天线结构、印刷电路、雷达传感器芯片制造技术

一种天线结构、印刷电路、雷达传感器芯片，所述天线结构包括：用于提供电磁波信号的共面波导馈电结构，用于对电磁波信号进行辐射的基片集成波导谐振腔，其中：基片集成波导谐振腔通过第一金属层、第二金属层，以及第一金属层与第二金属层之间连接的金属化过孔构成，基片集成波导谐振腔腔体为一整体空间，基片集成波导谐振腔的第一金属层设置有至少两个缝隙辐射部，每个缝隙辐射部包括沿第一方向排布的至少两个缝隙单元，缝隙辐射部沿第二方向排布；共面波导馈电结构包括至少一个馈电部，馈电部耦接于基片集成波导谐振腔，以将馈电信号传输至基片集成波导谐振腔，共面波导馈电结构中的馈电部向与本馈电部相邻的缝隙辐射部馈电。馈电部向与本馈电部相邻的缝隙辐射部馈电。馈电部向与本馈电部相邻的缝隙辐射部馈电。

【技术实现步骤摘要】
天线结构、印刷电路、雷达传感器芯片


[0001]本公开实施例涉及但不限于天线
，尤其涉及一种天线结构、印刷电路、雷达传感器芯片。

技术介绍

[0002]近年来，随着无线通信的发展，封装天线技术无疑是一大热门趋势。封装天线技术可将天线集成到芯片封装结构中，实现集成度更高，更加小型化的系统。特别是，由于毫米波频段在5G技术中被广泛应用，且毫米波频段传输损耗更高，因此，需要实现更高增益的毫米波天线，以满足5G时代移动通信大容量的需求。
[0003]在毫米波天线的封装设计中由于介质损耗因子较大，同时在毫米波频段微带馈电结构容易产生辐射，又会加剧损耗，因此为了实现高增益的天线系统常常采用阵列天线的形式。
[0004]然而，为了实现阵列天线，需要进行功分网络的设计，阵列天线单元越多，馈电网络的结构越为复杂，同时损耗越大。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种天线结构、印刷电路、雷达传感器芯片，实现结构简单，尺寸小，损耗小。
[0006]一方面，本公开实施例提供了一种天线结构，包括，用于提供电磁波信号的共面波导馈电结构，以及用于对所述电磁波信号进行辐射的基片集成波导谐振腔，其中：所述基片集成波导谐振腔通过第一金属层、第二金属层，以及所述第一金属层与第二金属层之间连接的金属化过孔构成，所述基片集成波导谐振腔腔体为一整体空间，所述基片集成波导谐振腔的第一金属层设置有至少两个缝隙辐射部，每个所述缝隙辐射部包括沿第一方向排布的至少两个缝隙单元，所述缝隙辐射部沿第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；所述共面波导馈电结构包括至少一个馈电部，所述馈电部耦接于所述基片集成波导谐振腔，以将馈电信号传输至所述基片集成波导谐振腔，所述共面波导馈电结构中的所述馈电部向与本馈电部相邻的缝隙辐射部馈电。
[0007]在示例性实施例中，每个缝隙辐射部包括第一子辐射部和第二子辐射部，所述第一子辐射部和第二子辐射部沿第二方向排布，每个子辐射部包括至少一个沿第一方向延伸的缝隙单元，第一子辐射部中的缝隙单元和第二子辐射部中的缝隙单元交替设置，第一子辐射部中缝隙单元沿第一方向的中心线为第一中心线，第二子辐射部中缝隙单元沿第一方向的中心线为第二中心线，所述第一中心线和第二中心线不重合。
[0008]在示例性实施例中，相邻两个缝隙辐射部关于两缝隙辐射部之间的中心线对称。
[0009]在示例性实施例中，所述共面波导馈电结构中的所述馈电部设置于所述基片集成波导谐振腔的第一金属层。
[0010]在示例性实施例中，在所述第一金属层，每个所述馈电部伸入所述基片集成波导
谐振腔内的长度为1/2波导波长。
[0011]在示例性实施例中，在所述基片集成波导谐振腔中，所述共面波导馈电结构中的所述馈电部位于相邻的两个缝隙辐射部之间。
[0012]在示例性实施例中，每两个相邻的缝隙辐射部共用一个馈电部，和/或，每三个相邻的缝隙辐射部共用两个馈电部。
[0013]在示例性实施例中，所述馈电部包括依次连接的馈电子部、连接子部和耦接子部，所述馈电子部的一端沿所述第一方向延伸并伸入所述基片集成波导谐振腔内，另一端通过所述连接子部连接所述耦接子部；所述耦接子部用于连接馈电信号。
[0014]在示例性实施例中，在所述第一金属层，每个馈电部的馈电子部深入所述基片集成波导谐振腔的长度为1/2波导波长。
[0015]在示例性实施例中，在相邻两个馈电部中，两个连接子部长度相同，或者，所述两个连接子部长度相差1/2波导波长。
[0016]在示例性实施例中，所述耦接子部与馈源连接获得馈电信号，或通过耦合方式获得馈电信号。
[0017]在示例性实施例中，所述基片集成波导谐振腔中，每三个相邻的缝隙辐射部共用两个馈电部，所述两个馈电部的连接子部长度相同；或者，所述基片集成波导谐振腔中，每四个相邻的缝隙辐射部共用两个馈电部，所述两个馈电部的连接子部的长度相差1/2波长。
[0018]在示例性实施例中，所述基片集成波导谐振腔包括第一缝隙辐射部、第二缝隙辐射部、第三缝隙辐射部和第四辐射部；所述共面波导馈电结构包括第一馈电部和第二馈电部；其中:所述第一馈电部的馈电子部位于所述第一缝隙辐射部与第二缝隙辐射部之间，所述第二馈电部的馈电子部位于所述第三缝隙辐射部与第四缝隙辐射部之间，所述第一馈电部的馈电子部与所述第二馈电部的馈电子部的长度相同，所述第一馈电部的连接子部与所述第二馈电部的连接子部的长度相差1/2波长。
[0019]在示例性实施例中，所述基片集成波导谐振腔包括第一缝隙辐射部、第二缝隙辐射部、第三缝隙辐射部、第四缝隙辐射部、第五缝隙辐射部和第六缝隙辐射部；所述共面波导馈电结构包括第一馈电部、第二馈电部、第三馈电部和第四馈电部；其中:所述第一馈电部的馈电子部位于所述第一缝隙辐射部与第二缝隙辐射部之间，所述第二馈电部的馈电子部位于所述第二缝隙辐射部与第三缝隙辐射部之间，所述第三馈电部的馈电子部位于所述第四缝隙辐射部与第五缝隙辐射部之间，所述第四馈电部的馈电子部位于所述第五缝隙辐射部与第六缝隙辐射部之间，所述第一馈电部、所述第二馈电部、第三馈电部、所述第四馈电部中的四个馈电子部的长度相同；所述第一馈电部、所述第二馈电部、所述第三馈电部和所述第四馈电部中的四个连接子部的长度相同。
[0020]在示例性实施例中，所述第一馈电部、第四馈电部的耦接子部直接连接馈电信号；所述第二馈电部的耦接子部平行于所述第一馈电部的耦接子部延伸设置，并通过耦合方式获得馈电信号；所述第三馈电部的耦接子部平行于所述第四馈电部的耦接子部延伸设置，并通过耦合方式获得馈电信号。
[0021]在示例性实施例中，所述基片集成波导谐振腔包括第一缝隙辐射部、第二缝隙辐射部、第三缝隙辐射部、第四辐射部、第五缝隙辐射部、第六缝隙辐射部、第七缝隙辐射部和第八缝隙辐射部；所述共面波导馈电结构包括第一馈电部、第二馈电部、第三馈电部和第四
馈电部；其中:所述第一馈电部的馈电子部位于所述第一缝隙辐射部与第二缝隙辐射部之间，所述第二馈电部的馈电子部位于所述第三缝隙辐射部与第四缝隙辐射部之间，所述第三馈电部的馈电子部位于所述第五缝隙辐射部与第六缝隙辐射部之间，所述第四馈电部的馈电子部位于所述第七缝隙辐射部与第八缝隙辐射部之间，所述第一馈电部、所述第二馈电部、第三馈电部、所述第四馈电部中的四个馈电子部的长度相同；所述第一馈电部和所述第二馈电部中的两个连接子部的长度相差1/2波长，所述第三馈电部和所述第四馈电部中的两个连接子部的长度相差1/2波长。
[0022]在示例性实施例中，所述第一馈电部、第四馈电部的耦接子部直接连接馈电信号；所述第二馈电部的耦接子部平行于所述第一馈电部的耦接子部延伸设置，并通过耦合方式获得馈电信号；所述第三馈电部的耦接子部平行于所述第四馈电部的耦接子部延伸设置，并通过耦合方式获得馈电信号。
[0023]在示例性实施例中，所述基片集成波导谐振腔在第二方向上的长度为2
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种天线结构，其特征在于，包括，用于提供电磁波信号的共面波导馈电结构，以及用于对所述电磁波信号进行辐射的基片集成波导谐振腔，其中：所述基片集成波导谐振腔通过第一金属层、第二金属层，以及所述第一金属层与第二金属层之间连接的金属化过孔构成，所述基片集成波导谐振腔腔体为一整体空间，所述基片集成波导谐振腔的第一金属层设置有至少两个缝隙辐射部，每个所述缝隙辐射部包括沿第一方向排布的至少两个缝隙单元，所述缝隙辐射部沿第二方向排布，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；所述共面波导馈电结构包括至少一个馈电部，所述馈电部耦接于所述基片集成波导谐振腔，以将馈电信号传输至所述基片集成波导谐振腔，所述共面波导馈电结构中的所述馈电部向与本馈电部相邻的缝隙辐射部馈电。2.根据权利要求1所述的天线结构，其特征在于，每个缝隙辐射部包括第一子辐射部和第二子辐射部，所述第一子辐射部和第二子辐射部沿第二方向排布，每个子辐射部均包括至少一个沿第一方向延伸的缝隙单元，第一子辐射部中的缝隙单元和第二子辐射部中的缝隙单元交替设置，第一子辐射部中缝隙单元沿第一方向的中心线为第一中心线，第二子辐射部中缝隙单元沿第一方向的中心线为第二中心线，所述第一中心线和第二中心线不重合。3.根据权利要求1或2所述的天线结构，其特征在于，相邻两个缝隙辐射部关于两缝隙辐射部之间的中心线对称。4.根据权利要求1所述的天线结构，其特征在于，所述共面波导馈电结构中的所述馈电部设置于所述基片集成波导谐振腔的第一金属层。5.根据权利要求4所述的天线结构，其特征在于，在所述第一金属层，每个所述馈电部伸入所述基片集成波导谐振腔内的长度为1/2波导波长。6.根据权利要求1所述的天线结构，其特征在于，在所述基片集成波导谐振腔中，所述共面波导馈电结构中的所述馈电部位于相邻的两个缝隙辐射部之间。7.根据权利要求6所述的天线结构，其特征在于，每两个相邻的缝隙辐射部共用一个馈电部，和/或，每三个相邻的缝隙辐射部共用两个馈电部。8.根据权利要求7所述的天线结构，其特征在于，所述馈电部包括依次连接的馈电子部、连接子部和耦接子部，所述馈电子部的一端沿所述第一方向延伸并伸入所述基片集成波导谐振腔内，另一端通过所述连接子部连接所述耦接子部；所述耦接子部用于连接馈电信号。9.根据权利要求8所述的天线结构，其特征在于，在相邻两个馈电部中，两个连接子部长度相同，或者，所述两个连接子部长度相差1/2波导波长。10.根据权利要求8所述的天线结构，其特征在于，所述耦接子部与馈源连接获得馈电信号，或通过耦合方式获得馈电信号。
11.根据权利要求9所述的天线结构，其特征在于，所述基片集成波导谐振腔中，每三个相邻的缝隙辐射部共用两个馈电部，所述两个馈电部的连接子部长度相同；或者所述基片集成波导谐振腔中，每四个相邻的缝隙辐射部共用两个馈电部，所述两个馈电部的连接子部的长度相差1/2波长。12.根据权利要求9所述的天线结构，其特征在于，所述基片集成波导谐振腔包括第一缝隙辐射部、第二缝隙辐射部、第三缝隙辐射部和第四辐射部；所述共面波导馈电结构包括第一馈电部和第二馈电部；其中:所述第一馈电部的馈电子部位于所述第一缝隙...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄雪娟，王典，李珊，陈哲凡，庄凯杰，
申请(专利权)人：加特兰微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：