一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法及带口框的基板技术

本发明专利技术为一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法及带口框的基板，公开了一种用于嵌埋器件的封装基板口框及其制作方法，方法包括以下步骤：准备金属层；在金属层的第一面蚀刻第一通孔、制作第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱；在金属层的第一面压合第一介质层；在金属层的第二面蚀刻第二通孔；在金属层的第二面制作种子层；在金属层的第二面制作第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱；在金属层的第二面压合第二介质层；对第一介质层和第二介质层进行减薄处理；对第一蚀刻金属柱和第二蚀刻金属柱进行蚀刻，得到封装基板口框。本发明专利技术封装基板中口框相对于机械或是激光钻孔制备在生产效率上有很大提升；通过在封装基板中引入金属层，使得制得封装基板的机械强度和散热性能有所提高，封装的共面性也得到优化。封装的共面性也得到优化。封装的共面性也得到优化。

【技术实现步骤摘要】
一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法及带口框的基板


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法及带口框的基板。

技术介绍

[0002]现有的嵌埋器件基板通常需要在基板中制作口框以完成元器件的嵌埋工作。口框制作一般是在CCL(CopperCladLaminates，覆铜迭层板)工艺流程中通过机械或是激光钻孔制备口框、或是在coreless工艺流程中使用铜柱蚀刻方式制备口框。然而CCL流程中通过机械或是激光方式制备口框生产效率较低且所得成品散热性较差；而coreless流程制备口框在工艺上比较复杂，且所得成本机械强度不高，散热性能也不好。可见，现有的用于嵌埋器件的基板口框制作流程不适宜在大批量生产中应用。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种用于嵌埋器件的基板口框及其制作方法。
[0004]本专利技术的第一方面提供了一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法，包括以下步骤：
[0005]准备金属层，所述金属层包括相背设置的第一面和第二面；
[0006]在所述金属层的第一面蚀刻第一通孔、制作第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱；
[0007]在所述金属层的第一面压合第一介质层，所述第一介质层覆盖第一通孔、第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱；所述第一介质层的厚度大于第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱的高度；
[0008]在所述金属层的第二面蚀刻第二通孔，所述第二通孔与第一通孔导通；
[0009]在所述金属层的第二面制作种子层，所述种子层通过第二通孔接触第一介质层；
[0010]在所述金属层的第二面制作第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱；
[0011]在所述金属层的第二面压合第二介质层，所述第二介质层覆盖第二通孔、第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱；所述第一介质层的厚度大于第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱的高度；
[0012]对所述第一介质层和第二介质层进行减薄处理，使得所述第一导通金属柱、第一蚀刻金属柱、第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱的顶部端面从所述介质层中露出；
[0013]对第一蚀刻金属柱和第二蚀刻金属柱进行蚀刻，得到所述基板口框。
[0014]进一步地，所述在所述金属层的第一面蚀刻第一通孔，具体包括以下步骤：
[0015]在所述金属层的第一面和第二面贴合第一光刻胶层；
[0016]在第一面选定第一位置，曝光显影所述第一光刻胶层，令第二位置的第一光刻胶层溶解；
[0017]对金属层进行蚀刻处理，在第一位置处形成具有第一深度的第一通孔；
[0018]移除所述第一光刻胶层。
[0019]进一步地，所述在所述金属层的第一面制作第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱，具体包括以下步骤：
[0020]在所述金属层的第一面和第二面贴合第二光刻胶层；
[0021]在第一面选定第二位置，曝光显影所述第二光刻胶层，令第二位置的第二光刻胶层溶解；
[0022]在第二位置的开口处电镀金属，形成第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱；
[0023]移除所述第二光刻胶层。
[0024]进一步地，所述在所述金属层的第二面蚀刻第二通孔，具体包括以下步骤：
[0025]在所述金属层的第二面贴合第三光刻胶层；
[0026]根据所述第一位置，在第二面选定与第一位置沿金属层对称的第三位置，曝光显影所述第三光刻胶层，令第三位置的第三光刻胶层溶解；
[0027]对金属层进行蚀刻处理，在第三位置处形成具有第二深度的第二通孔；所述第一深度与第二深度之和不小于所述金属层的厚度，令第一通孔和第二通孔连通；
[0028]移除所述第三光刻胶层。
[0029]进一步地，所述在所述金属层的第二面制作种子层之后，还包括以下步骤：
[0030]在种子层上铺设一层金属镀层。
[0031]进一步地，所述在所述金属层的第二面制作第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱，具体包括以下步骤：
[0032]在所述金属层的第二面贴合第四光刻胶层；
[0033]在第二面选定第四位置，曝光显影所述第四光刻胶层，令第四位置的第四光刻胶层溶解；
[0034]在第四位置的开口处电镀金属，形成第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱；
[0035]移除所述第四光刻胶层和种子层。
[0036]进一步地，所述对第一蚀刻金属柱和第二蚀刻金属柱进行蚀刻，具体包括以下步骤：
[0037]在第一介质层和第二介质层上贴合第五光刻胶层；
[0038]将第一蚀刻金属柱和第二蚀刻金属柱的顶部端面选定为第五位置，曝光显影所述第五光刻胶层，令第五位置的第五光刻胶层溶解；
[0039]对第一蚀刻金属柱和第二蚀刻金属柱进行蚀刻处理；
[0040]移除所述第五光刻胶层，得到所述基板口框。
[0041]进一步地，所述第一蚀刻金属柱在第一面的位置和第二蚀刻金属柱在第二面的位置沿金属层对称。
[0042]进一步地，所述第一蚀刻金属柱与第一通孔在第一面上的距离大于第一预设距离：所述第二蚀刻金属柱与第二通孔在第二面上的距离大于第二预设距离。
[0043]本专利技术的第二方面公开了一种带嵌埋器件口框的基板，包括介质层、金属层和光刻胶层；所述金属层两面被介质层覆盖；在介质层上开有导通金属柱与金属层导通；所述导通金属柱被光刻胶层覆盖；所述介质层上开有用于嵌埋器件的口框，所述口框由一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法制作得到。
[0044]本专利技术的实施例具有如下方面有益效果：本专利技术基板中口框通过蚀刻方式制备，
相对于机械或是激光钻孔制备在生产效率上有很大提升；同时本专利技术还通过在基板中引入金属层，使得制得基板的机械强度和散热性能有所提高，封装的共面性也得到优化。此外，本专利技术中金属层配合铜柱的设计可以灵活控制制得基板的厚度，对于各式各样的封装设计有着很强的兼容性。
[0045]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述部分中给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0046]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0047]图1为基于本专利技术实施例所提供的用于嵌埋器件的基板口框制作方法制得的带嵌埋器件口框的基板结构示意图；
[0048]图2至图20为本专利技术实施例所提供的用于嵌埋器件的基板口框制作方法的中间过程对应基板示意图。
[0049]附图标记：金属层100、光刻胶层200、第一光刻胶层210、第二光刻胶层220、第三光刻胶层230、第四光刻胶层240、第五光刻胶层250、介质层300、第一介质层310、第二介质层320、种子层400、金属镀层410、第一位置211、212、213、214、第一通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法，其特征在于，包括以下步骤：准备金属层，所述金属层包括相背设置的第一面和第二面；在所述金属层的第一面蚀刻第一通孔、制作第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱；在所述金属层的第一面压合第一介质层，所述第一介质层覆盖第一通孔、第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱；所述第一介质层的厚度大于第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱的高度；在所述金属层的第二面蚀刻第二通孔，所述第二通孔与第一通孔导通；在所述金属层的第二面制作种子层，所述种子层通过第二通孔接触第一介质层；在所述金属层的第二面制作第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱；在所述金属层的第二面压合第二介质层，所述第二介质层覆盖第二通孔、第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱；所述第一介质层的厚度大于第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱的高度；对所述第一介质层和第二介质层进行减薄处理，使得所述第一导通金属柱、第一蚀刻金属柱、第二导通金属柱和第二蚀刻金属柱的顶部端面从所述介质层中露出；对第一蚀刻金属柱和第二蚀刻金属柱进行蚀刻，得到所述基板口框。2.根据权利要求1所述的一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法，其特征在于，所述在所述金属层的第一面蚀刻第一通孔，具体包括以下步骤：在所述金属层的第一面和第二面贴合第一光刻胶层；在第一面选定第一位置，曝光显影所述第一光刻胶层，令第二位置的第一光刻胶层溶解；对金属层进行蚀刻处理，在第一位置处形成具有第一深度的第一通孔；移除所述第一光刻胶层。3.根据权利要求1所述的一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法，其特征在于，所述在所述金属层的第一面制作第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱，具体包括以下步骤：在所述金属层的第一面和第二面贴合第二光刻胶层；在第一面选定第二位置，曝光显影所述第二光刻胶层，令第二位置的第二光刻胶层溶解；在第二位置的开口处电镀金属，形成第一导通金属柱和第一蚀刻金属柱；移除所述第二光刻胶层。4.根据权利要求2所述的一种用于嵌埋器件的基板口框制作方法，其特征在于，所述在所述金属层的第二面蚀刻第二通孔，具体包括以下步骤：在所述金属层的第二面贴合第三光刻胶层；根据所述第一位置，在第二面选定与第...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，张治军，赵江江，黄高，冯磊，黄本霞，杨洋，冯进东，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：