本技术涉及自动检测技术领域，具体公开了一种卡带检测装置，该卡带检测装置中，放卷机用于卷状的卡带；收卷机用于收卷从放卷机抽出的卡带；检测标记组件包括工作台、检测组件和冲孔组件，工作台设于放卷机和收卷机之间，放卷机和收卷机之间的卡带经过工作...

本发明涉及芯片检测技术领域，具体公开了一种检测设备，该检测设备包括工作台、旋转组件、承载件和拍摄组件，其中，旋转组件设有若干个，若干个旋转组件均设于工作台，承载件用于承载工件，旋转组件与承载件连接，旋转组件能驱动承载件旋转，且带动工件旋...

本技术涉及贴片生产技术领域，具体公开了一种载具筐运输车，该载具筐运输车中，承载组件包括承载座、锁止件和第一弹性件，其中，承载座用于承载载具筐，载具筐的底部设有开口向下的锁止槽；锁止件沿Z方向滑动设于承载座，锁止件位于锁止位置时，锁止件的...

本申请涉及一种晶圆切割方法，包括：在衬底背离芯片的一侧粘贴背膜，得到待切割件；对待切割件按照单颗目标芯片的尺寸放大N倍划分第一切割道，第一切割道包括第一横向切割道和第一纵向切割道，进行一次切割，得到W个放大网格区，N≥2，W≥4；对放大...

本发明公开了一种芯片下料设备及方法，其属于产品下料技术领域，所述产品的底部粘贴有胶带，芯片下料设备包括运输机构、顶升机构及摆放装置，所述运输机构用于运输载具至下料位；顶升机构包括真空吸附组件、顶针组件及顶升驱动件，真空吸附组件用于吸附所...

本申请涉及一种胶量补偿装置及其胶量补偿方法、固晶机，该胶量补偿装置包括：机座，设置有工作台流道；真空底座，设置于工作台流道上，用于吸附待点胶工件；点胶模组，设置于所述真空底座上方；测高机构，设置于机座上，测高机构包括激光感测头，激光感测...

本发明涉及电镀工艺技术领域，具体公开了一种电镀槽，该电镀槽中，壳体内部形成开口向上的液体槽，液体槽用于盛放电镀液；阴极板用于固定晶圆；阳极板设于液体槽内，且和阴极板正对设置；屏蔽组件包括屏蔽板和驱动组件，屏蔽板具有贯通其两侧板面的若干流...

本实用新型实施例公开了一种电路板加工系统，利用料包类型识别单元对料包的类型进行检测，并将检测后的结果传输至上料机构。一方面，上料机构通过第一上料模组和第二上料模组对不同类型的料包中的电路板进行拆卸。由此，使得电路板加工系统可以适应不同类...

本实用新型实施例公开了一种芯片加工装置，将塑封模组、去膜模组和清除模组沿着传送通道依次排列，以提高芯片加工装置的集成化水平。由此，一方面，芯片加工装置可以对料材依次进行塑封、撕膜和料材底部的清理工作，还能与芯片的工艺流程相匹配，增加了芯...

本发明提供一种微腐蚀液及其在显现单质金属镀层Cu

本实用新型公开了一种自动下料装置，其属于自动化设备技术领域，包括料盘供给机构、料盘搬运机械手、下料机械手及循环收料机构，料盘供给机构包括多个支撑组件，带动多个所述支撑组件在第一上料位置及第二上料位置之间升降的循环升降组件以及设于所述循环...

本发明公开了一种实现超窄节距互连的高密度铜柱微凸点制备工艺及其应用，其包括以下步骤：S1、在晶圆上溅射种子层；S2、制作牺牲层；S3、制作掩膜层并光刻、显影得到软掩膜图形；所述软掩膜图形的线条之间形成有若干槽孔，所述槽孔向下延伸至牺牲层...

本发明公开了一种高效高精度芯片自动测试系统及测试方法，其包括测试机，对芯片进行自动测试；存储仓库，所述存储仓库包括若干存储单元，同一型号的芯片产品呈独立层次结构存放在料盒中，所述料盒存放在所述存储单元中；智能小车，行走在所述测试机与所述...

本发明公开了一种基于激光诱导热分解预切的超薄晶圆切割方法，在超薄晶圆片研磨前，利用激光诱导热分解预切割技术在衬底表面上切割出第一凹槽，去除晶圆表面的金属物及介质层，有效的防止后期进行切割时造成分层现象；然后再进行半切割成型出第二凹槽，切...

本实用新型公开了一种微型芯片封装模组验证分析用的定位装置，其包括底座，所述底座上设置有至少一个承载并限定测试产品位置的限位凹槽，围绕所述限位凹槽设置有若干连接单元，所述底座上水平活动设置有插入至所述限位凹槽中压持待测试产品的压持件；所述...

一种撕膜设备，用于使用粘附胶带将产品上的屏蔽胶带撕除，包括供胶带组件、收胶带组件以及相对于所述产品靠近和远离的可移动部件。所述可移动部件设有介于所述供胶带组件和所述收胶带组件之间的第一压头部，所述粘附胶带能够盘设在所述供胶带组件上且经由...

本发明公开了一种排线插接方法以及排线插接装置。该排线插接方法包括：探高模组在第一工位获取连接器的上表面的高度，并将在规格内的连接器的上表面的高度发送给组装系统；第一上相机在第二工位获取排线插接位置的平面坐标，并发送给组装系统；组装系统获...

本发明公开了一种高密度集成式三维立体芯片封装结构及其制造方法，其包括位于同一高度空间内的若干导电柱、倒装设置在高度空间内的若干第一芯片、填充于高度空间且将导电柱与第一芯片包覆在内的第一塑封主体、位于第一塑封主体上表面的第一重布线层、位于...

本发明公开了一种高密度互联三维集成器件封装结构及其制造方法，其包括晶圆封装件及转接板；转接板包括硅基片、第一功能芯片、第一重布线层及第二重布线层；硅基片上形成有第一腔体，第一功能芯片嵌设在第一腔体内；第二重布线层与第一重布线层分别设置在...

本发明公开了一种封装衬底及其制造方法、半导体封装体的制造方法，其属于半导体制造技术领域，封装衬底及其制造方法包括在基板上形成图案层；通过电铸的方式在基板设有图案层的表面上沉积金属层，基板作为阴极，金属作为阳极，电铸溶液为含有阳极金属离子...