本实用新型专利技术公开了一种用于TGV玻璃通孔填铜的电镀处理装置，包括槽体、进水管，通过所述进水管向槽体内注入去离子水，所述槽体内设置有超声波发生器，在所述槽体内设置保护挂篮，用于放置待电镀玻璃产品。利用超声波对待电镀玻璃工件孔洞内的气泡进行去除，去离子水注入槽体内，液位上升过程中慢慢浸没半导体工件，在超声波作用下，去离子水平滑的进入孔洞中，将残留气泡排出，去离子水与孔洞内壁充分接触浸润，避免孔洞内壁产生电镀盲区。避免孔洞内壁产生电镀盲区。避免孔洞内壁产生电镀盲区。
【技术实现步骤摘要】
一种用于TGV玻璃通孔填铜的电镀处理装置
[0001]本技术涉及半导体电镀加工
，具体涉及一种用于TGV玻璃通孔填铜的电镀处理装置。
技术介绍
[0002]随着智能手机、物联网、汽车电子、高性能计算、5G、人工智能等新兴领域的蓬勃发展，随之出现的各种新的应用对先进封装提出更高的要求。硅基转接板2.5D(TSV)集成技术作为先进系统集成技术，近年来得到了迅猛的发展。但硅基转接板存在两个主要问题：1)成本高，硅通孔(TSV)制作采用硅刻蚀工艺，2)电学性能差，硅材料属于半导体材料，信号与衬底材料有较强的电磁耦合效应，衬底中产生涡流现象，造成信号完整性较差。与硅基转接板相比，玻璃转接板的优势主要体现在：1)低成本；2)优良的高频电学特性；3)大尺寸超薄玻璃衬底易于获取。
[0003]目前玻璃通孔(TGV)填铜过程中主要是依靠电镀药水添加剂的作用和分段电流的方式去减少孔内填铜的过程中出现空洞的几率，但实际生产过程中由于TGV产品孔内有很多气泡导致在电镀时候孔内很容易出现空洞情况造成产品不良。还有部分公司采用抽真空的方式赶走气泡，但此方法设备构造繁琐，成本较高。
技术实现思路
[0004]针对上述技术背景中的问题，本技术的目的在于提供一种用于TGV玻璃通孔填铜的电镀处理装置，利用超声波对待电镀玻璃工件孔洞内的气泡进行去除，避免孔洞内壁产生电镀盲区。
[0005]为了实现以上目的，本技术采用的技术方案为：
[0006]一种用于TGV玻璃通孔填铜的电镀处理装置，包括槽体、进水管，通过所述进水管向槽体内注入去离子水，所述槽体内设置有超声波发生器，在所述槽体内设置保护挂篮，用于放置待电镀玻璃产品。
[0007]进一步地，所述槽体的侧壁设置有一进水口、一排水口，通过所述进水口向槽体内注入去离子水。
[0008]更进一步地，所述去离子水的电导率低于5μS/cm。
[0009]进一步地，所述进水口通过进水管与RO反渗透水处理设备的输出端连接。
[0010]进一步地，所述保护挂篮的尺寸与待电镀玻璃产品的尺寸配套。
[0011]进一步地，所述保护挂篮包括本体，在所述本体上表面的外边缘设置有环形凸起部，以在本体上表面上形成凹槽。
[0012]更进一步地，所述凹槽的内径大于待电镀玻璃产品的最大外径尺寸，使得待电镀玻璃产品放置于凹槽内。
[0013]更进一步地，所述环形凸起部的高度在0.5
‑
2cm。
[0014]更进一步地，所述环形凸起部的内侧开设有缺口部，以便于取放待电镀玻璃产品。
[0015]与现有技术相比，本技术具有以下优点：
[0016]1、本技术中利用超声波对待电镀玻璃工件孔洞内的气泡进行去除，去离子水注入槽体内，液位上升过程中慢慢浸没半导体工件，在超声波作用下，去离子水平滑的进入孔洞中，将残留气泡排出，去离子水与孔洞内壁充分接触浸润，避免孔洞内壁产生电镀盲区。
附图说明
[0017]图1为本技术电镀处理装置的结构示意图；
[0018]图2为本技术中保护挂篮的结构示意图；
[0019]图3为另一实施例中保护挂篮的结构示意图。
[0020]其中，1、槽体；2、进水管；3、超声波发生器；4、保护挂篮；5、待电镀玻璃工件；6、进水口；7、排水口；8、RO反渗透水处理设备；401、本体；402、环形凸起部；403、凹槽；404、缺口部；405、挂钩。
具体实施方式
[0021]以下结合附图对本技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。
[0022]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0023]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0024]如图1
‑
3所示，一种用于TGV玻璃通孔填铜的电镀处理装置，包括槽体1、进水管2，通过所述进水管2向槽体1内注入去离子水，所述槽体1内设置有超声波发生器3，在所述槽体1内设置保护挂篮4，用于放置待电镀玻璃工件5。
[0025]本技术中利用超声波对待电镀玻璃工件5孔洞内的气泡进行去除，去离子水注入槽体1内，液位上升过程中慢慢浸没半导体工件，在超声波作用下，去离子水平滑的进入孔洞中，将残留气泡排出，去离子水与孔洞内壁充分接触浸润，避免孔洞内壁产生电镀盲区。
[0026]如图1所述，在本技术的一实施例中：
[0027]所述槽体1的侧壁设置有一进水口6、一排水口7，通过所述进水口6向槽体1内注入去离子水。具体地，所述去离子水的电导率低于5μS/cm。过大的电导率会引入很多杂质。
[0028]在本实施例中，所述进水口6通过进水管2与RO反渗透水处理设备8的输出端连接。利用RO反渗透水处理设备8对纯水进行过滤，以降低水的电导率，通过RO反渗透水处理设备
8后将符合要求的过滤水注入槽体1内。
[0029]在本技术的技术方案中：
[0030]所述保护挂篮4的尺寸与待电镀玻璃产品的尺寸配套。
[0031]如图2所示，在本技术的一具体实施例中：
[0032]所述保护挂篮4包括本体401，在所述本体401上表面的外边缘设置有环形凸起部402，以在本体401上表面上形成凹槽403。
[0033]在本实施例中，所述凹槽403的内径大于待电镀玻璃产品的最大外径尺寸，使得待电镀玻璃产品5放置于凹槽403内。
[0034]将待清洗的电镀玻璃产品5用镊子轻轻放入到保护挂篮4的凹槽403中，保护挂篮4具体选择聚四氟乙烯材质，耐酸碱同时材质适中避免将产品碰碎。环形凸起部402可以避免产品跑偏与超声波清洗机碰撞而导致产品破损。
[0035]具体地，所述环形凸起部402的高度在0.5
‑
2cm。其高度设置大于待清洗的电镀玻璃产品5即可，以达到环形凸起部402对产品的保护作用，具体可选择1cm。
[0036]如图2所示，在本实施例中，所述环形凸起部402的内侧开设有缺口部404，以便于取放待电镀玻璃产品。通过缺口部40本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于TGV玻璃通孔填铜的电镀处理装置，包括槽体、进水管，其特征在于，通过所述进水管向槽体内注入去离子水，所述槽体内设置有超声波发生器，在所述槽体内设置保护挂篮，用于放置待电镀玻璃工件。2.根据权利要求1所述的一种用于TGV玻璃通孔填铜的电镀处理装置，其特征在于，所述槽体的侧壁设置有一进水口、一排水口，通过所述进水口向槽体内注入去离子水。3.根据权利要求2所述的一种用于TGV玻璃通孔填铜的电镀处理装置，其特征在于，所述去离子水的电导率低于5μS/cm。4.根据权利要求3所述的一种用于TGV玻璃通孔填铜的电镀处理装置，其特征在于，所述进水口通过进水管与RO反渗透水处理设备的输出端连接。5.根据权利要求1所述的一种用于TGV玻璃通孔填铜的电镀处理装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋义，余国红，
申请(专利权)人：苏州森丸电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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