一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺及玻璃晶圆制造技术

本发明专利技术公开了一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺，从设计上降低深宽比，降低填充难度，可实现较厚玻璃晶圆的TGV互联；以涂胶层作为缓冲层，通过刻蚀处理形成多个通孔结构，并以通孔内的导电柱作为引脚连接互联层，形成间断分布的互联层，减少导电互联层的使用体积，经过高温时热膨胀量较小，同时间断部的涂胶材料也可以起到缓冲作用，另外，接触部分是通过多个导电柱相连接，增加了导通的可能性，提升器件的稳定性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺及玻璃晶圆


[0001]本专利技术涉及半导体电镀加工
，具体涉及一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺及玻璃晶圆。

技术介绍

[0002]近年来，随着5G、可穿戴设备、智能手机、汽车电子、人工智能等新兴领域蓬勃兴起，集成电路应用正向着多元化应用方向发展，先进三维封装技术也逐渐成为实现电子产品小型化、轻质化、多功能化的重要手段。一些新材料和新技术的应用为封装小型化带来契机，如柔性基板，硅通孔(Through Silicon Via，TSV)转接板技术和玻璃通孔(Through Glass Via，TGV)转接板技术成为垂直3D 互联的热点研究方向之一。
[0003]玻璃材料和陶瓷材料没有自由移动的电荷，介电性能优良，热膨胀系数与硅接近，以玻璃替代硅材料的玻璃通孔(Through Glass Via，TGV)技术可以避免 TSV绝缘性不良的问题，是理想的三维集成解决方案。玻璃通孔(TGV)技术被认为是下一代三维集成的关键技术，该技术的核心为深孔形成工艺。但在TGV填充工艺中存在以下几点难点：目前TGV，需要填充金属入通孔后，再用CMP 化学机械抛光技术才能移除通孔外表面的金属层，达成通孔填充的平坦化。
[0004](1)对于高深宽比的通孔填充对种子层设备要求较高，对药水要求较高，同时，因玻璃与金属两种材料热膨胀系数差异大，热失配产生热应力问题，器件稳定性差，导致芯片在工作中性能下降甚至功能失效；
[0005](2)目前市场上TGV填充主要有保型和填实两种，对于高深宽比的TGV 过孔填充难度大，而且Profile角度较大，若角度达到90度，容易导致拐角位置应力集中，温度循环容易裂开，引起失效问题。

技术实现思路

[0006]针对上述技术背景中的问题，本专利技术的一个目的在于提供一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺。
[0007]为了实现以上目的，本专利技术采用的技术方案为：
[0008]一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺，包括以下步骤：
[0009]S1、将玻璃晶圆进行清洗150
‑
1000μm，制作TGV连通孔；
[0010]S2、通孔改性，20μm直径过孔，深度为150～
‑
1000μm；
[0011]S3、通孔改性，50
‑
200μm直径过孔，深度为1/4～3/4的玻璃晶圆厚度，形成沉孔；
[0012]S4、采用HF或者高温碱工艺，进行湿法腐蚀，形成喇叭状的沉孔；
[0013]S5、在TGV连通孔侧壁、底部表面及玻璃晶圆上表面填充金属黏附层，厚度小于2μm；
[0014]S6、在TGV连通孔侧壁、沉孔底部填充导电层；
[0015]S7、在TGV连通孔的沉孔上部涂覆具有光敏性能的树脂材料，形成涂胶层；
[0016]S8、曝光；
[0017]S9、显影、刻蚀、填充导电材料，通过与导电层连通的引脚形成互联层。
[0018]进一步地，步骤S9，通过显影、刻蚀形成单个通孔，在通孔内填充导电材料至涂胶层表面，形成的互联层通过单一导电柱与导电层连通。
[0019]进一步地，步骤S9，通过显影、刻蚀形成大小不一的多个通孔，在沉孔对应的通孔内填充导电材料至涂胶层表面，形成的互联层通过多个导电柱与导电层连通。
[0020]更进一步地，还包括CMP：通过显影、刻蚀形成大小不一的多个通孔后，采用CMP抛光平坦化，通孔内再填充导电材料至涂胶层表面，形成的互联层与玻璃晶圆上表面水平。
[0021]进一步地，步骤S2或S3中，采用激光改性通孔，或者机械加工、激光加工、喷砂钻孔或刻蚀。
[0022]进一步地，步骤S4，6％～30％HF溶液常温处理或者采用30％～50％NaOH 溶液80℃～120℃处理。
[0023]进一步地，步骤S5，金属黏附层材料为Cu、Ni、Ta、Ti、Pt、Pd、AlN或 TiN中的一种或几种。
[0024]进一步地，步骤S6，导电层材料为导电金属、金属混合体、碳纳米管或多层硅材料中的一种，采用电镀、化学镀、物理沉积、化学气相沉积或液态金属。
[0025]本专利技术的另一目的在于，利用如上所述的方法制备的TGV玻璃晶圆，包括玻璃晶圆、贯穿的喇叭状沉孔，在沉孔内依次填充金属黏附层、导电层、涂胶层与导电互联层，在所述涂胶层内部设置有若干互相独立的导电柱，通过导电柱连接所述导电层与导电互联层。
[0026]进一步地，所述涂胶层内部开设若干个通孔，所述通孔向内延伸至导电层，在所述通孔内填充导电材料形成所述导电柱。
[0027]与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：
[0028]1、针对高深宽比的通孔填充难度大的问题，利用通孔改性，形成沉孔，从设计上降低深宽比，降低填充难度；
[0029]2、针对TGV Profile较大容易引起应力集中，玻璃载板若太薄，应力集中易造成破损或机械损伤的问题，利用本专利技术工艺可实现较厚玻璃晶圆的TGV互联，采用沉孔结构克服Profile较大的缺陷。
[0030]3、针对因材料热膨胀系数差异大，热失配产生热应力的问题，以涂胶层作为缓冲层，通过刻蚀处理形成多个通孔结构，并以通孔内的导电柱作为引脚连接互联层，形成间断分布的互联层，减少导电互联层的使用体积，经过高温时热膨胀量较小，同时间断部的涂胶材料也可以起到缓冲作用，另外，接触部分是通过多个导电柱相连接，增加了导通的可能性，可满足线宽从小到大不同线宽的互联，提升器件的稳定性。
附图说明
[0031]图1为本专利技术TGV玻璃晶圆通孔填充工艺的流程图；
[0032]图2为本专利技术一实施例中填充工艺的流程图；
[0033]图3为本专利技术另一实施例中填充工艺的流程图；
[0034]图4为本专利技术填充后的产品图。
[0035]其中，1、玻璃晶圆；2、沉孔；3、金属黏附层；4、导电层；5、涂胶层； 6、导电柱；7、导
电互联层；8、通孔。
具体实施方式
[0036]以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。
[0037]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0038]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、将玻璃晶圆进行清洗150
‑
1000μm，制作TGV连通孔；S2、通孔改性，20μm直径过孔，深度为150～
‑
1000μm；S3、通孔改性，50
‑
200μm直径过孔，深度为1/4～3/4的玻璃晶圆厚度，形成沉孔；S4、采用HF或者高温碱工艺，进行湿法腐蚀，形成喇叭状的沉孔；S5、在TGV连通孔侧壁、底部表面及玻璃晶圆上表面填充金属黏附层，厚度小于2μm；S6、在TGV连通孔侧壁、沉孔底部填充导电层；S7、在TGV连通孔的沉孔上部涂覆具有光敏性能的树脂材料，形成涂胶层；S8、曝光；S9、显影、刻蚀、填充导电材料，通过与导电层连通的引脚形成间断分布的互联层。2.根据权利要求1所述的一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺，其特征在于，步骤S9，通过显影、刻蚀形成单个通孔，在通孔内填充导电材料至涂胶层表面，形成的互联层通过单一导电柱与导电层连通。3.根据权利要求1所述的一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺，其特征在于，步骤S9，通过显影、刻蚀形成大小不一的多个通孔，在沉孔对应的通孔内填充导电材料至涂胶层表面，形成的互联层通过多个导电柱与导电层连通。4.根据权利要求3所述的一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺，其特征在于，还包括CMP：通过显影、刻蚀形成大小不一的多个通孔后，采用C...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋义，余国红，
申请(专利权)人：苏州森丸电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：