【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及但不限于半导体，尤其涉及一种半导体集成电路、锁相环、雷达传感器及电子设备。
技术介绍
1、在现有的集成电路中，电感是一种重要的电学器件，其性能参数直接影响了集成电路的性能。电感的品质因素q值为存储于电感中能量和损耗能量的比值，因此电感的品质因素q值越高，电感的效率就越高，性能就越好。但是现有的电感的品质因素q较低，这是由于电感产生的电场在衬底的对应部分感应出极性相反的电荷。电感的不同部位之间存在交流电压差，导致对应衬底之间也存在交流电压差，而衬底是半导体，有压差必然有电流，成为电容耦合衬底电流，这一电流会引起欧姆损耗，降低了电感的品质因素q。
2、在压控振荡器(vco)电路中包括两个电感器件，当电感的品质因素q值较低不但会增加损耗，还会对vco电路中的其他器件产生干扰。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种半导体集成电路、锁相环、雷达传感器及电子设备，解决半导体集成电路中电感容易泄露，导致对其他电路器件产生信号干扰的问题。
2、一方面，本公开实施例提供了一种半导体集成电路，包括：衬底层以及在所述衬底层上设置且绝缘的多个金属层；其中，多个金属层包括：屏蔽结构层、第一器件结构层和多个第二器件结构层，所述半导体电路包括振荡器；所述振荡器包含形成于不同所述第二器件结构层的第一电感和第二电感，形成于所述第一器件结构层的电容器件，形成于所述衬底层的第一晶体管和第二晶体管；其中，所述第一电感和第二电感关于同一对称轴对称，以输出差分信号；所述屏蔽结构层形
3、另一方面，本公开实施例还提供了一种压控振荡器，包括前述任一实施例的半导体集成电路。
4、再一方面，本公开实施例还提供了一种锁相环，包括鉴频鉴相器、电荷泵、滤波器、所述半导体电路中布置的振荡器和分频器；其中：所述鉴频鉴相器的第一输入端为所述锁相环的输入端，所述鉴频鉴相器的第二输入端与所述分频器的输出端连接，所述鉴频鉴相器的输出端与所述电荷泵的输入端连接；所述电荷泵的输出端与所述滤波器的输入端连接，所述滤波器的输出端与所述振荡器的控制端连接，所述振荡器的输出端与所述分频器的输入端连接。
5、再一方面，本公开实施例还提供了一种雷达传感器，包括信号接收模块、信号发射模块和时钟源，其中所述信号发射模块用于基于所述时钟源中锁相环所提供的参考频率经发射天线发射电子波信号，所述信号接收模块利用接收天线接收被目标物体所反射形成的回波，并基于所述时钟源中锁相环所提供的参考频率进行下变频处理，生成并输出中频信号；其中，所述锁相环为前述任一实施例的锁相环。
6、再一方面，本公开实施例还提供了一种电子设备，包括如前任一实施例所述的振荡器，或者如前任一实施例所述的锁相环，或者如前任一实施例所述的雷达传感器。
7、通过设置屏蔽结构使得第一电感和第二电感能够层叠设置，可以减小整体尺寸以及同时实现减少干扰。通过设置第一电感的对称轴与所述第二电感的对称轴重合，一方面可以减小第一电感对第二电感的电磁/电流影响，另一方面也可以缩小电路尺寸。
8、本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
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1.一种半导体集成电路，其特征在于，包括：衬底层以及在所述衬底层上设置且绝缘的多个金属层；其中，多个金属层包括：屏蔽结构层、第一器件结构层和多个第二器件结构层，所述半导体电路包含振荡器；
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，所述第一电感的第一端连接所述电容器件的第一端、所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的控制极，所述第一电感的第二端连接所述电容器件的第二端、所述第二晶体管的第一极和所述第一晶体管的控制极，所述第一电感的控制端连接电压端，所述第一晶体管的第二极连接所述第二电感的第一端，所述第二晶体管的第二极连接所述第二电感的第一端，所述第二电感的第二端接地，所述第一晶体管的第二极连接所述振荡器的第一输出端，所述第二晶体管的第二极连接所述振荡器的第二输出端。
4.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其特征在于，
7.根据权利要求1所述
8.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，
10.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，所述第二电感的第一端和第二端均位于所述对称轴。
11.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，所述第一器件结构层位于所述第二器件结构层与屏蔽结构层之间。
13.一种锁相环，其特征在于，集成在如权利要求1-12中任一所述的半导体电路中，其中，所述锁相环包括鉴频鉴相器、电荷泵、滤波器、所述半导体电路中布置的振荡器和分频器；其中：
14.一种雷达传感器，其特征在于，包括信号接收模块、信号发射模块和时钟源，其中所述信号发射模块用于基于所述时钟源中锁相环所提供的参考频率经发射天线发射电子波信号，所述信号接收模块利用接收天线接收被目标物体所反射形成的回波，并基于所述时钟源中锁相环所提供的参考频率进行下变频处理，生成并输出中频信号；其中，所述锁相环为权利要求13所述的锁相环。
15.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求13所述的锁相环，或者如权利要求14所述的雷达传感器。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路，其特征在于，包括：衬底层以及在所述衬底层上设置且绝缘的多个金属层；其中，多个金属层包括：屏蔽结构层、第一器件结构层和多个第二器件结构层，所述半导体电路包含振荡器；
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，所述第一电感的第一端连接所述电容器件的第一端、所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的控制极，所述第一电感的第二端连接所述电容器件的第二端、所述第二晶体管的第一极和所述第一晶体管的控制极，所述第一电感的控制端连接电压端，所述第一晶体管的第二极连接所述第二电感的第一端，所述第二晶体管的第二极连接所述第二电感的第一端，所述第二电感的第二端接地，所述第一晶体管的第二极连接所述振荡器的第一输出端，所述第二晶体管的第二极连接所述振荡器的第二输出端。
4.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，
8.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨建伟，周文婷，
申请(专利权)人：加特兰微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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