板级RDL封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种板级RDL封装结构及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供翘曲调控膜、弓形的有机载板及碗形的异质结构；将有机载板放置于翘曲调控膜上方，异质结构放置于翘曲调控膜下方，并进行压合；于有机载板上形成RDL层。本发明专利技术在弓形的有机载板下方通过翘曲调控膜叠加碗形的异质结构，利用翘曲调控膜的低热膨胀系数及低收缩率，来改善板级RDL封装结构的翘曲问题，通过翘曲调控膜的固化时间，同时吸收上下面的应力，实现封装结构内部应力的平衡，从而有效减轻扇出型板级封装的翘曲问题，提高产品生产效率和能力，同时增加了板级封装结构的结合力及可靠性，提高了金属线路的均匀性，以及延长了芯片的使用寿命，有利于本发明专利技术的推广。的推广。的推广。

【技术实现步骤摘要】
板级RDL封装结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，特别是涉及一种板级RDL封装结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]扇出型封装是现如今先进封装最具代表性的技术之一，随着向多芯片、3D SiP等方向的发展，此技术正越来越多地被应用于5G、人工智能物联网(AIoT)和高性能计算(High Performance Computing，HPC)机群等领域中。在扇出型封装技术中，由于技术路线及应用需求的不同，扇出型封装有两大分支，扇出型晶圆级封装(Fan Out Wafer Level Package，FOWLP)和扇出型面板级封装(Fan
‑
Out Panel Level Packaging，FOPLP)，后者由于其尺寸的优势，具有更高的经济效益。而作为其核心的重分布层(Redistribution Layer，RDL)技术，得到了业界的广泛关注，尤其是在如今设备轻量化的形势下，芯片的轻薄化趋势更需要扇出型面板级封装的发展。但是，在板级RDL工艺流程中，由于介电层固化时会受到应力而收缩，导致所有扇出型封本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种板级RDL封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S11：提供翘曲调控膜、弓形的有机载板及碗形的异质结构；S12：将所述有机载板放置于所述翘曲调控膜上方，所述异质结构放置于所述翘曲调控膜下方，并进行压合，其中所述有机载体的弓形凹面与所述异质结构的碗形凹面均靠近所述翘曲调控膜；S13：于所述有机载板上形成RDL层。2.根据权利要求1所述的板级RDL封装结构的制备方法，其特征在于：所述压合的方式为真空贴膜，包括真空阶段及整平阶段的步骤；而后还包括烘板的步骤，从而固化所述翘曲调控膜。3.根据权利要求1所述的板级RDL封装结构的制备方法，其特征在于：所述异质结构的厚度大于等于所述有机载板的厚度。4.根据权利要求1所述的板级RDL封装结构的制备方法，其特征在于：所述翘曲调控膜在进行封装前需要低温保存，温度范围为0℃～10℃；所述翘曲调控膜的厚度范围为20μm～100μm；所述翘曲调控膜的热膨胀系数范围为α1<40ppm/℃，α2<100ppm/℃；所述翘曲调控膜内部包括若干硅球，所述硅球的直径范围为1μm～20μm。5.根据权利要求1所述的板级RDL封装结构的制备方法，其特征在于，所述有机载板的制备方法包括：S21：提供双面覆铜板内基材，并于所述双面覆铜板内基材上下表面形成双面覆铜板表面铜线路及在所述双面覆铜板内基材中形成空槽，得到有机载板结构；S22：于所述有机载板结构下表面贴上胶带；S23：于所述空槽中埋入...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜玲玲，黄剑，颜国秋，查晓刚，王建彬，
申请(专利权)人：上海美维科技有限公司，
类型：发明
国别省市：