，包括如下步骤：r/>[0008]在基板上形成图案层；
[0009]通过电铸的方式在所述基板设有所述图案层的表面上沉积金属层，所述基板作为阴极，金属作为阳极，电铸溶液为含有阳极金属离子的溶液，所述电铸溶液中的所述金属离子在基板上还原成金属，并沉积于所述基板的表面，当形成的所述金属层的厚度等于或大于所述图案层时，停止电铸；
[0010]对所述金属层抛光处理，得到焊盘；
[0011]对所述基板上的所述图案层刻蚀处理，以去除所述图案层并得到封装衬底。
[0012]可选地，所述金属层阳极为铜层、镍层、金层、镍金合金层或铜镍金合金层。
[0013]可选地，所述基板的材质为黄铜、镍或不锈钢。
[0014]可选地，在基板上形成图案层包括如下步骤：
[0015]在基板上通过热压或涂覆的方式贴附光刻胶，形成光刻胶层；
[0016]将图案化的掩膜板放置在所述光刻胶层上；
[0017]在曝光机上利用紫外光照射所述掩膜板及所述光刻胶层；
[0018]将掩膜板从所述光刻胶层上取下，并利用显影液洗掉所述光刻胶层中未经照射的部分，得到图案层。
[0019]可选地，所述显影液为碳酸钠溶液。
[0020]可选地，采用氢氧化钠溶液对沉积有所述金属层的基板刻蚀处理，以去除所述图案层。
[0021]可选地，在基板上通过贴膜、曝光、显影形成图案层之前，封装衬底的制造方法包括对所述基板表面净化处理及与预脱模处理，所述表面净化处理包括对所述基板除油、除锈，所述预脱模处理包括在所述基板上设置脱模剂或隔离层。
[0022]一种封装衬底，所述封装衬底通过上述的封装衬底的制造方法制成，且所述封装衬底包括基板及固设在所述基板上的焊盘。
[0023]一种半导体封装体的制造方法，包括如下步骤：
[0024]通过上述的封装衬底的制造方法制造封装衬底；
[0025]提供芯片；
[0026]将所述芯片连接于所述基板设有所述焊盘的表面，且所述焊盘位于所述芯片的底面；
[0027]采用塑封胶将所述芯片包封固化，形成第一半成品；
[0028]对所述第一半成品打标处理；
[0029]分离所述封装衬底的基板，得到第二半成品；
[0030]对所述第二半成品进行切割处理，得到多个第三半成品；
[0031]对多个所述第三半成品溅镀处理，得到多个半导体封装体。
[0032]一种半导体封装体的制造方法，包括如下步骤：
[0033]通过上述的封装衬底的制造方法制造封装衬底；
[0034]提供芯片；
[0035]将所述芯片连接于所述基板设有所述焊盘的表面，且所述焊盘位于所述芯片的底面；
[0036]采用塑封胶将所述芯片包封固化，形成第一半成品；
[0037]对所述第一半成品打标处理；
[0038]对打标处理后的所述第一半成品半切割处理，以切割所述第一半成品除基板的部分，并得到第四半成品；
[0039]对所述第四半成品溅镀处理，并得到第五半成品；
[0040]分离所述第五半成品的基板，得到多个半导体封装体。
[0041]本专利技术提出的封装衬底及其制造方法、半导体封装体的制造方法，先在基板上形成图案层，然后在具有图案层的基板上通过电铸的方式沉积金属层，之后去除图案层，最后对金属层抛光处理形成焊盘并得到封装衬底，通过电铸的方式形成的焊盘成型于基板的表面，而不是直接形成在半导体封装体的侧壁，使得通过该方法制造的封装衬底的焊盘位于半导体封装体的底面，且半导体封装体的侧面不存在焊盘，因此在溅射过程中，焊盘之间不会发生短路，保证了半导体封装体的电磁屏蔽性能。
附图说明
[0042]图1是本专利技术实施例提供的封装衬底的制造方法的流程图；
[0043]图2是本专利技术实施例提供的在基板上形成光刻胶层后的示意图；
[0044]图3是本专利技术实施例提供的在光刻胶层上设置掩膜板后的示意图；
[0045]图4是本专利技术实施例提供的基板上具有图案层的示意图；
[0046]图5是本专利技术实施例提供的在基板上电镀形成金属层后的示意图；
[0047]图6是本专利技术实施例提供的电铸装置的结构示意图；
[0048]图7是本专利技术实施例提供的金属层抛光后得到的结构示意图；
[0049]图8是本专利技术实施例提供的封装衬底的结构示意图。
[0050]图中：
[0051]1、基板；2、光刻胶层；3、掩膜板；4、图案层；5、金属层；6、焊盘；10、电铸槽；20、阳极金属；30、电铸层；40、整流电源；50、原膜；60、搅拌器；70、过滤器；80、加热器；90、泵；100、电铸溶液。
具体实施方式
[0052]为使本专利技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部。
[0053]在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装衬底的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成图案层；通过电铸的方式在所述基板设有所述图案层的表面上沉积金属层，所述基板作为阴极，金属作为阳极，电铸溶液为含有阳极金属离子的溶液，所述电铸溶液中的所述金属离子在基板上还原成金属，并沉积于所述基板的表面，当形成的所述金属层的厚度等于或大于所述图案层时，停止电铸；对所述金属层抛光处理，得到焊盘；对所述基板上的所述图案层刻蚀处理，以去除所述图案层并得到封装衬底。2.根据权利要求1所述的封装衬底的制造方法，其特征在于，所述金属层阳极为铜层、镍层、金层、镍金合金层或铜镍金合金层。3.根据权利要求1所述的封装衬底的制造方法，其特征在于，所述基板的材质为黄铜、镍或不锈钢。4.根据权利要求1
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3任一项所述的封装衬底的制造方法，其特征在于，在基板上形成图案层包括如下步骤：在基板上通过热压或涂覆的方式贴附光刻胶，形成光刻胶层；将图案化的掩膜板放置在所述光刻胶层上；在曝光机上利用紫外光照射所述掩膜板及所述光刻胶层；将掩膜板从所述光刻胶层上取下，并利用显影液洗掉所述光刻胶层中未经照射的部分，得到图案层。5.根据权利要求4所述的封装衬底的制造方法，其特征在于，所述显影液为碳酸钠溶液。6.根据权利要求1
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3任一项所述的封装衬底的制造方法，其特征在于，采用氢氧化钠溶液对沉积有所述金属层的基板刻蚀处理，以去除所述图案层。7.根据权利要求1
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3任一项所述的封装衬底的制造方法，其特征在于，在基...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鲁亭，郭智，马进，李文博，黄天涯，张贤祝，郝杰，
申请(专利权)人：立芯精密智造昆山有限公司，
类型：发明
国别省市：