导热型半导体封装结构及制备方法技术

本发明专利技术提供一种导热型半导体封装结构及制备方法，通过在芯片中形成导热件，可将芯片转化为具有良好导热性能且适用封装范围较广的导热型芯片，利用该导热型芯片进行封装后可形成具有高导热性能的导热型芯片封装结构以提高散热性能。提高散热性能。提高散热性能。

【技术实现步骤摘要】
导热型半导体封装结构及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，特别是涉及一种导热型半导体封装结构及制备方法。

技术介绍

[0002]更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来，集成电路封装将通过不断减小最小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。目前，常用的封装方法包括：晶圆级芯片规模封装(Wafer Level Chip Scale Packaging，WLCSP)、扇出型晶圆级封装(Fan
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Out Wafer Level Package，FOWLP)、倒装芯片(Flip Chip)、叠层封装(Package on Package，POP)等等。
[0003]新一代的大数据、云计算和人工智能正在追求前所未有的计算能力，它正在推动着半导体行业的各种新技术的蓬勃发展。基于基板进行的可连接封装多个芯片的集成式芯片封装技术因可提供比传统单芯片封装更高的性能而备受关注，但集成式芯片封装中常常容纳有高功率芯片，因此解决集成式芯片封装的散热问题至关重要。
专利技术内容
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导热型半导体封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供晶圆，所述晶圆包括多颗芯片，所述芯片的正面设置有焊盘；自所述芯片的背面图形化所述芯片形成沟槽；于所述沟槽中填充导热材料形成导热件；切割所述晶圆获得导热型芯片；对所述导热型芯片进行封装形成导热型芯片封装结构，所述导热型芯片封装结构包括第一面及相对的第二面，所述导热型芯片封装结构的第一面显露所述导热件，所述导热型芯片封装结构的第二面设置有导电连接件，且所述导电连接件与所述焊盘电连接；提供基板，将所述导电连接件与所述基板进行电连接；于所述基板上形成散热盖板，且所述散热盖板与所述导热件相接触。2.根据权利要求1所述的导热型半导体封装结构的制备方法，其特征在于：所述导热型芯片封装结构包括扇出型封装结构、2.5D封装结构或倒装封装结构。3.根据权利要求1所述的导热型半导体封装结构的制备方法，其特征在于：填充的所述导热材料包括石墨稀、三氧化二铝、陶瓷及铟金属中的一种或组合。4.根据权利要求1所述的导热型半导体封装结构的制备方法，其特征在于：形成所述导热件的步骤包括涂布、固化及研磨。5.根据权利要求1所述的导热型半导体封装结构的制备方法，其特征在于：形成所述沟槽的方法包括机械开槽法、激光开槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦亨，林正忠，
申请(专利权)人：盛合晶微半导体江阴有限公司，
类型：发明
国别省市：